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Chapitre 83 - L'industrie de la microélectronique et des semi-conducteurs

GÉNÉRALITÉS

Michael E. Williams

L’industrie de la microélectronique et des semi-conducteurs se distingue par la diversité considérable de ses procédés et de ses produits. L’exposé sur la sécurité et la santé au travail présenté dans ce chapitre concerne la fabrication de circuits intégrés à semi-conducteurs (aussi bien produits à base de silicium que composés de valence III-V) et de circuits imprimés, ainsi que le montage des cartes à circuit imprimé et l’assemblage d’ordinateurs.

Ce secteur se subdivise en de nombreux segments. Aux Etats-Unis, l’Association de l’industrie électronique (Electronics Industry Association) utilise les catégories ci-après pour ses statistiques relatives aux tendances, aux chiffres d’affaires et à l’emploi dans ce domaine:

Les composants électroniques comprennent les tubes à électrons (par exemple, tubes de réception, de télévision et à usage spécial), les produits à semi-conducteurs (transistors, diodes, circuits intégrés, diodes électroluminescentes (DEL) et affichages à cristaux liquides, ainsi que divers composants passifs et autres (condensateurs, résistances, bobinages, transformateurs et commutateurs).

L’électronique grand public comprend les téléviseurs et les autres produits audio et vidéo domestiques et portatifs, ainsi que les matériels de gestion et de transport de l’information comme les ordinateurs individuels, les télécopieurs et les répondeurs téléphoniques. Les matériels et logiciels de jeux électroniques, les systèmes de surveillance domestique, les cassettes vierges audio et vidéo, les disquettes, les accessoires électroniques et toutes les piles et batteries ordinaires se rangent également dans la catégorie grand public.

Outre les ordinateurs à usage général et spécialisés, la catégorie ordinateurs et périphériques comprend les équipements de mémoire auxiliaires et les matériels d’entrées-sorties (claviers, souris, appareils de numérisation optiques et imprimantes, terminaux, etc.). Bien que les télécommunications, les communications militaires et l’électronique industrielle et médicale utilisent pour partie la même technologie, ces segments comprennent également des matériels spécialisés.

L’émergence de l’industrie de la microélectronique a eu un impact profond sur l’évolution et la structure de l’économie mondiale. Le rythme du changement au sein des pays industriels a été considérablement accéléré par les progrès accomplis dans ce domaine, notamment par l’évolution du circuit intégré. Ce rythme est représenté sous forme graphique dans l’historique du nombre de transistors par puce de circuit intégré (voir figure 83.1).

Figure 83.1 Evolution dans le temps du nombre de transistors par circuit intégré
(de 1970 à 2000)

Figure 83.1

Du point de vue économique, le chiffre d’affaires généré dans le monde par les semi-conducteurs est important. La figure 83.2 reproduit une projection, faite par l’Association de l’industrie des semi-conducteurs (Semiconductor Industry Association), des chiffres d’affaires mondiaux et régionaux entre 1993 et 1998.

Figure 83.2 Prévisions des ventes mondiales de semi-conducteurs de 1993 à 1998

Figure 83.2

Les secteurs des circuits intégrés à semi-conducteurs et de l’assemblage d’ordinateurs et de matériel électronique se distinguent de la plupart des autres branches d’activité par la composition relative de leur main-d’œuvre. Celui de la fabrication des semi-conducteurs compte un fort pourcentage d’opérateurs féminins aux commandes des machines de production. Les tâches confiées à cette catégorie de personnel n’impliquent généralement ni le maniement de lourdes charges, ni la nécessité d’un effort physique particulier. Par contre, bon nombre de ces tâches demandent des qualités motrices fines et une attention minutieuse. En ce qui concerne les travailleurs masculins, ils prédominent dans les travaux de maintenance, les fonctions techniques et la gestion. On rencontre une répartition similaire dans le secteur de l’assemblage du matériel informatique/électronique. Un autre trait inhabituel de cette partie de l’industrie est la concentration de la fabrication dans la zone géographique Asie-Pacifique. C’est notamment le cas des opérations d’assemblage final de la production des semi-conducteurs. Ces opérations consistent à positionner et à poser la puce du circuit intégré (techniquement appelée dé) sur un boîtier et un cadre de branchement. Cette étape exige un positionnement précis de la puce, généralement observé à travers un microscope et, partant, une très grande habileté manuelle. Là encore, la main-d’œuvre féminine prédomine. La plupart de la production mondiale se concentre dans les pays de la bordure du Pacifique, avec de fortes densités à Taiwan (Chine), en Malaisie, en Thaïlande, en Indonésie et aux Philippines, et une montée en puissance en Chine et au Viet Nam.

Les zones de fabrication des circuits intégrés ont des particularités et des caractéristiques inhabituelles et spécifiques à ce secteur. Elles doivent répondre notamment à des conditions et à des exigences de lutte contre les particules extrêmement rigoureuses. Une zone de fabrication de circuits intégrés moderne typique est une salle blanche de classe 1 ou moins. A titre de comparaison, un environnement de plein air correspondrait à une classe supérieure à 500 000, et une pièce d’une habitation normale à une classe d’environ 100 000, tandis qu’une zone de montage final de semi-conducteurs serait approximativement d’une classe 10 000. Pour atteindre ce niveau de réduction des particules, il faut que les travailleurs préposés à la fabrication soient habillés d’une combinaison entièrement étanche, avec circuits d’alimentation en air et de filtration, afin de limiter le niveau de particules qu’ils rejettent. Les occupants de ces zones sont considérés comme une source très abondante de particules fines: respiration, débris cutanés et phanères, vêtements et chaussures. L’obligation du port de vêtements fermés, et les procédures de travail en conditions isolées tendent à donner aux employés le sentiment qu’ils travaillent en milieu «hostile» (voir figure 83.3). En outre, dans la zone photolithographique, le travail consiste à exposer la plaquette à une solution photoactive, puis à projeter sur sa surface une image au moyen d’une lumière ultraviolette. Pour réduire la quantité d’ultraviolets (UV) indésirables dans cette zone, on utilise un éclairage jaune spécial (donnant une lumière exempte de la composante de longueur d’onde UV normalement présente dans l’éclairage intérieur). Cet éclairage contribue à donner aux travailleurs l’impression de se trouver dans un environnement de travail bizarre et peut éventuellement causer des effets de désorientation chez certaines personnes.

Figure 83.3 Opérateurs au travail dans une salle blanche moderne de fabrication
de semi-conducteurs

Figure 83.3

LA FABRICATION DES SEMI-CONDUCTEURS AU SILICIUM

David G. Baldwin, James R. Rubin et Afsaneh Gerami

Généralités

La fabrication d’un composant à semi-conducteurs, qu’il s’agisse d’un élément discret (semi-conducteur ne contenant qu’un composant actif, transistor par exemple), ou de circuits intégrés (ensembles d’éléments actifs et passifs reliés entre eux sur un même substrat semi-conducteur et capables d’assurer au moins une fonction de circuit électronique), comprend de nombreuses opérations très techniques et spécialisées. La présente description vise donc à fournir un cadre général et des explications de base sur les principales étapes suivies dans la fabrication d’un composant à semi-conducteur au silicium, et des problèmes qui les accompagnent en matière d’environnement, de sécurité et de santé.

La fabrication d’un circuit intégré comprend une séquence d’opérations qui peuvent être répétées de nombreuses fois avant que le circuit soit terminé. Les circuits intégrés les plus courants demandent l’application d’au moins 6 masques et, en général, de 10 à 24 pour la formation des réserves. La réalisation des microcircuits part d’une plaquette de silicium d’ultrahaute pureté, d’un diamètre de 12 à 30 cm. A l’état parfaitement pur, le silicium est presque un isolant, mais certaines impuretés, appelées dopants, ajoutées en quantités variant de 10 à 100 parties par million (ppm), le rendent électriquement conducteur.

Un circuit intégré peut être constitué de millions de transistors (ainsi que de diodes, de résistances et de condensateurs) faits de silicium dopé, et tous reliés selon un schéma approprié pour créer une logique informatique, une mémoire ou un autre type de circuit. Des centaines de microcircuits peuvent être réalisés sur une même plaquette.

Six grandes étapes sont communes aux procédés de fabrication de tous les composants à semi-conducteurs: l’oxydation, la lithographie, la gravure chimique, le dopage, le dépôt chimique en phase vapeur et la métallisation. Viennent ensuite l’assemblage, les essais, le marquage, l’emballage et l’expédition.

L’oxydation

En général, la première étape du traitement d’un composant à semi-conducteur est l’oxydation de la surface extérieure de la plaquette, afin de former une mince couche (environ un micron) de dioxyde de silicium (SiO2). Cette couche sert avant tout de protection de la surface contre les impuretés, et également de masque pour l’opération de diffusion qui suit. La possibilité de former cette couche protectrice de dioxyde sur le silicium fait des plaquettes de silicium le substrat le plus utilisé pour les semi-conducteurs. L’oxydation, souvent appelée oxydation thermique, s’effectue par lots dans un four de diffusion à haute température. La couche de dioxyde de silicium est formée dans des atmosphères contenant soit de l’oxygène (O2) (oxydation sèche), soit de l’oxygène combiné à de la vapeur d’eau (H2O) (oxydation humide). Les températures dans le four vont de 800 à 1 300 °C. Des composés chlorés, sous la forme de chlorure d’hydrogène (HCl), peuvent également être ajoutés pour mieux contrôler les impuretés indésirables.

Dans les installations de fabrication modernes, la tendance est aux fours d’oxydation verticaux, qui permettent un meilleur contrôle de la contamination, de plus grandes dimensions de plaquettes et un traitement plus uniforme. Ils ont en outre un moindre encombrement au sol, et économisent donc le précieux espace des salles blanches.

L’oxydation sèche

Les plaquettes de silicium (Si) à oxyder sont d’abord nettoyées avec une solution de détergent et d’eau, puis rincées au xylène, à l’alcool isopropylique ou avec un autre solvant. Les plaquettes propres sont séchées, chargées dans un porte-plaquettes en quartz appelé nacelle, et introduites du côté opérateur (côté chargement) du tube ou de la cellule du four de diffusion en quartz. Par le côté entrée du tube (côté source) arrive de l’oxygène ou un mélange oxygène/azote de haute pureté. La circulation de l’oxygène «sec» dans le tube est contrôlée de façon à assurer un excès d’oxygène et permettre la formation du dioxyde de silicium à la surface des plaquettes. La réaction chimique de base est la suivante:

Si + O2 Equation SiO2

L’oxydation humide

Lorsque c’est l’eau qui sert d’agent oxydant, les quatre méthodes couramment employées pour introduire la vapeur d’eau sont la pyrophorèse, le procédé à haute pression, l’oxydation éclair et le barbotage. Les réactions chimiques fondamentales sont les suivantes:

Méthode pyrophorique et à haute pression:
Si + 2O2 + 2H2 Equation SiO2 + 2H2O

Oxydation éclair et barbotage:
Si + 2H2O Equation SiO2 + 2H2

L’oxydation pyrophorique implique l’introduction et la combustion d’un mélange gazeux hydrogène/oxygène. Ces systèmes sont généralement appelés à hydrogène brûlé. L’introduction du côté entrée du tube des quantités voulues d’hydrogène et d’oxygène, et la réaction qui s’ensuit produisent de la vapeur d’eau. Le mélange doit être contrôlé avec précision pour garantir une bonne combustion et éviter l’accumulation d’hydrogène, gaz explosif.

L’oxydation à haute pression (HiPox), techniquement appelée système de pyrosynthèse de l’eau, produit de la vapeur d’eau par réaction entre de l’hydrogène et de l’oxygène ultrapurs. Cette vapeur est ensuite introduite par pompage dans une chambre à haute pression, où elle est portée à la pression de 10 atmosphères (atm), ce qui accélère le processus d’oxydation. La vapeur peut également être produite à partir d’une source d’eau désionisée.

Dans l’oxydation par barbotage , de l’eau désionisée placée dans un récipient appelé barboteur est maintenue en permanence au-dessous de son point d’ébullition de 100 °C grâce à une enveloppe chauffante. Le gaz, azote ou oxygène, arrivant à l’entrée du barboteur se sature en vapeur d’eau en traversant l’eau de bas en haut et passe ensuite par le conduit de sortie dans le four à diffusion. Les systèmes à barbotage semblent être le procédé d’oxydation le plus répandu.

Dans l’oxydation éclair , des gouttes d’eau désionisée pleuvent en permanence sur la surface inférieure chauffée d’un récipient en quartz, et s’évaporent rapidement en la touchant. Le gaz porteur, azote ou oxygène, passe au-dessus et entraîne la vapeur d’eau dans le four de diffusion.

La lithographie

La lithographie, également appelée photolithographie ou simplement masquage, permet de créer avec précision les impressions sur la plaquette oxydée. Le circuit microélectronique est formé couche après couche, chacune recevant une forme d’impression fournie par l’un des masques composant le circuit complet.

Les procédés de microfabrication des semi-conducteurs sont directement hérités des techniques de l’imprimerie. Ils s’apparentent à la confection de plaques d’impression, généralement métalliques, à la surface desquelles l’enlèvement de matière par attaque chimique produit une forme en relief. Cette même technique de base est employée pour obtenir les masques primaires qui serviront à réaliser chacune des couches de fabrication du composant.

Les concepteurs du circuit numérisent les circuits de base de chaque couche. Ce schéma numérisé permet de produire rapidement le dessin de chaque masque et facilite les modifications éventuellement nécessaires, selon la technique de la conception assistée par ordinateur (CAO). Ces systèmes en ligne, qui mettent en œuvre des logiciels très perfectionnés, permettent au concepteur d’agencer et de modifier les circuits directement à l’écran, à l’aide d’outils graphiques interactifs.

Le plan final, ou masque, de chaque couche de circuit est établi par un phototraceur piloté par ordinateur, que l’on appelle générateur de motifs. Ces plans phototracés sont ensuite réduits à l’échelle réelle du circuit produisant un masque primaire à relief chrome sur verre, qui est reproduit sur une plaque de travail destinée à l’impression par contact ou par projection sur la plaquette.

Ces masques définissent le dessin des zones conductrices et isolantes à transférer sur la plaquette par photolithographie. La plupart des fabricants ne produisent pas eux-mêmes leurs masques, mais confient ce travail à une entreprise spécialisée.

Le nettoyage

La nécessité de disposer d’une surface extérieure de la plaquette nette de toute trace de pollution et de particules étrangères impose un nettoyage fréquent. Les principaux agents auxquels on recourt sont:

L’application de la résine photosensible

Les plaquettes reçoivent un revêtement de résine photosensible constituée d’un polymère à base de solvant, et sont mises en rotation rapide sur une centrifugeuse afin d’obtenir une couche mince et uniforme. Une fois les solvants évaporés, il subsiste un film de polymère. Tous les agents de réserve sont sensibles au rayonnement (principalement ultraviolet), qui modifie la solubilité d’un polymère organique de synthèse dans un bain révélateur particulier. Ces matériaux se divisent en agents photosensibles négatifs et positifs selon que la solubilité dans le révélateur diminue (négatif) ou augmente (positif) lors de l’exposition au rayonnement. Le tableau 83.1 indique la composition des différents types d’agents photosensibles.

Tableau 83.1 Modes d’exposition et types d’agents photosensibles

Ultraviolets

Proches
(350-450 nm)

Négatifs

BP
S

R

Caoutchouc aliphatique à base azide (isoprène)
Acétate de n-butyle, xylène, n-méthyl-2-pyrrolidone, éthylbenzène
Xylène, hydrocarbures aliphatiques, acétate de n-butyle, solvant Stoddard (distillats de pétrole)

 

Positifs

BP
S


R

O-diazocétone
Acétate de propylèneglycol monométhyléther, lactate d’éthyle, méthoxypropionate de méthyle, éthoxypropionate d’éthyle, acétate de n-butyle, xylène, chlorotoluène
Hydroxyde de sodium, silicates, hydroxyde de potassium

Lointains
(200-250 nm)

Surtout positifs

   

Faisceau d’électrons (environ 100 nm)

 

Négatifs

BP
S
R

Copolymère acrylate d’éthyle-méthacrylate de glycidyle
ND
ND

 

Positifs

BP


S
R

Poly(méthacrylate de méthyle), poly(méthacrylate de fluoralkyle), polyalkylaldéhyde, poly(cyanométhacrylate d’éthyle)
Acétate de propylèneglycol monométhyléther
Base ou alcool isopropylique, acétate d’éthyle ou méthylisobutylcétone

Rayons X (0,5-5 nm)

 

Négatifs

BP
S
R

Copolymère acrylate d’éthyle-méthacrylate de glycidyle
ND
ND

 

Positifs

PB

S
R

Poly(méthacrylate de méthyle), o-diazocétone, (poly)méthacrylate d’hexa-fluorobutyle, poly(butène-1-sulfone)
Acétate de propylèneglycol monométhyléther
ND

BP = base polymère; S = solvant; R = révélateur; ND = données non disponibles.

La plupart des agents de réserve étant sensibles aux ultraviolets (UV), la zone de production est normalement éclairée par des lampes jaunes spéciales, donnant une lumière dépourvue des longueurs d’onde UV (voir figure 83.4).

Figure 83.4 Matériel lithographique d'une salle jaune moderne

Figure 83.4

Les agents photosensibles UV négatifs et positifs sont les plus employés dans l’industrie. Cependant, la part de marché des agents pour faisceau d’électrons et rayons X est en augmentation en raison de leur résolution supérieure. Les risques pour la santé que présente la photolithographie proviennent principalement de dangers potentiels pour la fonction de reproduction associés à certains types d’agents positifs (par exemple, avec l’acétate d’éthylèneglycol monoéthyléther comme base) qui sont actuellement en cours d’abandon dans l’industrie. Des odeurs occasionnellement émises par des agents négatifs (xylène, par exemple) sont également une cause de plaintes de la part du personnel. Compte tenu de ces préoccupations, les hygiénistes du travail du secteur des semi-conducteurs consacrent beaucoup de temps aux prélèvements effectués aux différents stades des opérations de photoexposition. Bien que ces travaux apportent des informations utiles sur ces opérations, il convient de noter que les expositions régulières lors de la centrifugation et du développement restent en général inférieures à 5% de la norme d’exposition professionnelle aux solvants en suspension dans l’air pour les types de solvants concernés (Scarpace et coll., 1989).

Une exposition d’une heure à l’acétate d’éthylèneglycol monoéthyléther à 6,3 ppm a été relevée au cours de l’utilisation d’une centrifugeuse. Cette exposition était principalement due à de mauvaises pratiques de travail lors des interventions de maintenance (Baldwin, Rubin et Horowitz, 1993).

Le séchage et le pré-étuvage

Après application de la résine photosensible, les plaquettes sont transférées, sur bande transporteuse ou manuellement, de la centrifugeuse à une étuve à température contrôlée sous atmosphère d’azote. Un chauffage à température modérée (70 à 90 °C) provoque le durcissement de la résine (étuvage doux) et l’évaporation des solvants résiduels.

Pour assurer une bonne adhérence de la couche de résine sur la plaquette, un apprêt, l’hexaméthyldisilizane (HMDS), est appliqué sur cette dernière. Cet apprêt fixe l’eau moléculaire à la surface de la plaquette. Le HMDS est appliqué soit directement par trempé ou centrifugation, soit en phase vapeur, procédé qui présente sur les autres méthodes des avantages en matière de traitement et de coût.

L’alignement du masque et l’exposition

Le masque et la plaquette sont rapprochés l’un de l’autre grâce à un matériel optique et mécanique de précision, et l’image portée par le masque est alignée par rapport aux impressions pouvant déjà se trouver sur la plaquette sous la couche de résine. Pour le premier masque, aucun alignement n’est nécessaire. Dans les technologies anciennes, l’alignement des couches successives est effectué à l’aide d’un microscope binoculaire et de commandes de précision pour le positionnement de la plaquette par rapport au masque. Dans les techniques les plus récentes, l’alignement se fait automatiquement grâce à des points de référence portés par les plaquettes.

L’alignement effectué, on projette à travers le masque une lumière ultraviolette de forte intensité, fournie par une lampe à vapeur de mercure ou à arc, et à laquelle sont exposées les zones de la couche photosensible non protégées par les régions opaques du masque.

Les différentes méthodes d’alignement et d’exposition sont l’exposition en lumière UV directe (au contact ou à proximité), l’exposition UV à travers un objectif de projection pour obtenir une réduction (projection), l’exposition avec photoréduction (projection), l’exposition directe aux rayons X (proximité) et le balayage par faisceau d’électrons (écriture directe). Le procédé le plus employé est l’exposition aux UV émis par des lampes à vapeur de mercure ou à arc, à travers des aligneurs de proximité ou à projection. Les résines photosensibles UV sont conçues pour réagir soit à un large spectre de longueurs d’onde UV, soit de façon préférentielle à une ou plusieurs des lignes principales du spectre émis par la lampe (par exemple, ligne g à 435 nm, ligne h à 405 nm et ligne i à 365 nm).

Les longueurs d’onde UV les plus utilisées actuellement pour le photomasquage sont de 365 nm et plus, mais les spectres des lampes UV contiennent également une énergie non négligeable dans la région de longueur d’onde dangereuse pour la santé, à savoir la région actinique située au-dessous de 315 nm. Normalement, les fuites de rayonnement UV provenant du matériel sont inférieures à la fois à la teneur actinique de la lumière solaire et aux normes définies pour l’exposition professionnelle aux UV.

Il est occasionnellement nécessaire, lors des travaux de maintenance, d’allumer la lampe UV en dehors du boîtier du matériel ou en l’absence des filtres protecteurs normaux. Dans ce genre d’opération, le niveau d’exposition peut dépasser les valeurs limites d’exposition existantes, mais les équipements de protection individuelle habituellement portés en salle blanche, c’est-à-dire blouses, gants vinyle, masques faciaux et lunettes de sécurité en polycarbonate à filtrage UV, suffisent généralement à ramener le rayonnement UV à des valeurs inférieures à celles en vigueur (Baldwin et Stewart, 1989).

Bien que les longueurs d’onde prédominantes dans la lumière des lampes aux rayons ultraviolets utilisées en photolithographie soient actuellement égales ou supérieures à 365 nm, la recherche de la miniaturisation dans les circuits intégrés évolués conduit à l’emploi de sources d’exposition de longueur d’onde inférieure, comme l’UV lointain et les rayons X. Une des nouvelles technologies employées à cet usage est celle des lasers excimères à fluorure de krypton utilisés dans les photorépéteurs. Ces répéteurs font appel à une longueur d’onde de 248 nm, émise à une puissance élevée. Ces systèmes sont toutefois dotés d’enceintes de confinement du rayonnement pendant l’utilisation normale.

Comme pour les autres matériels contenant des lasers de forte puissance utilisés dans la fabrication des semi-conducteurs, l’aspect le plus préoccupant concerne la nécessité de neutraliser les sécurités pour l’alignement du faisceau. Les lasers de forte puissance présentent en outre l’un des dangers les plus importants du point de vue électrique dans l’industrie des semi-conducteurs. Même après mise hors tension, il subsiste un risque élevé de choc électrique dans ces appareils. Escher, Weathers et Labonville (1993) traitent des contrôles et principes de sécurité applicables à la conception de ces systèmes.

La lithographie par rayons X est une source d’exposition liée aux technologies les plus modernes. Les niveaux d’émission de ces sources peuvent conduire à des débits de dose avoisinant 50 millisieverts (5 rems) par an au centre de l’équipement. Une restriction de l’accès aux zones situées à l’intérieur du blindage est recommandée pour réduire au minimum l’exposition (Rooney et Leavey, 1989).

Le développement

La phase de développement consiste à dissoudre et à éliminer les zones non polymérisées de la couche de résine photosensible. On applique un révélateur mélangé à un solvant sur la surface enduite de la plaquette par trempé, par pulvérisation ou par atomisation. Le tableau 83.1 indique les différentes solutions de développement employées. Un rinçage au solvant (acétate de n-butyl, alcool isopropylique, acétone, etc.) est généralement pratiqué après le traitement au révélateur, afin d’éliminer toute substance résiduelle. La couche de résine qui subsiste après le développement protège les couches individuelles au cours des opérations de traitement qui suivent.

L’étuvage

Après les opérations d’alignement, d’exposition et de développement de la couche photosensible, les plaquettes sont transférées dans une autre étuve à température contrôlée sous atmosphère d’azote. La cuisson à température plus élevée dans cette étuve (120 à 135 °C) provoque le durcissement et la polymérisation complète de la résine à la surface de la plaquette (étuvage fort).

L’enlèvement de la couche photosensible restante

La plaquette développée subit ensuite une attaque au moyen d’agents chimiques humides ou secs (voir «La gravure chimique» ci-après). La plaquette doit être débarrassée de la couche photosensible restante avant la suite du traitement. Cette opération s’effectue soit dans des bains de solutions chimiques à température réglée, soit dans un calcinateur à plasma, soit encore par voie chimique sèche. Le tableau 83.2 indique les produits d’attaque par voie humide et sèche. Le procédé chimique à sec au plasma, utilisant le même matériel et les mêmes principes opératoires que la calcination au plasma, est décrit ci-après.

Tableau 83.2 Décapants de résines photosensibles

Agents humide

Acides

Sulfurique (H2SO4) et chromique (CrO3)

Sulfurique (H2SO4) et persulfate d’ammonium ((NH4)2S2O8)

Sulfurique (H2SO4) et peroxyde d’hydrogène (H2O2)

Organiques

Phénols, acides sulfuriques, trichlorobenzène, perchloroéthylène

Glycoléthers, éthanolamine, triéthanolamine

Hydroxyde de sodium et silicates (agents photosensibles positifs)

Agents secs

Calcination au plasma (décapage)

Source d’énergie RF (radiofréquence) — fréquence 13,56 MHz ou 2 450 MHz

Gaz source oxygène (O2)

Systèmes de pompes à vide

– Lubrifiées par huile avec piège à azote liquide (ancienne technologie)
– Lubrifiées par perfluoropolyéther (technologie plus récente)
– Pompes sèches (technologie la plus récente)

La gravure chimique

La gravure chimique élimine les couches de dioxyde de silicium (SiO2), les métaux et le polysilicium, ainsi que les restes de résine photosensible selon les dessins souhaités. Les deux grandes catégories de méthodes sont les voies chimiques humide et sèche. La plus utilisée, la méthode humide, fait appel à des solutions d’agents d’attaque (habituellement un mélange d’acides), dans les concentrations voulues, qui réagissent avec le matériau à enlever. Le procédé à sec met en œuvre, dans une chambre sous vide et sous tension élevée, des gaz réactifs qui éliminent, eux aussi, les couches non protégées par la résine.

La gravure chimique humide

Les solutions de gravure humide sont contenues dans des bacs à température réglée, en polypropylène, en polypropylène ignifuge ou en (poly)chlorure de vinyle (PCV). Ces bains sont généralement équipés d’une ventilation d’extraction à chambre annulaire, ou d’une évacuation par fentes à l’arrière du bac. Des hottes à écoulement laminaire vertical distribuent de façon uniforme un air filtré et exempt de particules à la surface des bains. Le tableau 83.3 indique les solutions d’attaque chimique les plus courantes par rapport à la couche de surface à attaquer.

Tableau 83.3 Agents de gravure humide

Matériau à graver

Agents

Silicium

 

Silicium polycrystallin (Si)

Acides fluorhydrique, nitrique, acétique et iode
Hydroxyde de potassium
Ethylènediamine/catéchol
Fluorure d’ammonium, acides acétique cristallisable et nitrique

Dioxyde de silicium (SiO2)

Solution de gravure tamponnée — Acide fluorhydrique et fluorure d’ammonium
Solution de gravure tamponnée, éthylèneglycol, monométhyléther
Acides fluorhydrique et nitrique (solution de gravure P)

Nitrure de silicium (Si3N4)

Acides phosphorique et fluorhydrique

Gravure CVD oxyde ou de pastille

Fluorure d’ammonium, acides acétique et fluorhydrique

Métaux

Aluminium (Al)

Acides phosphorique, nitrique, acétique, chlorhydrique
Hydroxyde de sodium, hydroxyde de potassium

Chrome-Nickel (Cr/Ni)

Nitrate d’ammonium cérique et acide nitrique
Acides chlorhydrique et nitrique (eau régale)

Or (Au)

Acides chlorhydrique et nitrique (eau régale)
Iodure de potassium (KI)
Cyanure de potassium (KCN) et peroxyde d’hydrogène (H2O2)
Chlorure ferrique (FeCl3) et acide chlorhydrique

Argent (Ag)

Nitrate ferrique (FeNO3) et éthylèneglycol
Acide nitrique

Composés

Formule

Concentration normale (%)

Acide acétique

CH3COOH

36

Fluorure d’ammonium

NH4F

40

Acide acétique cristallisable

CH3COOH

99,5

Acide chlorhydrique

HCl

36

Acide fluorhydrique

HF

49

Acide nitrique

HNO3

67

Acide phosphorique

H3PO4

85

Hydroxyde de potassium

KOH

50 ou 10

Hydroxyde de sodium

NaOH

50 ou 10

Acide sulfurique

H2SO4

96

Les hottes d’arrivée d’air verticales, lorsqu’elles fonctionnent conjointement avec des écrans antiéclaboussures et un système d’aspiration, peuvent donner naissance à des zones de turbulence aéraulique dans le poste de gravure chimique. Ces effets peuvent réduire la capacité qu’a le système de ventilation à aspiration localisée de recueillir et d’évacuer les contaminants fugitivement émis par les bains en cours d’utilisation.

Le principal danger présenté par l’attaque par voie humide est le risque d’un contact cutané avec les acides concentrés. Quoique tous les acides utilisés pour l’attaque soient susceptibles de provoquer des brûlures, le plus dangereux d’entre eux est l’acide fluorhydrique. Le délai qui s’écoule entre le moment du contact cutané et la perception de la douleur (jusqu’à 24 heures pour les concentrations inférieures à 20%, et de 1 à 8 heures pour les concentrations comprises entre 20 et 50%) peut être la cause d’un traitement tardif et de lésions plus graves qu’elles n’auraient dû l’être (Hathaway et coll., 1991).

Historiquement, les brûlures par acide représentent un problème particulièrement aigu dans cette industrie. Le nombre de cas a pourtant baissé ces dernières années. Cette diminution est en partie due à des améliorations apportées aux méthodes d’attaque, par exemple par l’adoption du procédé de gravure à sec, une robotisation plus poussée et l’installation de systèmes de distribution mécanique des produits chimiques. On peut également attribuer cette réduction à une amélioration des méthodes de manipulation, à une généralisation du port des équipements de protection individuelle, à l’amélioration de la conception des enceintes de gravure et à une meilleure formation, aspects auxquels il faudra continuer de porter attention si l’on veut voir diminuer encore le nombre d’accidents (Baldwin et Williams, 1996).

La gravure chimique à sec

La gravure chimique à sec fait l’objet d’un intérêt croissant et d’une utilisation de plus en plus large en raison des possibilités qu’elle offre de mieux maîtriser le processus et de réduire les niveaux de contamination. Ce procédé enlève efficacement les couches visées par l’action de gaz réactifs ou par un bombardement physique.

Des systèmes de gravure efficaces par plasma chimiquement réactif ont été mis au point pour le silicium, le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium, l’aluminium, le tantale et ses composés, le tungstène, l’or et le verre. Deux systèmes de réacteurs à plasma sont utilisés, le système cylindrique et le système à plaques parallèles. Tous deux fonctionnent selon le même principe et ne diffèrent en réalité que par la configuration.

Un plasma est semblable à certains égards à un gaz, à la différence près que certains des atomes ou des molécules du plasma sont ionisés et peuvent contenir un nombre important de radicaux libres. Un réacteur typique est constitué d’une chambre de réaction sous vide renfermant la plaquette, en général en aluminium, en verre ou en quartz, d’une source d’ondes radio-fréquence (RF), généralement de 450 kHz, 13,56 MHz ou 40,5 MHz, et d’un module de commande gérant le temps de traitement, la composition et le débit du gaz réactif, et le niveau de puissance RF. Il comprend en outre une pompe de prévidage lubrifiée par huile (technologie ancienne) ou à sec (nouvelle technologie), reliée à la chambre de réaction. On charge les plaquettes dans le réacteur soit une par une, soit dans des cassettes, la pompe fait le vide dans la chambre et le gaz réactif (le plus souvent du tétrafluorure de carbone) y est ensuite introduit. Par ionisation du gaz, il se forme un plasma d’attaque, qui entre en réaction avec les plaquettes en dégageant des produits volatils, lesquels sont évacués par pompage. L’apport de gaz neuf dans la chambre entretient l’activité d’attaque. Le tableau 83.4 indique les matériaux et les gaz utilisés pour enlever différentes couches.

Tableau 83.4 Gaz de gravaure au plasma en fonction du matériau à graver

Matériau

Gaz

Silicium

Polysilicium (polySi)et silicium

CF + O2, CCl4 ou CF3Cl, CF4 et HCl

Dioxyde de silicium (SiO2)

C2F6, C3F8, CF4, SiF4, C5F12,
CHF3, CCl2F2, SF6, HF

Nitrure de silicium (Si3N4)

CF4 + Ar, CF4 + O2, CF4 + H2

Métaux

Aluminium (Al)

CCl4 ou BCl3 + He ou Ar

Chrome (Cr)

CCl4

Oxyde de chrome (CrO3)

Cl2 + Ar ou CCl4 + Ar

Arséniure de gallium (GaAs)

CCl2F2

Vanadium (V)

CF4

Titane (Ti)

CF4

Tantale (Ta)

CF4

Molybdène (Mo)

CF4

Tungstène (W)

CF4

Une autre méthode est celle du bain à micro-ondes, dans lequel une décharge de micro-ondes à haute intensité produit des atomes métastables à longue durée de vie qui attaquent les matériaux presque à la manière d’un acide.

Les procédés physiques sont comparables à un sablage: ils consistent à bombarder physiquement la couche à éliminer avec des atomes d’argon. Un système de pompe à vide évacue le matériau détaché. La gravure aux ions réactifs est une combinaison de procédés d’attaque chimiques et physiques.

La pulvérisation cathodique agit par impact ionique et transfert d’énergie. Dans un système à pulvérisation, la plaquette est reliée à l’électrode négative, appelée cible, d’un circuit à décharge luminescente. Le matériau est chassé de la plaquette par l’impact d’ions positifs, généralement d’argon, qui provoquent la dislocation des atomes de surface. L’énergie est fournie par une source d’ondes RF, d’une fréquence de 450 kHz. Un système de pompe à vide maintient le système en dépression et extrait les réactifs.

La gravure et l’usinage par faisceau ionique sont des procédés d’attaque doux employant un faisceau d’ions à faible énergie. Le système comprend une source qui produit le faisceau, une chambre de travail dans laquelle l’attaque ou l’usinage se déroulent, un montage à plaque cible pour maintenir la plaquette dans le faisceau d’ions, un système de pompe à vide ainsi que l’électronique et les instruments de contrôle associés. Le faisceau d’ions est extrait d’un gaz ionisé (argon ou argon/oxygène), ou plasma, créé par une décharge électrique. Cette décharge est obtenue par application d’une tension entre une cathode à filament chaud émettrice d’électrons et un cylindre anode situé sur le diamètre extérieur de la zone de décharge.

L’usinage par faisceau d’ions s’effectue dans la plage de faible énergie du bombardement ionique, dans laquelle seules des interactions de surface se produisent. Les ions, qui se situent généralement dans la plage de 500 à 1 000 électronvolts (eV), viennent frapper une cible dont ils chassent les atomes de surface en brisant les forces qui les lient à leurs voisins. La gravure par faisceau d’ions s’effectue dans une plage d’énergie légèrement supérieure, avec une dislocation plus vigoureuse des atomes de surface.

La gravure par ions réactifs est une combinaison de la pulvérisation physique et de l’attaque par agents chimiques à faible pression. Cette technique met en œuvre à la fois un bombardement ionique pour obtenir une attaque directionnelle et un gaz chimiquement réactif, le tétrafluorure de carbone (CF4) ou le tétrachlorure de carbone (CCl4), pour maintenir une bonne sélectivité des couches éliminées. On place une plaquette dans une chambre dont l’atmosphère est un gaz réactif à une pression faible d’environ 0,1 torr (1,3 × 10–4 atmosphères). Une décharge électrique crée un plasma de «radicaux libres» réactifs (ions) dotés d’une énergie de quelques centaines d’électronvolts. Les ions frappent perpendiculairement la surface de la plaquette, où ils réagissent en formant des produits volatils qui sont évacués par un système d’aspiration basse pression.

Les graveuses à sec comportent parfois un cycle de nettoyage pour évacuer les dépôts accumulés à l’intérieur des chambres de réaction. Parmi les composés utilisés pour produire le plasma du cycle de nettoyage figurent le trifluorure d’azote (NF3), l’hexafluoroéthane (C2F6) et l’octafluoropropane (C3F8).

Ces trois gaz employés dans l’opération de nettoyage, ainsi que beaucoup d’autres utilisés dans le procédé d’attaque, sont la cause d’un problème environnemental que doit résoudre l’industrie des semi-conducteurs, jeune industrie apparue au milieu des années quatre-vingt-dix. Ces gaz à forte teneur en fluor, appelés composés perfluorés (CPF), sont soupçonnés de favoriser le réchauffement de la planète par effet de serre. Compte tenu de la durée de vie dans l’atmosphère, des CPF comme les NF3, C2F6, C3F8, CF4, le trifluorométhane (CHF3) et l’hexafluorure de soufre (SF6), de leur contribution à l’effet de serre ainsi que de l’augmentation rapide de leur consommation, l’industrie des semi-conducteurs a dû étudier les possibilités de réduire leurs émissions.

Il est apparu que les émissions atmosphériques de CPF provenant de l’industrie des semi-conducteurs résultaient d’un mauvais rendement des appareils (dont certains ne consommaient effectivement que de 10 à 40% du gaz utilisé) et de l’insuffisance des systèmes de limitation des rejets dans l’air. Les épurateurs par voie humide, en effet, n’éliminent pas efficacement les CPF, et les essais effectués sur de nombreuses unités d’incinération ont révélé une faible efficacité d’élimination pour certains gaz, notamment le CF4. Dans beaucoup de cas, ces installations d’incinération décomposaient en fait le C2F6 et le C3F8 en CF4. En outre, le coût d’investissement élevé de ces équipements, leur forte consommation énergétique, le fait qu’ils laissent passer aussi d’autres gaz à effet de serre et qu’ils émettent de dangereux polluants comme sous-produits de combustion ont conduit à conclure que l’incinération n’est pas une méthode satisfaisante de réduction des émissions de CPF.

C’est pourquoi l’augmentation du rendement des équipements de production, la recherche et la mise au point de solutions de remplacement plus écologiques à ces gaz d’attaque à sec ainsi que la récupération et le recyclage des gaz usagés sont devenus les grands axes de travail dans la stratégie de lutte contre la pollution dans le domaine des gaz d’attaque à sec.

En matière de santé au travail, le principal problème que soulèvent les agents d’attaque à sec est le risque d’exposition pour le personnel de maintenance intervenant sur les chambres de réaction, les pompes et les autres équipements pouvant contenir des résidus de produits de réaction. La complexité des machines à graver les métaux par plasma et la difficulté à décrire les odeurs rencontrées lors de leur maintenance ont obligé à effectuer de nombreuses études visant à améliorer la sécurité du personnel.

Les produits de réaction formés dans ces appareils sont un mélange complexe de composés chlorés et fluorés. La maintenance des appareils implique souvent des opérations de courte durée au cours desquelles on perçoit de fortes odeurs. On a constaté que l’hexachloroéthane était la cause majeure des émanations dans un certain type de machines à graver l’aluminium (Helb et coll., 1983). Dans un autre, le chlorure de cyanogène était le problème principal: les niveaux d’exposition atteignaient onze fois la limite d’exposition professionnelle de 0,3 ppm (Baldwin, 1985). Dans d’autres types encore, c’est le chlorure d’hydrogène qui est associé aux émanations. L’exposition maximale mesurée lors d’une étude (Baldwin, Rubin et Horowitz, 1993) était de 68 ppm. On trouvera des informations complémentaires sur ce sujet dans Mueller et Kunesh (1989).

Compte tenu de la complexité des composés chimiques présents à la sortie des machines à graver les métaux, les chercheurs se sont efforcés de mettre au point des méthodes expérimentales destinées à déterminer la toxicité de ces mélanges (Bauer et coll., 1992b). Les résultats d’études effectuées sur des rongeurs semblent indiquer que ces mélanges chimiques pourraient être des agents mutagènes (Bauer et coll., 1992a) et des toxiques pour la reproduction (Schmidt et coll., 1995).

Etant donné que les machines à graver fonctionnent en systèmes fermés, les opérateurs ne sont généralement pas susceptibles d’être exposés aux produits chimiques en cours d’utilisation. Une rare exception à ce principe est le cas des anciens modèles, dont le cycle de purge n’est pas assez long pour permettre d’évacuer intégralement les gaz d’attaque. Ainsi, on a relevé au moment de l’ouverture des portes des expositions brèves, mais irritantes, à des composés fluorés présents à des concentrations inférieures à la limite de détection permise par les procédures normales des contrôles d’ambiance dans ce secteur. Il suffit en principe pour corriger ce phénomène d’augmenter la durée du cycle de purge qui précède l’ouverture de l’appareil.

La principale préoccupation en matière d’exposition des opérateurs à l’énergie des ondes RF concerne la gravure et la calcination au plasma (Cohen, 1986; Jones, 1988). En général, les fuites d’énergie RF peuvent avoir pour origine les points ci-après:

Une exposition aux RF peut également se produire à l’occasion de la maintenance des appareils, en particulier lorsque l’enceinte est déposée. On a mesuré une valeur de 12,9 mW/cm2 au sommet d’un ancien modèle d’appareil au plasma dont le capot avait été déposé pour maintenance (Horowitz, 1992). Par contre, le niveau réel des fuites relevé à l’endroit où se tient l’opérateur était en général inférieur à 4,9 mW/cm2.

Le dopage

La formation d’une jonction ou d’une barrière électrique entre les zones p et n d’une plaquette de silicium cristallin est la base du fonctionnement des semi-conducteurs. Les jonctions permettent au courant de circuler beaucoup plus facilement dans un sens que dans l’autre. C’est selon ce principe que fonctionnent les diodes et les transistors de tous les semi-conducteurs. Dans un circuit intégré, une quantité contrôlée d’impuretés élémentaires, appelées dopants, doit être introduite dans certaines zones gravées sélectionnées du substrat de silicium que forme la plaquette. Les techniques de diffusion ou d’implantation ionique peuvent être employées à cet effet. Quelle que soit la technique utilisée, les dopants servant à former les jonctions sont les mêmes. Le tableau 83.5 identifie les principaux dopants, leur état physique, leur type électrique (p ou n), et la principale technique de réalisation des jonctions, diffusion ou implantation ionique.

Tableau 83.5 Dopants pour création de jonctions par diffusion et implantation
ionique

Elément

Composé

Formule

Etat

Technique

Type n

Antimoine

Trioxyde d’antimoine

Sb2O3

Solide

Diffusion

Trichlorure d’antimoine

SbCl3

Liquide

Diffusion

Arsenic

Trioxyde d’arsenic

As2O3

Solide

Diffusion

Trioxyde d’arsenic

As2O3

Liquide

Diffusion — centrifugation

Arsine

AsH3

Gazeux

Diffusion et implantation ionique

Pentafluorure d’arsenic

AsF5

Gazeux

Implantation ionique

Phosphore

Pentoxyde de phosphore

P2O5

Solide

Diffusion

Pentoxyde de phosphore

P2O5

Liquide

Diffusion — centrifugation

Tribromure de phosphore

PBr3

Liquide

Diffusion

Trichlorure de phosphore

PCl3

Liquide

Diffusion

Oxychlorure de phosphore

POCl3

Liquide

Diffusion

Phosphine

PH3

Gazeux

Implantation ionique

Pentafluorure de phosphore

PF5

Gazeux

Implantation ionique

Type p

Bore

Nitrure de bore

BN

Solide

Diffusion

Tribromure de bore

BBr3

Liquide

Diffusion

Trioxyde de bore

B2O3

Solide

Diffusion

Trioxyde de bore

B2O3

Liquide

Diffusion — centrifugation

Borate de triéthyle

B(COC2 H5)3

Liquide

Diffusion — centrifugation

Tétrabromure de silicium

SiBr4

Liquide

Diffusion

Trichlorure de bore

BCl3

Liquide

Diffusion — implantation ionique

Trifluorure de bore

BF3

Gazeux

Implantation ionique

Diborane

B2H6

Gazeux

Implantation ionique

Les expositions régulières aux produits chimiques subies aussi bien par les opérateurs des fours que par ceux des équipements d’implantation ionique sont faibles, en général inférieures aux limites des normes de prélèvement des procédures normales de contrôle d’hygiène. Les préoccupations en matière de santé concernent surtout les risques d’émissions de gaz toxiques.

Dès les années soixante-dix, les fabricants de semi-conducteurs soucieux de progrès ont commencé à installer les premiers systèmes de contrôle continu des gaz inflammables et toxiques. Le principal but de cette surveillance était de détecter les émissions accidentelles des gaz dopants les plus toxiques (arsine et diborane, par exemple) à des seuils olfactifs dépassant les limites d’exposition professionnelle.

La plupart des dispositifs de surveillance de l’air sont destinés, dans l’industrie des semi-conducteurs, à détecter les fuites de gaz inflammables et toxiques. Toutefois, on trouve dans certaines usines des appareils servant à:

Les technologies les plus employées dans l’industrie des semi-conducteurs pour ce type de surveillance sont la détection colorimétrique des gaz (par exemple, détecteur de gaz permanent MDA), les capteurs électrochimiques (par exemple, détecteurs sensidyne) et les systèmes infrarouges par transformée de Fourier (par exemple, Telos ACM) (Baldwin et Williams, 1996).

La diffusion

Le terme diffusion désigne le déplacement des dopants depuis les régions de forte concentration situées du côté source du four de diffusion vers celles de faible concentration qui se trouvent dans la plaquette de silicium. La diffusion est la méthode la plus répandue de formation des jonctions.

Cette technique consiste à placer la plaquette dans une atmosphère chauffée au sein d’un four de diffusion. Dans ce four qui contient, sous forme de vapeur, les dopants voulus se forment les zones d’activité électrique dopées soit positives, soit négatives (p ou n). Les dopants les plus employés sont le bore pour le type p et, pour le type n, le phosphore (P), l’arsenic (As) ou l’antimoine (Sb) (voir tableau 83.5).

En général, les plaquettes sont empilées dans un support en quartz, la nacelle, que l’on place dans le four de diffusion. Ce four contient un long tube de quartz et un système de réglage précis de la température. Ce réglage est d’une extrême importance puisque c’est de lui que dépend avant tout le taux de diffusion des différents dopants. Les températures mises en œuvre vont de 900 à 1 300 °C, selon le dopant et le procédé employés.

Le fait de porter la plaquette à une température élevée permet aux atomes d’impuretés de diffuser lentement dans la structure cristalline. Les impuretés migrent plus lentement dans le dioxyde de silicium que dans le silicium lui-même. La mince couche d’oxyde fait donc office de masque en ne laissant le dopant pénétrer dans le silicium qu’aux endroits où ce dernier n’est pas protégé. Lorsque la quantité d’impuretés accumulées est suffisante, on retire les plaquettes du four, ce qui met fin à la diffusion.

Pour un contrôle maximal, la diffusion s’effectue dans la plupart des cas en deux étapes — la prédiffusion et la pénétration. La première opération, la prédiffusion, ou diffusion à source constante, a lieu dans un four dont la température est réglée en vue d’obtenir le meilleur contrôle des quantités d’impuretés. C’est la température qui détermine la solubilité du dopant. Après un traitement par prédiffusion relativement court, la plaquette passe dans un second four, généralement à température plus élevée, dans lequel un deuxième traitement thermique fait pénétrer le dopant à la profondeur désirée dans la structure du silicium de la plaquette.

Les sources de dopants utilisées dans la phase de prédiffusion se présentent dans trois états distincts: gazeux, liquide et solide. Le tableau 83.5 indique les différents types de dopants et leur état physique.

Les gaz, qui proviennent généralement de bouteilles équipées de détendeurs et de dispositifs de réglage de pression, de robinets d’arrêt et de divers accessoires de purge, sont distribués par des tubes métalliques de faible diamètre.

Les liquides proviennent généralement de barboteurs, dans lesquels un gaz porteur, habituellement l’azote, se sature des vapeurs dopantes du liquide, de la façon décrite dans la partie traitant de l’oxydation humide. Une autre forme d’apport de liquide est la centrifugation, qui consiste à dissoudre un dopant solide dans un solvant porteur, à déposer la solution sur la plaquette, puis à mettre celle-ci en rotation d’une manière analogue à l’application des résines photosensibles.

Les sources solides peuvent être, par exemple, des plaquettes de nitrure de bore, que l’on intercale entre deux plaquettes de silicium à doper, l’ensemble étant ensuite introduit dans un four de diffusion. On trouve également des dopants solides (trioxyde d’arsenic) sous forme pulvérulente ou granuleuse, qui peuvent être placés dans une enceinte en quartz, la bombe, versés manuellement du côté source d’un tube de diffusion, ou chargés dans un four source séparé, relié au four de diffusion principal.

Faute de moyens de prévention appropriés, des niveaux d’expositions à l’arsenic excédant 0,01 mg/m3 ont été signalés lors du nettoyage d’un four de déposition (Wade et coll., 1981) et au cours du nettoyage des chambres sources d’implanteurs ioniques à dopant solide (McCarthy, 1985; Baldwin, King et Scarpace, 1988). Ces expositions se produisaient si des précautions suffisantes n’étaient pas prises pour limiter la quantité de poussières dans l’air. En revanche, lorsque les résidus étaient maintenus humides pendant le nettoyage, les expositions étaient ramenées à un niveau très inférieur aux limites.

Avec les équipements de technologie ancienne, il existe des dangers lors de la dépose, du nettoyage et de l’installation des tubes des fours. Parmi ces dangers figurent les risques de coupures dus à la manipulation d’objets en quartz brisés, et les brûlures par l’acide au cours du nettoyage manuel. Dans les équipements plus modernes, ces dangers sont réduits grâce à un nettoyage du tube en place, qui supprime une grande partie des manipulations.

Les opérateurs des fours de diffusion sont les travailleurs les plus exposés de façon régulière aux champs électromagnétiques à fréquence extrêmement basse (entre 50 et 60 Hz) employés dans la fabrication des semi-conducteurs. On a rapporté des expositions moyennes supérieures à 0,5 microteslas (5 milligauss) en exploitation réelle des fours (Crawford et coll., 1993). Cette étude en particulier indiquait en outre que l’exposition moyenne du personnel occupant des postes à proximité des fours de diffusion était nettement supérieure à celle du personnel travaillant dans d’autres salles blanches. Ce constat était en cohérence avec les mesurages ponctuels mentionnés par Rosenthal et Abdollahzadeh (1991), qui ont trouvé que les fours de diffusion donnaient des valeurs de proximité (à 5 cm de distance) pouvant atteindre 10 à 15 micro-teslas, les champs alentour diminuant plus graduellement avec l’éloignement de la source que dans le cas des autres équipements de salle blanche étudiés. Même à 1,80 m des fours de diffusion, les densités de flux rapportées étaient de 1,2 à 2 microteslas (Crawford et coll., 1993). Ces niveaux d’émission sont cependant nettement inférieurs aux limites d’exposition fixées par l’Organisation mondiale de la santé (OMS) et les organismes nationaux.

L’implantation ionique

L’implantation ionique est la méthode la plus récente d’introduction, à la température ambiante, d’éléments d’impuretés dans les plaquettes de silicium pour la formation des jonctions. Les atomes de dopant ionisés (c’est-à-dire des atomes auxquels ont été arrachés un ou plusieurs de leurs électrons) subissent une accélération jusqu’à un haut niveau d’énergie en traversant une différence de potentiel de plusieurs dizaines de milliers de volts. En fin de trajectoire, ils viennent frapper la plaquette et la pénètrent jusqu’à des profondeurs variées, qui dépendent de leur masse et de leur vélocité. Comme dans le procédé de diffusion classique, une impression d’oxyde ou de résine photosensible protège sélectivement la plaquette des ions.

Un système typique d’implantation ionique se compose d’une source d’ions (le dopant gazeux est généralement contenu dans de petits tubes à essai), d’un équipement d’analyse, d’un accélérateur, d’un objectif de concentration, d’un piège à faisceau de neutres, d’une chambre de traitement à balayage et d’un circuit de vide (normalement composé de trois ensembles séparés de pompes de prévidage et à vapeur d’huile). Le flux d’électrons est généré par résistance à partir d’un filament chaud, par un arc électrique ou par un faisceau d’électrons à cathode froide.

En général, après l’implantation, les plaquettes passent par une phase de recuit (entre 900 et 1 000 °C) par rayon laser ou par faisceau d’électrons pulsé. Ce recuit contribue à réparer les dommages causés à la surface de la plaquette par le bombardement d’ions dopants.

Avec l’introduction des bouteilles de sécurité pour la distribution de l’arsine, de la phosphine et du trifluorure de bore utilisés dans les implanteurs ioniques, le risque d’émission catastrophique de ces gaz a été considérablement réduit. Ces petites bouteilles sont remplies d’un produit dans lequel les gaz sont adsorbés. On les extrait de la bouteille par pompage.

Les appareils d’implantation ionique sont parmi ceux qui présentent les plus sérieux risques électriques dans l’industrie des semi-conducteurs. Même après coupure de l’alimentation, il subsiste dans l’appareil un fort potentiel électrique pouvant causer l’électrocution, qu’il est nécessaire de dissiper avant d’intervenir à l’intérieur de celui-ci. Une étude attentive des opérations de maintenance et des dangers électriques est certes impérative pour tout matériel nouvellement installé, mais elle l’est tout particulièrement pour ces appareils.

Des expositions aux hydrures (probablement un mélange d’arsine et de phosphine) atteignant 60 particules par milliard (ppM) ont été relevées lors de la maintenance de la cryopompe d’un appareil d’implantation ionique (Baldwin, Rubin et Horowitz, 1993). Flipp, Hunsaker et Herring (1992) rapportent également de fortes concentrations à la fois d’arsine et de phosphine provenant de parties contaminées d’un tel appareil, déposées pour maintenance préventive.

Pour le nettoyage des surfaces de travail contaminées par l’arsenic dans les zones d’implantation ionique, on utilise des aspirateurs équipés de filtres à particules à haute efficacité. On a relevé des expositions supérieures à 1 000 µg/m3 dans le cas d’aspirateurs de ce type mal entretenus. Ces aspirateurs, lorsqu’ils rejettent leur air dans les lieux de travail, peuvent aussi répandre largement l’odeur caractéristique des hydrures associée au nettoyage des lignes d’implantation ionique (Baldwin, Rubin et Horowitz, 1993).

Malgré l’attention portée à cette question, aucun rapport publié ne fait état d’expositions significatives lors des changements d’huile des pompes à vide utilisées pour les dopants, peut-être parce que ces interventions ont généralement lieu en circuit fermé. L’absence d’expositions signalées peut également être due aux faibles niveaux d’émission d’hydrures gazeux provenant de l’huile usagée.

Les résultats d’une étude de terrain au cours de laquelle on avait chauffé 700 ml d’huile usagée d’une pompe de prévidage d’un appareil d’implantation ionique employant à la fois arsine et phosphine ne révèlent de concentrations détectables d’hybrides en suspension dans l’air dans la cavité de pompage que lorsque la température de l’huile dépasse 70 °C (Baldwin, King et Scarpace, 1988). Etant donné que les températures de fonctionnement normales des pompes de prévidage sont de 60 à 80 °C, cette étude ne conclut pas à un risque d’exposition important.

L’opération d’implantation ionique cause incidemment la formation de rayons X. L’armoire de la plupart des appareils est conçue pour offrir un blindage suffisant (revêtement en plomb judicieusement disposé autour du logement de la source d’ions et des portes d’accès adjacentes) pour maintenir l’exposition du personnel à un niveau inférieur à 2,5 microsieverts (0,25 millirems) par heure (Maletskos et Hanley, 1983). On a par contre relevé sur un ancien modèle d’appareil des fuites de rayons X dépassant 20 microsieverts par heure (µSv/h) à la surface de l’appareil (Baldwin, King et Scarpace, 1988). Ces niveaux ont été ramenés à moins de 2,5 µSv/h après installation d’un écran de plomb complémentaire. Un autre modèle ancien présentait des fuites de rayons X autour d’une porte (jusqu’à 15 µSv/h) et à un hublot (jusqu’à 3 µSv/h). Un écran supplémentaire a été installé pour atténuer les expositions éventuelles (Baldwin, Rubin et Horowitz, 1993).

Outre les expositions aux rayons X, on a émis l’hypothèse d’une formation de neutrons dans les appareils ioniques si ceux-ci fonctionnent au-dessus de 8 millions d’électronvolts (MeV), ou si le deutérium est employé comme source d’ions (Rogers, 1994). Cependant, ces appareils sont généralement conçus pour fonctionner nettement au-dessous de 8 MeV, et le deutérium n’est pas d’un usage courant dans l’industrie (Baldwin et Williams, 1996).

Le dépôt chimique en phase vapeur

Le dépôt chimique en phase vapeur (Chemical Vapour Deposition (CVD)) consiste à déposer une couche de matériau supplémentaire à la surface de la plaquette de silicium. Les appareils de CVD fonctionnent généralement en système fermé et ne provoquent donc que peu ou pas d’exposition des opérateurs aux produits chimiques. Une brève exposition au chlorure d’hydrogène supérieure à 5 ppm peut toutefois se produire lors du nettoyage de certains pré-épurateurs de cette catégorie (Baldwin et Stewart, 1989). Deux grandes méthodes de dépôt sont couramment employées dans ce domaine, le dépôt épitaxial, et la méthode plus générale de dépôt non épitaxial.

Le dépôt chimique épitaxial en phase vapeur

La croissance épitaxiale est la déposition étroitement contrôlée d’un mince film monocristallin de matériau conservant la même structure cristalline que la couche de substrat existant sur la plaquette. On obtient ainsi une matrice pour la fabrication des semi-conducteurs dans les processus de diffusion ultérieurs. La plupart des films épitaxiaux sont formés sur des substrats du même matériau, silicium sur silicium par exemple, procédé qu’on appelle homoépitaxie. La formation de couches de matériaux différents de celui du substrat, silicium sur saphir, par exemple, est l’hétéroépitaxie.

Trois techniques de base sont employées pour la formation des couches épitaxiales: en phase vapeur, en phase liquide et par faisceau moléculaire. Les épitaxies en phase liquide et par faisceau moléculaire servent surtout dans la fabrication des semi-conducteurs III-V (GaAs, par exemple). Elles sont évoquées dans l’article «La fabrication des semi-conducteurs III-V» de ce présent chapitre.

L’épitaxie en phase vapeur sert à former un film par dépôt de molécules à une température de 900 à 1 300 °C. On fait passer des vapeurs contenant le silicium et des quantités contrôlées de dopants p et n dans un gaz porteur (habituellement l’hydrogène) sur des plaquettes chauffées où elles déposent des couches dopées de silicium. Ce processus se déroule généralement à la pression atmosphérique.

Le tableau 83.6 récapitule les quatre types principaux d’épitaxie en phase vapeur du silicium, les paramètres correspondants et les réactions chimiques qui se produisent. La séquence de déposition habituellement suivie comprend les étapes ci-après:

Tableau 83.6 Principales catégories d'épataxie en phase vapeur du silicium

Paramètres

Pression

Atmosphérique

Température

900-1 300 °C

Sources de silicium

Silane (SiH4), tétrachlorure de silicium (SiCl4), trichlorosilane (SiHCl3) et dichlorosilane (SiH2Cl2)

Gaz dopants

Arsine (AsH3), phosphine (PH3), diborane (B2H6)

Concentration de gaz dopant

~100 ppm

Gaz de gravure

Chlorure d’hydrogène (HCl)

Concentration de gaz de gravure

~1-4%

Gaz porteurs

Hydrogène (H2), azote (N2)

Source de chaleur

Radio-fréquence (RF) ou infrarouge (IR)

Types d’épitaxie en phase vapeur

Réactions chimiques

Réduction du tétrachlorure de silicium par l’hydrogène (1 150-1 300 °C)

SiCl4 + 2H2 right arrow Si + 4HCl

Décomposition pyrolytique du silane (1 000-1 100 °C)

SiH4 right arrow Si + 2H2

Réduction du trichlorosilane par l’hydrogène

SiHCl3 + H2 right arrow Si + 3HCl

Réduction du dichlorosilane

SiH2Cl2 right arrow Si + 2HCl

Le dépôt chimique non épitaxial en phase vapeur

Alors que la formation épitaxiale est une forme très particulière de CVD dans laquelle la couche déposée a la même structure cristalline que le substrat, le CVD non épitaxial est la formation d’un composé stable sur un substrat chauffé par la réaction ou la décomposition thermiques de produits gazeux.

Le dépôt chimique en phase vapeur peut servir à traiter de nombreux matériaux; dans le traitement des semi-conducteurs au silicium, ceux que l’on rencontre sont, outre le silicium épitaxial:

Chacun de ces matériaux peut être déposé de différentes façons et a de nombreuses applications.

Le tableau 83.7 identifie les trois grandes catégories de CVD, différenciées par la température appliquée.

Tableau 83.7 Principales catégories de dépôt chimique en phase vapeur du
silicium (CVD)

Paramètres

Pression

Atmosphérique (APCVD) ou basse pression (LPCVD)

Température

500-1 100 °C

Sources de silicium et de nitrure

Silane (SiH4), tétrachlorure de silicium (SiCl4), ammoniac (NH3), oxyde nitreux (N20)

Sources de dopant

Arsine (AsH3), phosphine (PH3), diborane (B2H6)

Gaz porteurs

Azote (N2), hydrogène (H2)

Source de chaleur

Système à paroi froide — radio-fréquence (RF) ou infrarouge (IR)
Système à paroi chaude — résistance thermique

Type de CVD

Réaction

Gaz porteur

Température

Température moyenne (~ 600-1 100 °C)

Nitrure de silicium (Si3N4)

3SiH4 + 4 NH3 right arrow Si3N4 + 12H2

H2

900-1 100 °C

Polysilicium (poly Si)

SiH4 + chaleur right arrow Si + 2H2

H2
N2

850-1 000 °C
600-700 °C

Dioxyde de silicium (SiO2)

SiH4 + 4CO2 right arrow SiO2 + 4CO + 2H2O
2H2 + SiCl4 + CO2 right arrow SiO2 + 4HCl *
SiH4 + CO right arrow SiO2 + 2H2 *

N2
H2
H2

500-900 °C
800-1 000 °C
600-900 °C

Basse température (~ < 600 °C ) Silox, Pyrox, Vapox et Nitrox**

Dioxyde de silicium (SiO2 ou SiO2 dopé p)

 

 

 

Silox

SiH4 + 2O2 + dopant right arrow SiO2 + 2H2O

N2

200-500 °C

Pyrox

SiH4 + 2O2 + dopant right arrow SiO2 + 2H2O

N2

< 600 °C

Vapox

SiH4 + 2O2 + dopant right arrow SiO2 + 2H20

N2

< 600 °C

Nitrure de silicium (Si3N4)

 

 

 

Nitrox

3SiH4 + 4NH3 (ou N2O*) right arrow Si3N4 + 12H2

N2

600-700 °C

Basse température assistée par plasma (passivation) (< 600°C)

Avec application de fréquence radioélectrique (RF) ou pulvérisation cathodique

 

 

 

Dioxyde de silicium (SiO2)

SiH4 + 2O right arrow SiO2 + 2H20

 

 

Nitrure de silicium (Si3N4)

3SiH4 + 4NH3 (ou N2O*) right arrow Si3N4 + 12H2

 

 

* Les réactions ne sont pas stœchiométriquement équilibrées. ** Nom générique, commercial ou déposé des systèmes de réactifs de CVD.

Presque tous les types d’équipements de dépôt chimique en phase vapeur comportent les éléments ci-après:

L’opération de dépôt chimique en phase vapeur consiste fondamentalement à introduire dans la chambre de réaction des quantités contrôlées de gaz source de silicium ou de nitrure, associé à un gaz porteur comme l’azote ou l’hydrogène et, le cas échéant, un gaz dopant, pour obtenir la réaction. De la chaleur est fournie pour apporter l’énergie nécessaire à la réaction chimique, ainsi que pour maintenir les températures de surface du réacteur et des plaquettes au niveau voulu. La réaction terminée, le gaz source non consommé et le gaz porteur sont évacués par le système de traitement des effluents et rejetés dans l’atmosphère.

La passivation est un type fonctionnel de CVD. Elle consiste à former une couche protectrice d’oxyde à la surface de la plaquette de silicium. C’est généralement la dernière étape de la fabrication proprement dite, qui précède les opérations ultérieures. La couche déposée assure la stabilité électrique de la plaquette en isolant sa surface des conditions électriques et chimiques extérieures.

La métallisation

Une fois les circuits formés sur le substrat de silicium, ils doivent être reliés les uns aux autres pour assurer les fonctions désirées. On appelle cette opération la métallisation. Elle établit l’interconnexion électrique des couches supérieures des circuits intégrés sous la forme d’impressions complexes de pistes en matériaux conducteurs qui acheminent l’électricité au sein des circuits.

Selon la dimension et l’épaisseur des couches de métaux et d’autres matériaux déposées, le processus de métallisation au sens général se divise en trois catégories:

Les métaux les plus couramment utilisés pour la métallisation des semi-conducteurs au silicium sont l’aluminium, le nickel, le chrome ou un alliage appelé nichrome, l’or, le germanium, le cuivre, l’argent, le titane, le tungstène, le platine et le tantale.

Les couches, minces ou épaisses, peuvent également être réalisées par évaporation ou dépôt sur différents substrats de céramique ou de verre. Parmi ces substrats, citons l’oxyde d’aluminium (96% Al203), l’oxyde de béryllium (99% BeO), le verre au borosilicate, le pyrocéram et le quartz (SiO2).

La couche mince

La métallisation en couche mince est souvent appliquée par une technique de déposition ou d’évaporation sous vide poussé ou partiel. Les principaux procédés d’évaporation sous vide poussé sont l’évaporation par faisceau d’électrons, l’évaporation éclair et l’évaporation résistive, tandis que la déposition sous vide partiel est surtout effectuée par pulvérisation cathodique.

Quel que soit le type de métallisation sous vide en couche mince, le système comprend généralement les éléments de base ci-après:

L’évaporation par faisceau d’électrons emploie un faisceau d’électrons concentré pour chauffer le matériau de métallisation. Un faisceau d’électrons de forte intensité est produit d’une manière analogue à celle d’un tube cathodique de téléviseur. On accélère un flux d’électrons dans un champ électrique, généralement de 5 à 10 kV, et on le concentre sur le matériau à évaporer. Le faisceau d’électrons concentré fait fondre le matériau contenu dans un bloc refroidi par eau comportant un grand évidement appelé creuset. Ce matériau fondu se vaporise ensuite dans la chambre à vide et se condense sur les plaquettes froides, ainsi que sur toute la surface de la chambre. On effectue ensuite les opérations habituelles de dépôt de résine photosensible, d’exposition, de développement et d’attaque humide ou à sec pour former les circuits métallisés complexes.

L’évaporation éclair est une autre technique de dépôt de couches métallisées minces. Elle est surtout employée lorsqu’il faut faire évaporer simultanément deux matériaux en mélange (alliages). Le nickel-chrome (nichrome), le chrome-monoxyde de silicium et l’aluminium-silicium sont des exemples de matériaux de dépôt à deux composants.

Dans l’évaporation éclair, on chauffe par résistance un barreau de céramique et on met en contact avec le filament chaud ou le barreau un fil se déroulant en continu d’une bobine, un flux de granulés ou une poudre déplacée par vibrations. Les métaux vaporisés viennent alors revêtir les surfaces intérieures de la chambre et les plaquettes.

L’évaporation résistive (également appelée évaporation par filament) est la technique de dépôt la plus simple et la moins coûteuse. Elle est obtenue par une augmentation progressive du courant circulant dans un filament. La chaleur fait fondre d’abord le matériau à vaporiser, qui vient mouiller le filament; on augmente ensuite le courant qui y circule jusqu’à ce que la vaporisation se produise. Le principal avantage de cette méthode est qu’elle permet de vaporiser une grande diversité de matériaux.

Des travaux de maintenance sont parfois effectués sur la surface intérieure des chambres de dépôt des évaporateurs à faisceau d’électrons, appelées cloches. Les techniciens risquent de fortes expositions lorsqu’ils doivent introduire la tête dans les cloches, en particulier pour éliminer les résidus métalliques qui s’y sont déposés. On a par exemple relevé des expositions nettement supérieures aux valeurs limites pour l’argent en suspension dans l’air lors de l’élimination des résidus d’un évaporateur utilisant ce métal (Baldwin et Stewart, 1989).

Le nettoyage des résidus des cloches avec des solvants organiques présente également un risque élevé d’exposition à ces produits. Des expositions au méthanol de plus de 250 ppm ont été constatées lors de ce type de nettoyage. Ce risque disparaît si l’on utilise de l’eau à la place du méthanol (Baldwin et Stewart, 1989).

Le procédé de pulvérisation cathodique , qui se déroule dans une atmosphère gazeuse à basse pression ou sous vide partiel, emploie soit un courant électrique continu (pulvérisation CC), soit un courant alternatif RF comme source de haute énergie. Dans ce procédé, des ions d’un gaz inerte, l’argon, sont introduits dans une chambre à vide après qu’un niveau de vide suffisant a été réalisé par une pompe de prévidage. Un champ électrique est créé par application d’une tension élevée, en général 5 000 V, entre deux plaques de charge opposée. Cette décharge à haute énergie ionise les atomes d’argon, qui se déplacent à haute vitesse vers l’une des plaques appelée cible. En frappant la cible, faite du matériau à déposer, ils en délogent et dispersent les atomes ou les molécules. Les atomes de matériau de métallisation ainsi délogés se déposent ensuite en un film mince sur les substrats de silicium placés en face de la cible.

On a constaté que les fuites RF par les côtés et l’arrière de nombreux appareils de pulvérisation dépassaient les limites d’exposition professionnelle (Baldwin et Stewart, 1989). La plupart de ces fuites étaient imputables à des fentes dans les armoires provoquées par la dépose répétée des panneaux de maintenance. Sur les nouveaux modèles du même fabricant, des panneaux garnis de grillage aux raccordements ramènent les fuites à un niveau négligeable. Il est possible d’ajouter ce grillage sur les anciens appareils, ou bien d’en recouvrir les raccordements avec une bande de cuivre pour réduire les fuites.

La couche épaisse

De par leur structure et leurs dimensions, les couches épaisses, en général, ne sont pas compatibles avec la métallisation des circuits intégrés, surtout en raison de contraintes dimensionnelles. Cette technique est surtout utilisée pour fabriquer les structures électroniques hybrides, comme les affichages à cristaux liquides.

La sérigraphie est la méthode dominante d’application des couches épaisses. Les matériaux généralement employés pour réaliser celles-ci sont le palladium, l’argent, le dioxyde de titane et le verre, l’or-platine et le verre, l’or-verre et l’argent-verre.

Les couches épaisses résistives sont en principe déposées et formées sur un substrat céramique par les techniques sérigraphiques. Le cermet est une forme de couche de ce type, constituée d’une suspension de particules métalliques conductrices dans une matrice céramique chargée d’une résine organique. Les structures cermet typiques sont composées de chrome, d’argent ou d’oxyde de plomb dans une matrice de monoxyde ou de dioxyde de silicium.

Le placage

Les techniques de placage employées pour former des couches métalliques sur des substrats de semi-conducteurs se rangent dans deux types principaux: le dépôt électrolytique et le dépôt chimique (non électrolytique).

Dans le dépôt électrolytique , le substrat à plaquer est placé à la cathode, c’est-à-dire à la borne à charge négative du bac de placage et il est plongé dans une solution électrolytique. Une électrode composée du métal de placage sert d’anode (borne à charge positive). Lorsqu’on fait circuler un courant continu dans cette solution, les ions métalliques chargés positivement, qui se dissolvent dans le bain à partir de l’anode, migrent vers la cathode (substrat) où ils se déposent. Cette méthode est employée pour former des couches conductrices d’or et de cuivre.

Dans le dépôt chimique , on utilise une réduction et une oxydation simultanées du métal de placage pour obtenir un atome ou une molécule métalliques libres. Etant donné que cette méthode ne nécessite pas de conduction électrique en cours de placage, elle peut être employée avec les substrats de type isolant. Les métaux les plus couramment déposés selon cette technique sont le nickel, le cuivre et l’or.

Les opérations d’alliage et de recuit

Après dépôt et gravure des interconnexions métallisées, on peut effectuer une opération finale d’alliage et de recuit. L’alliage consiste à placer les substrats métallisés, habituellement avec de l’aluminium, dans un four de diffusion à basse température, pour assurer un contact à faible résistance entre l’aluminium et le substrat en silicium. Enfin, pendant l’opération d’alliage ou immédiatement après, les plaquettes sont souvent exposées à un mélange gazeux comprenant de l’hydrogène dans un four de diffusion à une température de 400 à 500 °C. L’étape de recuit sert à optimiser et à stabiliser les caractéristiques du semi-conducteur en combinant l’hydrogène avec les atomes non liés se trouvant à l’interface silicium-dioxyde de silicium ou à proximité.

Le polissage et la métallisation de la face arrière

Il existe également une étape facultative du traitement de métallisation appelée le polissage de la face arrière. Elle consiste à polir ou à amincir la face arrière de la plaquette par pulvérisation d’une solution abrasive. On peut également revêtir cette même face d’un métal, l’or par exemple, pour faciliter la fixation de la puce au boîtier lors de l’assemblage final.

L’assemblage et les essais

Les opérations hors fabrication, qui concernent la pose du boîtier, les fixations, l’encapsulage, l’assemblage et les essais, se déroulent généralement hors des lieux de production, et sont souvent effectuées dans les pays d’Asie du Sud-Est, où ces tâches, qui demandent beaucoup de main-d’œuvre, sont moins coûteuses. En outre, les exigences en matière de qualité de l’air et de teneur en particules sont généralement différentes (il n’est pas nécessaire de disposer d’une salle blanche) dans les zones autres que celles de production. Ces étapes finales de la fabrication comprennent des opérations de brasage, de dégraissage, d’essais avec sources de produits chimiques et de rayonnements, et de décoration et marquage au laser.

Dans l’industrie des semi-conducteurs, le brasage tendre n’est généralement pas à l’origine de fortes expositions au plomb. Pour éviter que la chaleur n’endommage le circuit intégré, la température de la soudure est maintenue à une valeur nettement inférieure à celle à laquelle le plomb fondu dégage d’importantes fumées (430 °C). En revanche, le nettoyage du matériel de brasage tendre, par raclage ou brossage des résidus plombifères, peut conduire à des expositions supérieures à 50 µg/m3 (Baldwin et Stewart, 1989). En outre, des expositions au plomb de 200 µg/m3 ont été constatées suite à des techniques défectueuses d’élimination des crasses lors d’opérations de soudage à la vague (Baldwin et Williams, 1996).

Un aspect de plus en plus étudié des opérations de brasage tendre est celui des irritations des voies respiratoires et des cas d’asthme dus à l’exposition aux produits de pyrolyse des flux employés, notamment lors du brasage manuel ou des opérations de retouche, dans lesquelles, traditionnellement, l’extraction locale des fumées est peu utilisée (contrairement au soudage à la vague, qui, depuis une vingtaine d’années, est effectué en enceinte fermée avec extraction) (Goh et Ng, 1987). On se référera à l’article «Le montage des cartes à circuit imprimé et l’assemblage des ordinateurs» pour de plus amples informations.

Etant donné que la colophane des flux de brasage est un agent sensibilisateur, toute exposition à celle-ci doit être abaissée à un niveau aussi faible que possible, quels que soient les résultats des prélèvements. Les nouvelles installations de brasage tendre, en particulier, doivent comporter une ventilation avec aspiration localisée des fumées lorsque l’opération doit se prolonger sur de longues durées (par exemple, plus de 2 heures).

Les fumées dégagées par le brasage manuel montent verticalement sous l’effet des courants thermiques et entrent dans l’espace respiratoire du travailleur lorsque celui-ci se penche sur la partie à braser. On limite habituellement ces émissions par un système d’aspiration local à vitesse élevée et à faible débit, monté à la pointe du fer à souder.

Les systèmes renvoyant l’air filtré dans l’espace de travail peuvent, faute d’une filtration adéquate, provoquer une pollution secondaire susceptible de toucher dans l’atelier d’autres personnes que les soudeurs eux-mêmes. L’air filtré ne doit pas être renvoyé dans l’atelier, sauf si les opérations de brasage sont limitées en volume et que la salle a une aération générale suffisante pour permettre une dilution des produits.

Le tri et les essais des plaquettes

Lorsque la fabrication des plaquettes est achevée, chacune d’elles fait l’objet d’un tri au cours duquel le circuit intégré de chaque dé ou puce est testé électriquement par des sondes sous contrôle d’un ordinateur. Une même plaquette peut contenir une à plusieurs centaines de dés ou puces, qui doivent tous être testés. Les essais terminés, les dés reçoivent un marquage physique d’une résine monocomposant apposé automatiquement. Les marques de couleur bleue et rouge identifient les puces non conformes aux spécifications électriques voulues.

La séparation des dés

Une fois les puces ou circuits de la plaquette testés, marqués et triés, les dés doivent être physiquement séparés. Plusieurs méthodes ont été mises au point à cet effet: découpe au diamant, au laser et à la roue diamantée.

La découpe au diamant, la plus ancienne de ces méthodes, consiste à rayer la surface, à l’aide d’une pointe diamantée de forme précise, en suivant la ligne de découpe séparant les dés individuels à la surface de la plaquette. Le long de cette ligne de rupture, on peut ensuite briser la plaquette par flexion.

La découpe par laser est une technique de séparation relativement récente. Le rayon, fourni par un laser pulsé au néodymium-yttrium de forte puissance, creuse le long des lignes de découpe une rainure qui sert de ligne de rupture.

Une autre méthode très employée pour la séparation des dés est le sciage humide des substrats le long des lignes de découpe, pratiqué au moyen d’une scie circulaire diamantée tournant à grande vitesse. Il peut s’agir d’un sciage partiel (entaille) ou complet (découpe) du substrat en silicium. Ce procédé produit des boues contenant le matériau enlevé.

La fixation et le collage des puces

La puce individuelle doit être fixée sur un boîtier et un cadre de branchement. Les boîtiers sont généralement en matériau isolant (matière céramique ou plastique). La céramique est souvent de l’oxyde d’aluminium (Al2O3), mais il peut aussi s’agir d’oxyde de béryllium (BeO) ou de stéatite (MgO-SiO2). Les matériaux plastiques employés pour les boîtiers sont soit des thermoplastiques, soit des résines thermodurcissables.

La puce est généralement fixée par l’un des trois systèmes suivants: soudage eutectique, collage sur préformé et collage par époxy. Le soudage eutectique utilise un alliage de brasage eutectique, par exemple l’or-silicium. Il consiste à prédéposer une couche d’or métallique sur la face arrière de la puce, à chauffer le boîtier à une température supérieure au point d’eutexie (370 °C pour l’or-silicium) puis à y poser la puce; il y a alors soudage entre la puce et le boîtier.

Le collage sur préformé utilise une petite cale d’un matériau de composition spéciale, adhérant à la fois à la puce et au boîtier. On place ce préformé à l’endroit du boîtier où doit prendre place la puce, et on le fait fondre. On pose alors la puce avec un effet combiné pression-frottement sur le préformé jusqu’à ce qu’elle adhère, puis on laisse refroidir le boîtier.

Le collage par époxy met en œuvre une colle époxy pour fixer la puce au boîtier. Le boîtier reçoit une goutte d’adhésif époxy, sur laquelle on pose la puce. Il peut être nécessaire d’étuver le boîtier à haute température pour obtenir un bon durcissement de l’adhésif.

Une fois la puce physiquement solidaire du boîtier, il faut réaliser les connexions électriques entre le circuit intégré et les fils du boîtier. Les techniques employées à cet effet sont la thermocompression et le soudage ultrasonore ou thermosonore, grâce auxquels on relie par des fils d’or ou d’aluminium les zones de contact de la puce en silicium et les fils du boîtier.

Le soudage par thermocompression, souvent utilisé avec des fils en or, consiste à chauffer le boîtier à environ 300 °C et à effectuer la liaison entre le fil et la pastille de connexion par application simultanée de chaleur et de pression. Les deux grands procédés de soudage par thermocompression utilisés actuellement sont le soudage à la goutte et le soudage en coin. Dans le premier, qui n’est employé que pour les fils en or, le fil passe par un tube capillaire, puis est comprimé et simultanément fondu par une flamme d’hydrogène. On obtient de la sorte une nouvelle goutte pour le cycle de soudage suivant. Le deuxième, le soudage en coin, emploie un outil en forme de coin et un microscope qui permet de positionner avec précision la puce par rapport à la pastille de connexion. L’opération s’effectue sous atmosphère inerte.

Le soudage par ultrasons utilise une énergie ultrasonore à haute fréquence pour produire un effet de pression avec frottement, lequel établit la liaison entre le fil et la pastille de connexion. Cette technique, principalement employée avec les fils d’aluminium, est souvent préférée à la thermocompression, car elle ne nécessite pas de chauffer la puce.

Le soudage thermo-ultrasonore est une évolution technologique récente pour la fixation des fils en or. Utilisant une combinaison des énergies ultrasonore et thermique, elle demande moins de chaleur que la thermocompression.

L’encapsulage

Le but premier de l’encapsulage est de placer le circuit intégré dans une enveloppe dotée des caractéristiques électriques, thermiques, chimiques et physiques correspondant à l’application prévue.

Les boîtiers les plus utilisés sont les types à fils radiaux, les boîtiers plats et le boîtier à double rangée de connexions (Dual-in-Line (DIL)). Les boîtiers à fils radiaux sont le plus souvent faits de Kovar, un alliage de fer, de nickel et de cobalt, avec joints en verre dur et fils en Kovar. Les boîtiers plats comportent des cadres de branchement en fil métallique, généralement faits d’alliage d’aluminium, combinés à des éléments en céramique, en verre et en métal. Les boîtiers DIL, qui sont les plus répandus, emploient souvent des matériaux céramiques ou des plastiques moulés.

Les boîtiers de semi-conducteurs en plastique moulé sont surtout produits selon deux procédés distincts: le moulage par transfert et le moulage par injection. Le moulage par transfert est la technique d’encapsulage plastique prédominante. Il consiste à monter les puces sur des cadres de branchement non finis, puis à les charger par lots dans des moules. Un plastique thermodurcissable sous forme pulvérulente ou granuleuse, fondu dans un creuset, est ensuite introduit (par transfert) sous pression dans les moules. Les produits de moulage peuvent être composés de résines époxy, de silicone, ou de silicone/époxy. Ils comprennent généralement un mélange des produits suivants:

Le moulage par injection utilise soit un thermoplastique, soit un plastique thermodurcissable, que l’on chauffe jusqu’à son point de fusion dans un cylindre à température réglée, et que l’on force sous pression dans le moule à travers un injecteur. La résine se solidifie rapidement, on ouvre le moule, et le boîtier est éjecté. Une grande diversité de composés plastiques sont employés dans le moulage par injection, les résines époxy et au sulfure de polyphénylène (PPS) étant les plus récemment apparues dans l’encapsulage des semi-conducteurs.

Le boîtier final du semi-conducteur est classé en fonction de sa résistance aux fuites ou de sa capacité d’isoler le circuit intégré de son environnement. Les boîtiers se divisent en catégories hermétique (étanche à l’air) et non hermétique.

Les essais d’étanchéité et le rodage

L’essai d’étanchéité est une procédure destinée à tester l’étanchéité réelle du boîtier du semi-conducteur. Ces essais revêtent deux formes: la détection à l’hélium et la détection au traceur radioactif.

Dans la détection à l’hélium, les boîtiers finis sont placés dans une atmosphère pressurisée d’hélium pendant une certaine durée. L’hélium est capable de traverser les défectuosités du boîtier. Une fois retiré de la chambre à hélium, le boîtier est transféré dans la chambre d’un spectromètre de masse, où l’hélium ressortant par les défectuosités est détecté.

Dans la deuxième méthode, un gaz traceur radioactif, généralement le krypton 85 (85Kr), remplace l’hélium et ce sont les fuites de ce gaz ressortant du boîtier qui sont détectées. En situation normale, l’exposition du personnel lors de ce processus est inférieure à 5 millisieverts (500 millirems) par an (Baldwin et Stewart, 1989). Les mesures de protection qui accompagnent ces systèmes comprennent généralement:

En outre, les matériels entrant en contact avec le 85Kr (circuits intégrés exposés, huile des pompes usée, valves, vannes et joints toriques) sont vérifiés afin de s’assurer qu’ils n’émettent pas de niveaux excessifs de rayonnement en raison de la présence de gaz résiduel à l’intérieur lorsqu’ils doivent sortir de la zone de sécurité. Leach-Marshall (1991) donne des informations détaillées sur les expositions et les contrôles liés aux systèmes de détection des faibles fuites au 85Kr.

Le rodage consiste à soumettre le semi-conducteur fini et sous boîtier à des contraintes thermiques et électriques. Les composants séjournent pendant une période prolongée dans une étuve à température contrôlée, sous atmosphère inerte d’azote. Les températures appliquées vont de 125 °C à 200 °C (150 °C étant une valeur moyenne), et les durées de quelques heures à 1 000 heures (48 heures en moyenne).

L’essai final

Pour vérifier une dernière fois les performances du composant semi-conducteur sous boîtier, on effectue un essai électrique final. Compte tenu du grand nombre et de la complexité des essais nécessaires, ce travail est confié à un ordinateur qui évalue les nombreux paramètres importants pour le fonctionnement du composant.

Le marquage et l’emballage

L’identification physique du composant terminé se fait par différents systèmes de marquage. Les deux grandes catégories de marquage sont l’impression par contact et sans contact. L’impression par contact emploie généralement une technique offset rotative, avec des encres à base de solvants. L’impression sans contact, qui transfère les marquages sans contact physique avec le support, emploie soit une tête à jet d’encre ou de toner, avec des encres à base de solvants, soit un marquage par laser.

Les solvants utilisés comme supports des encres de marquage et comme agents de nettoyage préalable sont généralement composés d’un mélange d’alcools (éthanol) et d’esters (acétate d’éthyle). A l’exception du procédé au laser, la plupart des systèmes de marquage des composants emploient des encres, ce qui nécessite une étape supplémentaire de séchage ou de cuisson. Les méthodes employées sont le séchage à l’air, la cuisson thermique ou par infrarouges et le séchage aux ultraviolets. Les encres séchant aux ultraviolets ne contiennent pas de solvants.

Les systèmes de marquage au laser font appel à un laser de forte puissance au dioxyde de carbone (CO2) ou au néodymium-yttrium. Ces lasers sont le plus souvent intégrés à l’appareil et enfermés dans des armoires dotées de sécurités, contenant le faisceau et le point de contact entre ce dernier et la cible. Le danger du faisceau laser est ainsi écarté en conditions normales, mais il existe un risque en cas de neutralisation des sécurités. L’opération la plus courante nécessitant de déposer les enceintes des lasers et de neutraliser les sécurités est l’alignement du faisceau laser.

Lors de ces interventions de maintenance, il serait souhaitable que la salle hébergeant le laser soit évacuée, à l’exception des techniciens indispensables, que ses portes soient fermées à clef et que des panneaux appropriés de mise en garde contre le rayonnement y soient apposés. Malheureusement, les lasers de forte puissance utilisés dans la fabrication des semi-conducteurs sont souvent installés dans de grands locaux ouverts de production, ce qui rend impossible l’évacuation des personnels non concernés par la maintenance. Dans ces situations, on établit généralement une zone de sécurité temporaire entourée de rideaux antilaser ou d’écrans de soudage capables de supporter un contact direct avec le rayon. L’accès à cette zone passe habituellement par une chicane, avec panneau d’avertissement affiché chaque fois que les sécurités sont neutralisées. Les autres mesures de sécurité applicables aux opérations d’alignement du faisceau sont les mêmes que celles imposées pour l’utilisation d’un laser de forte puissance à rayon nu, c’est-à-dire formation du personnel, protection oculaire, consignes écrites, etc.

Les lasers de forte puissance représentent l’un des plus graves dangers électriques existant dans l’industrie des semi-conducteurs. Même après coupure de l’alimentation, il subsiste dans l’appareil un potentiel électrique dangereux qu’il est nécessaire de dissiper avant d’intervenir à l’intérieur de l’armoire.

Outre le danger d’électrocution et celui d’irradiation, on doit également prendre des précautions, lors de la maintenance des systèmes de marquage au laser, contre les risques de contamination chimique due à la présence de produits ignifuges comme le trioxyde d’antimoine et le béryllium (les emballages en céramique contenant ces produits doivent être étiquetés). Le marquage aux lasers de forte puissance peut, en outre, émettre des fumées et produire des résidus à la surface des appareils et des filtres d’extraction des gaz.

On utilisait par le passé des agents dégraissants pour nettoyer les semi-conducteurs avant de les marquer avec leurs codes d’identification. Une exposition aux solvants supérieure à la limite professionnelle applicable aux taux en suspension dans l’air peut facilement se produire si l’opérateur place la tête au-dessous des serpentins de refroidissement servant à condenser les vapeurs, ce qui peut arriver lorsqu’il cherche à récupérer une pièce tombée, ou lorsqu’un technicien procède au nettoyage des résidus au fond de l’appareil (Baldwin et Stewart, 1989). L’utilisation de dégraissants a été considérablement réduite dans l’industrie des semi-conducteurs depuis l’entrée en vigueur des limitations imposées aux substances nuisibles à la couche d’ozone comme les hydrocarbures chlorofluorés et les solvants chlorés.

L’analyse des défaillances et l’assurance qualité

Les laboratoires d’analyse des défaillances et d’assurance qualité soumettent les composants à différentes opérations afin d’en vérifier la fiabilité. Ces opérations sont les suivantes:

On utilise le cobalt 60 (jusqu’à 26 000 curies) dans des irradiateurs destinés à éprouver la résistance des circuits intégrés aux rayonnements gamma dans les applications militaires et spatiales. En conditions normales, l’exposition du personnel au cours de ces opérations est inférieure à 5 millisieverts (500 millirems) par an (Baldwin et Stewart, 1989). Les moyens de prévention applicables à cette opération un peu particulière sont semblables à ceux mis en œuvre sur les systèmes d’essai de détection des faibles fuites au 85Kr (c’est-à-dire salle isolée, détecteurs permanents de rayonnement, surveillance de l’exposition du personnel, etc.).

De petites sources alpha (au niveau des micro- et millicuries) d’américium 241 sont utilisées «sous autorisation particulière» dans le processus d’analyse des défaillances. Ces sources sont recouvertes d’un mince revêtement protecteur dans lequel est ménagée une fenêtre permettant d’émettre en direction du circuit des particules afin de tester sa capacité de fonctionner sous un tel bombardement. Ces sources sont en général contrôlées périodiquement (par exemple, tous les six mois) afin de vérifier l’absence de fuites de substances radioactives, possibles en cas de dommages subis par la fenêtre. Toute fuite détectable provoque habituellement le retrait de la source et son renvoi au fabricant.

Des systèmes à rayons X sous enceinte close servent à vérifier l’épaisseur des revêtements métalliques et à déceler les défauts (par exemple, bulles d’air dans les boîtiers moulés en plastique composite). Bien qu’ils ne représentent pas une source de fuites importante, ces appareils sont en général contrôlés périodiquement (par exemple, chaque année, à l’aide d’un détecteur portatif de rayons X et par inspection visuelle, afin de vérifier le bon fonctionnement des sécurités de portes.

L’expédition

L’expédition est le point final du cycle de production pour ce qui concerne le fabricant de semi-conducteurs. Les fabricants commerciaux vendent leurs produits à des producteurs d’autres matériels, tandis que les fabricants internes les utilisent pour les matériels produits par l’entreprise elle-même.

L’étude des effets sur la santé

Chaque étape du processus de fabrication emploie un ensemble particulier de produits chimiques, assorti de ses propres risques pour la sécurité et la santé. Outre les travaux portant sur les risques associés à certaines étapes spécifiques de la fabrication des composants à semi-conducteurs, une étude épidémiologique a été conduite sur l’état sanitaire des employés de ce secteur en général (Schenker et coll., 1992). Voir également l’exposé de l’article «Les effets sur la santé et les types de maladies».

La principale conclusion de l’étude était que le travail de fabrication des semi-conducteurs s’accompagne d’une augmentation du taux d’avortements spontanés. Dans la partie historique de l’étude, le nombre des grossesses étudiées chez les employées du secteur fabrication et des autres secteurs était à peu près égal (447 et 444 respectivement), mais les avortements spontanés étaient plus nombreux dans le premier (67) que dans les autres (46). Après ajustement pour un certain nombre de facteurs pouvant fausser les résultats (âge, race, tabagisme, stress, statut socio-économique et antécédents obstétricaux), le risque relatif entre secteurs fabrication et non fabrication s’élevait à 1,43 (intervalle de confiance à 95% = 0,95-2,09).

Les chercheurs ont relié le taux d’avortements spontanés à l’exposition à certains éthers de glycol à base d’éthylène servant à la fabrication des semi-conducteurs. Les produits considérés dans l’étude et soupçonnés d’avoir des effets nocifs sur la fonction de reproduction sont les suivants:

Quoique n’étant pas pris en compte dans l’étude, deux autres éthers de glycol utilisés dans ce secteur, le 2-éthoxyéthanol (CAS 110-80-5) et le diéthylèneglycol diméthyléther (CAS 111-96-6), ont des effets toxiques similaires et ont été abandonnés par certains fabricants de semi-conducteurs.

Outre l’augmentation du taux d’avortements spontanés associé à l’exposition à certains éthers de glycol, l’étude tirait les conclusions ci-après:

L’étude préinstallation du matériel

Compte tenu de la complexité des équipements de fabrication des semi-conducteurs et de l’évolution permanente des procédés, il est particulièrement important d’effectuer une étude préalable à l’installation du matériel de production pour réduire le plus possible les risques pour la sécurité et la santé. Deux procédures d’étude des équipements permettent de s’assurer qu’un nouveau matériel de production répond aux caractéristiques requises dans ce domaine: les normes d’estampillage CE et les normes internationales Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) applicables aux équipements et matériaux destinés aux semi-conducteurs.

Le marquage CE est une déclaration du fabricant selon laquelle l’équipement est conforme aux prescriptions de toutes les directives applicables de l’Union européenne (UE).

En ce qui concerne le matériel de fabrication des semi-conducteurs, les directives considérées comme les plus pertinentes sont la directive sur les machines (Machinery Directive (MD)), la directive sur la compatibilité électromagnétique (Electromagnetic Compatibility Directive (EMC)) et la directive sur les basses tensions (Low Voltage Directive (LVD)).

Dans le cas de la directive EMC, les services d’un organisme compétent (officiellement agréé par un Etat membre de l’UE) doivent être sollicités afin de définir les conditions d’essai et d’approuver les constats des inspections. Les conformités aux directives MD et LVD peuvent être évaluées soit par le fabricant, soit par un organisme accrédité (officiellement agréé par un Etat membre de l’UE).

Quelle que soit la voie choisie, autoévaluation ou évaluation par un tiers, il incombe à l’importateur d’enregistrer l’identité du responsable du marquage CE du produit importé. L’importateur peut se fonder sur les informations provenant du tiers ou de l’autoévaluation pour parvenir à la conclusion que l’équipement répond aux prescriptions des directives applicables, mais c’est à lui qu’il incombe en définitive d’établir la déclaration de confor-mité et d’apposer la marque CE.

L’organisme professionnel international susmentionné (SEMI) représente les fournisseurs de semi-conducteurs et d’affichages. Une de ses activités est l’établissement de normes techniques volontaires, qui constituent des accords entre fournisseurs et clients visant à améliorer la qualité et la fiabilité des produits, à un prix raisonnable et avec un approvisionnement régulier.

Deux normes SEMI sont plus spécifiquement applicables aux risques des équipements nouveaux pour la sécurité et la santé. Il s’agit des normes SEMI S2 et SEMI S8. La norme SEMI S2-93, Safety Guidelines for Semiconductor Manufacturing Equipment, établit un ensemble de règles fonctionnelles minimales en matière de sécurité et de santé pour les équipements utilisés dans la fabrication des semi-conducteurs. La norme SEMI S8-95, Safety Guidelines for Ergonomics/Human Factors Engineering of Semiconductor Manufacturing Equipment , développe la partie ergonomique de SEMI S2.

De nombreux fabricants de semi-conducteurs exigent que les nouveaux équipements soient certifiés par un organisme indépendant comme étant conformes aux prescriptions de la norme SEMI S2. Des instructions sur l’interprétation des textes SEMI S2-93 et SEMI S8-95 sont données dans une publication du groupement professionnel SEMATECH (SEMATECH, 1996). Des informations complémentaires sur le SEMI sont disponibles sur Internet (http://www.semi.org).

La manipulation des produits chimiques

La distribution de liquides

Avec la généralisation des systèmes automatiques de distribution des produits chimiques, qui deviennent la règle plutôt que l’exception, la fréquence des brûlures chimiques chez les travailleurs a diminué. Il est toutefois nécessaire de munir ces systèmes de protections appropriées, telles que:

La distribution de gaz

La sécurité des systèmes de distribution de gaz s’est nettement améliorée au fil des ans, avec l’apparition de nouveaux types de valves de bouteilles et d’ajutages de limitation de débit intégrés à la bouteille, de tableaux de purge automatique, de dispositifs de détection des débits excessifs avec coupure automatique et d’équipements de détection de fuites plus perfectionnés. En raison de ses propriétés pyrophoriques et de son emploi très répandu, le silane représente le plus grand danger d’explosion de l’industrie. Malgré tout, les incidents impliquant le silane sont devenus plus prévisibles grâce aux travaux de Factory Mutual et de SEMATECH. Avec l’adoption d’ajutages de limitation de débit, de pressions d’alimentation adaptées et de débits de ventilation adéquats, la plupart des incidents explosifs ont été éliminés (SEMATECH, 1995).

Plusieurs incidents de sécurité survenus ces dernières années étaient dus à un mélange non contrôlé de gaz incompatibles. Suite à ces incidents, les fabricants de semi-conducteurs révisent souvent leurs installations de gaz et les enceintes des appareils de façon à empêcher les mélanges indésirables ou une inversion de circulation des gaz.

Les problèmes de nature chimique sont généralement ceux qui suscitent le plus de préoccupations de la part du personnel dans la fabrication des semi-conducteurs. Toutefois, la plupart des lésions et des décès proviennent d’autres causes.

La sécurité électrique

Les équipements utilisés dans ce secteur sont à l’origine de nombreux risques électriques. Les sécurités jouent un rôle important dans la protection, mais elles sont souvent neutralisées par les techniciens de maintenance. Une part importante des travaux de maintenance s’effectue sur des appareils encore sous tension, ou seulement partiellement hors tension. Les plus grands risques électriques sont associés aux alimentations des appareils d’implantation d’ions et des lasers. Comme on l’a déjà dit plus haut, même après coupure de l’alimentation, ces appareils conservent un potentiel d’électrocution non négligeable et cette énergie doit être dissipée avant toute intervention à l’intérieur de l’appareil. La révision de la norme SEMI S2 aux Etats-Unis et le marquage CE en Europe ont permis d’améliorer la sécurité électrique des équipements neufs, mais les opérations de maintenance ne reçoivent pas toujours l’attention qu’elles méritent. Une étude soigneuse de ces opérations et des risques électriques qu’elles présentent est nécessaire pour tous les équipements nouvellement installés.

Les équipements émettant de l’énergie sous forme d’ondes radiofréquence (RF) viennent en seconde position en ce qui concerne les risques électriques existant au cours des opérations de gravure, de pulvérisation et de nettoyage des chambres d’appareils. Un blindage et une mise à la terre adaptés sont nécessaires pour réduire le plus possible le risque de brûlures par courant RF.

Ces risques électriques, et le grand nombre d’appareils restant alimentés au cours de la maintenance, imposent l’adoption par les techniciens d’autres moyens de protection, comme les procédures de verrouillage/étiquetage. Les systèmes électriques ne sont pas les seuls auxquels ces procédures peuvent s’appliquer. Parmi les autres sources d’énergie figurent les lignes sous pression, dont beaucoup véhiculent des gaz ou des liquides dangereux, et les commandes pneumatiques. Les points de coupure permettant de commander ces sources d’énergie doivent être installés dans un endroit accessible, au sein de la zone de fabrication ou de passage dans laquelle l’employé est appelé à travailler, plutôt que dans des lieux moins accessibles comme les bâtiments annexes.

L’ergonomie

L’interface entre le travailleur et les appareils est toujours à l’origine d’accidents. L’hypersollicitation musculaire et articulaire est assez répandue dans l’industrie des semi-conducteurs, notamment chez les techniciens de maintenance. L’accès aux pompes, capots des chambres, etc. est souvent négligé lors de la construction de l’appareil et lors de son installation dans l’atelier. Les pompes devraient être montées sur roues, ou placées sur des tiroirs ou des plateaux coulissants. Un équipement de levage intégré devrait être prévu pour beaucoup d’opérations.

La simple manipulation des plaquettes est à l’origine de risques ergonomiques, notamment dans les usines anciennes. Les usines plus récentes travaillent avec des plaquettes plus grandes, ce qui nécessite des systèmes de manipulation plus automatisés. Bon nombre de ces systèmes sont à considérer comme des machines robotisées, et les aspects de sécurité correspondants doivent être pris en compte lors de leur conception et de leur installation (American National Standards Institute (ANSI), 1986).

La sécurité incendie

Outre le silane, déjà évoqué, l’hydrogène présente un sérieux risque d’incendie. Ce danger est toutefois mieux compris et l’industrie n’a pas connu de problèmes graves associés à l’hydrogène.

Le plus grave risque d’incendie actuellement provient des bains de gravure chimique. Les matériaux plastiques classiquement employés dans leur construction ((poly)chlorure de vinyle, polypropylène et polypropylène ignifuge) ont tous été impliqués dans des incendies d’atelier.

La source d’inflammation peut être un réchauffeur de bain de gravure ou de placage, une commande électrique montée directement sur le matériau plastique, ou un appareil voisin. En cas d’incendie impliquant l’un de ces éléments en plastique, une pollution comprenant des particules et des produits de combustion corrosifs se répand dans tout l’atelier. La perte économique est lourde en raison du long temps d’arrêt nécessaire pour remettre en état la zone et l’équipement, et les ramener aux normes des salles blanches. Il est parfois impossible de décontaminer suffisamment certains équipements coûteux, ce qui impose l’achat de matériel neuf. Tout cela donne à la prévention et à la lutte contre l’incendie une importance critique.

La prévention des incendies peut être assumée grâce à l’emploi de matériaux de construction incombustibles. L’acier inoxydable est le matériau préféré pour la construction de ces bains de gravure, mais le procédé employé interdit parfois l’utilisation d’équipements métalliques. Il existe des matériaux plastiques moins inflammables et dégageant moins de fumées, mais ils n’ont pas encore subi tous les essais nécessaires pour vérifier leur compatibilité avec les techniques de fabrication des semi-conducteurs.

Pour la sécurité incendie, ces appareils doivent être protégés par des systèmes de sprinklers ayant un champ bien dégagé. L’installation de filtres à particules au-dessus des bains fait souvent obstacle à l’action des têtes d’extincteur. Il convient, dans ces cas, d’installer des têtes supplémentaires sous les filtres. Un grand nombre d’entreprises exigent en outre qu’un système de détection et d’extinction d’incendie soit installé à l’intérieur des chambres de traitement, lieu de départ de beaucoup d’incendies.

LES AFFICHAGES À CRISTAUX LIQUIDES

David G. Baldwin, James R. Rubin et Afsaneh Gerami

Les affichages à cristaux liquides (Liquid Crystal Displays (LCD)) sont apparus dans le commerce dans les années soixante-dix. Ils sont d’un usage courant dans les montres, les calculatrices, les récepteurs radio et d’autres produits comportant des indicateurs à trois ou quatre caractères alphanumériques. Les progrès récemment accomplis dans les matériaux mis en œuvre permettent de fabriquer des affichages de grande dimension. Bien que les LCD ne représentent qu’un secteur réduit de l’industrie des semi-conducteurs, leur importance s’est accrue depuis qu’ils sont employés dans les écrans plats d’ordinateurs et les machines de traitement de texte portables et légers. On s’attend à voir cette importance augmenter encore, les LCD étant appelés à remplacer à terme le dernier tube à vide couramment employé en électronique, le tube cathodique (O’Mara, 1993).

La fabrication des affichages à cristaux liquides est un procédé très spécialisé. Les résultats des contrôles d’hygiène du travail indiquent de très faibles niveaux de contaminants en suspension dans l’air pour les différentes expositions aux solvants étudiées (Wade et coll., 1981). En général, les types et les quantités de produits chimiques toxiques, corrosifs et inflammables sous forme solide, liquide et gazeuse, et les agents chimiques employés sont limités par rapport à d’autres types de production de semi-conducteurs.

Les matériaux à cristaux liquides sont faits de molécules en forme de barres du genre de celles du cyanobiphényle que montre la figure 83.5. Ces molécules ont la propriété de causer la rotation d’une lumière polarisée qui les traverse. Pourtant, alors qu’elles sont transparentes à la lumière visible, un récipient rempli du matériau liquide présente une apparence laiteuse ou translucide, et non pas transparente. Ce phénomène est dû au fait que l’axe long des molécules est orienté de façon désordonnée et que la lumière est par conséquent réfléchie de façon aléatoire. Dans une cellule de cristaux liquides, les molécules sont disposées de façon que leurs axes aient un alignement particulier. On peut faire changer cet alignement à l’aide d’un champ électrique extérieur, ce qui permet de modifier la polarisation de la lumière qui les frappe.

Figure 83.5 Molécules des polymères de base des cristaux liquides

Figure 83.5

Dans la fabrication des écrans plats, deux substrats de verre produits séparément sont ensuite assemblés. Le substrat avant reçoit une impression qui forme un filtre de couleur. La plaque de verre arrière reçoit une impression qui forme une couche de transistors en film mince et les pistes métalliques de connexion électrique. Ces deux plaques sont superposées lors de l’opération d’assemblage et, le cas échéant, sciées et fractionnées en affichages individuels. Le matériau des cristaux liquides est injecté dans l’interstice qui subsiste entre les plaques. Les affichages sont inspectés et essayés et un film polarisant est appliqué sur chaque plaque.

De nombreuses opérations individuelles sont nécessaires pour fabriquer les affichages à écran plat. Elles requièrent des matériels, des produits et des procédés spéciaux. Certaines opérations essentielles sont décrites ci-après.

La préparation du substrat de verre

Le substrat de verre est un composant essentiel et coûteux de l’écran. Un contrôle très étroit des propriétés optiques et mécaniques du matériau est nécessaire à chaque étape du processus, notamment quand il s’agit de le chauffer.

La fabrication du verre

Deux procédés sont employés pour fabriquer un verre très mince, avec des dimensions extrêmement précises et des propriétés mécaniques reproductibles. Dans le procédé de fusion, mis au point par Corning, une barre de verre introduite dans un creuset en forme de coin y est fondue. Le verre fondu déborde des deux côtés du creuset et coule le long de ses parois pour ne former qu’une seule feuille à la base du creuset, d’où on peut l’étirer vers le bas sous forme d’une feuille uniforme. L’épaisseur de cette feuille est réglée par la vitesse à laquelle on étire le verre. Ce procédé permet d’obtenir des largeurs de presque 1 m.

D’autres fabricants de feuilles de verre destinées aux substrats de LCD emploient la technique du flottage, qui consiste à faire couler le verre fondu sur un bain d’étain en fusion. L’étain métallique ne dissout pas le verre et ne réagit pas avec lui, et le verre flotte sur le bain. Par gravité, la surface du verre se lisse et les deux faces deviennent parallèles (voir chapitre no 84, «Le verre, les céramiques et les matériaux connexes»).

Les substrats sont produits en différentes dimensions, pouvant atteindre 450 × 550 mm et plus. L’épaisseur du verre pour écrans plats est en général de 1,1 mm. Certains affichages de petite taille (récepteurs de radio, messagerie, téléphones, jeux, etc.) emploient du verre plus mince.

La découpe, le biseautage et le polissage

Après la fusion ou le flottage, les substrats de verre sont découpés à dimension, en général en morceaux de 1 m de côté environ. Différentes opérations mécaniques suivent l’étape de formage, selon l’application finale du matériau.

Etant donné que le verre est fragile, et qu’il s’écaille ou se fend facilement aux bords, les plaques sont généralement biseautées, chanfreinées ou traitées d’une autre façon afin de limiter l’écaillage en cours de manutention. Les contraintes thermiques qui s’accumulent dans les fissures des bords lors du traitement peuvent conduire à la rupture de la plaque. Le bris de verre est un problème important en cours de production. Outre le risque de coupures et de lacérations pour le personnel et la perte de production qu’il représente, des fragments de verre peuvent subsister dans les équipements et provoquer une contamination par particules ou rayer d’autres substrats.

Les substrats de grande dimension soulèvent des difficultés supplémentaires pour le polissage du verre. On les place sur des supports garnis de cire ou d’un autre produit adhésif et on les polit avec une boue abrasive. L’opération de polissage doit être suivie d’un nettoyage chimique soigné pour éliminer tout résidu de cire ou toute autre substance organique, ainsi que les contaminants métalliques contenus dans les produits abrasifs ou de polissage.

Le nettoyage

Des opérations de nettoyage sont appliquées aux substrats de verre nus et à ceux enduits de films organiques, comme les filtres de couleur, les couches d’orientation en polyimide, etc. Les substrats à couches semi-conductrices, isolantes et métallisées, doivent aussi être nettoyés à certains points du processus de production. Le nettoyage est nécessaire au moins avant chaque étape du masquage des filtres de couleur ou de la production des couches de transistors en film mince.

Le nettoyage des affichages à écran plat recourt la plupart du temps à une combinaison de procédés physiques et chimiques, avec application sélective de méthodes à sec. Après une attaque ou un nettoyage chimique, les substrats sont généralement séchés à l’alcool isopropylique (voir tableau 83.8).

Tableau 83.8 Nettoyage des affichages à écran plat

Nettoyage physique

Nettoyage à sec

Nettoyage chimique

Brossage

Ultraviolet-ozone

Solvant organique*

Pulvérisation

Plasma (oxyde)

Détergent neutre

Ultrasonore

Plasma (non oxyde)

 

Mégasonore

Laser

Eau pure

* Parmi les solvants organiques couramment utilisés pour le nettoyage chimique figurent l’acétone, le méthanol, l’éthanol, le n-propanol, les isomères xylène, le trichloroéthylène, le tétrachloroéthylène.

La formation du filtre de couleur

La formation du filtre de couleur sur le substrat de verre avant comprend certaines étapes de finition et de préparation du verre qui sont communes aux deux plaques, dont le biseautage et le polissage. Les opérations d’impression, d’enduction et de séchage sont effectuées à plusieurs reprises sur le substrat. Ce traitement présente de nombreuses similitudes avec celui des plaquettes de silicium. Les substrats de verre sont généralement manutentionnés sur des systèmes de convoyeurs pour le nettoyage et l’enduction.

L’impression du filtre de couleur

Différents matériaux et différentes techniques d’application sont utilisés pour créer les filtres de couleur des divers types d’affichages à écran plat. On peut employer un colorant ou un pigment, l’un et l’autre pouvant être déposés et imprimés de façons variables. Une des méthodes consiste à déposer et à colorier de la gélatine par opérations photolithographiques successives, avec un matériel de lithographie sans contact et des résines photosensibles classiques. Une autre utilise des pigments dispersés dans la résine photosensible. Parmi les autres méthodes figurent le dépôt électrolytique, la gravure et l’impression.

Le dépôt d’oxyde indium-étain

Une fois formé le filtre de couleur, l’étape finale est le dépôt par pulvérisation cathodique d’un matériau électrode transparent. Ce matériau est l’oxyde indium-étain, qui est en fait un mélange des oxydes In2O3 et SnO2. Ce matériau est le seul qui convienne pour l’application d’un conducteur transparent sur les LCD. Un mince film d’oxyde doit être déposé sur les deux faces de l’affichage. Les couches d’oxyde sont généralement réalisées par évaporation sous vide et par pulvérisation cathodique.

Les couches minces d’oxyde indium-étain sont faciles à graver avec les agents chimiques en phase humide comme l’acide chlorhydrique, mais à mesure que l’espacement entre les électrodes diminue et que les produits se miniaturisent, la gravure à sec devient de plus en plus nécessaire pour éviter un affouillement entre les pistes dû à une attaque trop forte.

La formation de la couche de transistors en film mince

La formation de la couche de transistors en film mince est très semblable à la fabrication d’un circuit intégré.

La déposition de la couche mince

L’opération commence par l’application d’une couche mince sur les substrats. Ces couches sont formées par dépôt chimique en phase vapeur (Chemical Vapour Deposition (CVD)) ou par dépôt physique en phase vapeur (Physical Vapour Deposition (PVD)). Le CVD renforcé par plasma, également appelé à décharge luminescente, est employé pour le silicium amorphe, le nitrure de silicium et le dioxyde de silicium.

L’impression des semi-conducteurs

Une fois la couche déposée, on applique une couche photosensible et on l’impressionne pour permettre l’attaque de la couche mince selon le dessin voulu. Comme dans la fabrication des circuits intégrés, on dépose et on attaque successivement plusieurs couches minces.

L’application et le frottage de la couche d’orientation

On dépose à la fois sur les substrats inférieur et supérieur une mince couche de polymère qui permettra d’orienter les molécules des cristaux liquides à la surface du verre. Cette couche d’orientation, de quelque 0,1 µm d’épaisseur, peut être un polyimide ou un autre matériau polymère dur. Après dépôt et cuisson, on le frotte avec un tissu dans un sens déterminé, opération qui laisse à sa surface des stries à peine décelables. Le frottement peut être effectué par un passage unique sous une bande de tissu portée par une courroie, dévidée par un rouleau d’un côté, passant sous un rouleau en contact avec le substrat, et repartant sur un rouleau du côté opposé. Le substrat se déplace sous le tissu et dans le même sens. D’autres méthodes emploient une brosse mobile qui parcourt la surface du substrat. La qualité des fibres du matériau de frottage est importante. Les stries permettent d’aligner les molécules des cristaux liquides à la surface du substrat et de leur faire prendre la bonne inclinaison.

La couche d’orientation peut être déposée par enduction centrifuge ou par impression. L’impression est la méthode qui exploite le mieux le matériau: 70 à 80% du polyimide sont transférés du rouleau d’impression à la surface du substrat.

L’assemblage

Une fois le frottage terminé, le substrat passe par une ligne d’assemblage automatisée où s’effectue la séquence d’opérations ci-après:

Le transport des plaques inférieure et supérieure sur la ligne est automatisé. Une plaque reçoit l’adhésif et l’autre est ajoutée au poste de pose de l’entretoise.

L’injection des cristaux liquides

Si plusieurs affichages ont été fabriqués sur le substrat, il faut alors les séparer par sciage. On peut à ce stade introduire le matériau des cristaux liquides dans l’interstice entre les substrats, par le trou laissé dans le produit d’étanchéité. Ce trou est ensuite bouché, et on prépare l’affichage à l’inspection finale. Les matériaux des cristaux liquides sont souvent livrés sous forme de systèmes bi- ou tricomposants, qui sont mélangés à l’injection. Les systèmes d’injection assurent le mélange et la purge de la cellule afin d’éviter que des bulles ne soient emprisonnées pendant le remplissage.

L’inspection et les essais

L’inspection et les essais fonctionnels sont effectués après assemblage et injection des cristaux liquides. La plupart des défauts (y compris de point et de ligne) sont liés à la présence de particules et à des problèmes de dimension de l’interstice de la cellule.

La pose du polarisateur

L’étape finale de la fabrication de l’affichage à cristaux liquides à proprement parler est l’application du polarisateur sur la face extérieure de chaque plaque de verre. Les films polarisateurs sont des couches composites qui comprennent la couche d’autoadhésif servant à fixer l’agent polarisant sur le verre. Ils sont appliqués par des machines automatisées qui distribuent le matériau à partir de bobines de feuilles prédécoupées. Ces machines sont dérivées des appareils d’étiquetage mis au point pour d’autres secteurs industriels. Le film polarisant est appliqué sur les deux faces de l’affichage.

Dans certains cas, une couche de compensation est appliquée avant le polarisateur. Il s’agit de films polymères (par exemple, polycarbonate et méthacrylate de polyméthyle), qui sont étirés dans un sens. Cet étirement modifie les propriétés optiques du film.

Un affichage terminé est ordinairement équipé de ses circuits intégrés de commande, montés sur l’un des substrats de verre ou à proximité, habituellement du côté couche de transistors.

Les risques

Le bris de verre est un risque non négligeable de la fabrication des LCD. Des cas de coupures et de lacérations peuvent se produire. Un autre sujet de préoccupation est celui de l’exposition aux produits chimiques utilisés pour le nettoyage.

LA FABRICATION DES SEMI-CONDUCTEURS III-V

David G. Baldwin, Afsaneh Gerami et James R. Rubin

Le silicium est historiquement le matériau semi-conducteur qui a dominé le développement de la technologie des circuits intégrés. L’intérêt s’est surtout porté ces dernières années sur la recherche de substituts au silicium comme matériau de substrat, sur les composés III-V comme l’arséniure de gallium (GaAs). Le GaAs présente des possibilités supérieures à celles du silicium, par exemple une mobilité cinq à six fois plus grande des électrons. Cette caractéristique, couplée aux propriétés semi-isolantes du GaAs, améliore les performances, aussi bien en vitesse qu’en consommation d’énergie.

Le GaAs possède une structure de blende de zinc, composée de deux sous-réseaux cubiques à face centrée s’interpénétrant, ce qui implique la croissance d’un matériau en lingot de haute qualité. La technologie employée pour obtenir la formation du GaAs est beaucoup plus complexe que celle mise en œuvre pour le silicium, dans la mesure où elle implique un équilibre biphase plus compliqué et un élément extrêmement volatil, l’arsenic (As). Un contrôle précis de la pression de la vapeur d’arsenic dans le système de croissance du lingot est impératif pour entretenir une stœchiométrie exacte du composé GaAs au cours de la croissance. Deux grandes catégories d’affichages et de composants à semi-conducteurs III-V font appel à des procédés économiquement viables: les affichages à diodes électroluminescentes (DEL) et les circuits intégrés à micro-ondes.

Les DEL sont fabriquées à partir d’un GaAs monocristallin dans lequel les jonctions p-n sont formées par ajout d’agents dopants, en général le tellure, le zinc ou le silicium. Des couches épitaxiales de matériaux III-V ternaires et quaternaires comme le phospho-arséniure de gallium (GaAsP) se développent sur le substrat, donnant une bande d’émission de longueurs d’onde spécifiques dans le spectre visible pour les affichages, ou dans le spectre infrarouge pour les émetteurs ou les détecteurs. Par exemple, une lumière rouge (crête à environ 650 nm) provient de la recombinaison directe des électrons p-n et des trous. Les diodes à lumière verte sont généralement composées de phosphure de gallium (GaP). Le présent article traite des étapes générales de production des diodes électroluminescentes.

Les circuits intégrés à micro-ondes sont une forme spécialisée de circuit intégré. Ils sont employés comme amplificateurs à haute fréquence (2 à 18 GHz) dans les applications de radar, de télécommunications et de télémétrie, ainsi que comme amplificateurs à une ou plusieurs octaves destinés aux systèmes électroniques militaires. Les fabricants de composants à micro-ondes achètent généralement le substrat sous la forme de GaAs monocristallin, avec ou sans couche épitaxiale, auprès de fournisseurs extérieurs (comme le font les fabricants de composants au silicium). Les principales étapes de production comprennent le dépôt épitaxial en phase liquide, des opérations de fabrication et hors fabrication similaires à celles appliquées avec le silicium. Les étapes supplémentaires d’intérêt s’ajoutant aux opérations de production des DEL sont également examinées dans cet article.

La fabrication des plaquettes

Comme dans le cas de la formation des lingots de silicium, on fait réagir à température élevée des formes élémentaires de gallium et d’arsenic, plus de petites quantités de matériau dopant (silicium, tellure ou zinc) pour former des lingots de GaAs monocristallin dopé. Trois grandes méthodes sont employées pour former ces lingots:

Le composé GaAs polycristallin en vrac est normalement formé par la réaction à température élevée de la vapeur d’As avec le Ga métallique, dans des ampoules de quartz étanches. En général, un réservoir d’As placé à une extrémité de l’ampoule est chauffé à 618 °C. On génère ainsi de la vapeur d’As à la pression de 1 atmosphère (atm) environ, condition pour obtenir un GaAs stœchiométrique. La vapeur d’As réagit avec le Ga métallique maintenu à 1 238 °C et placé à l’autre extrémité de l’ampoule dans une nacelle de quartz ou de nitrure de bore pyrolytique. Une fois l’arsenic entièrement consommé par la réaction, on obtient une charge polycristalline, à partir de laquelle on forme un monocristal par refroidissement programmé (solidification progressive), ou par déplacement physique soit de l’ampoule, soit du four, afin d’obtenir le gradient de température propice à la croissance (Bridgeman). Cette méthode indirecte (transport de l’arsenic) pour la confection et la cristallisation du GaAs est employée en raison de la forte pression de vapeur de l’arsenic au point de fusion du GaAs, soit environ 20 atm à 812 °C et 60 atm à 1 238 °C, respectivement.

Une autre approche de production commerciale du GaAs monocristallin en vrac est la technique LEC. On charge un étireur de cristal de Czochralski avec du GaAs en morceaux dans un creuset avec suscepteur extérieur de graphite. Le GaAs est ensuite fondu à des températures voisines de 1 238 °C, et le cristal est étiré dans une atmosphère portée à une surpression variable d’un fabricant à l’autre, à savoir de quelques atm jusqu’à 100 atm. Le produit en fusion est complètement encapsulé sous une couche de verre visqueux de trioxyde de bore (B2O3), qui empêche sa dissociation lorsque la pression de la vapeur d’As est atteinte et dépassée par celle d’un gaz inerte (en général l’argon ou l’azote) appliquée dans la chambre de l’étireur. Il est également possible de synthétiser sur place le GaAs monocristallin en injectant l’arsenic dans le Ga fondu, ou en combinant directement As et Ga sous haute pression.

La fabrication de plaquettes de GaAs est, dans la fabrication des semi-conducteurs, le processus qui présente le plus grand risque d’exposition importante et fréquente aux produits chimiques. Bien que seule une fraction réduite des producteurs de semi-conducteurs fabrique des plaquettes GaAs, ce secteur mérite un intérêt particulier. Les grandes quantités d’As mises en œuvre, les nombreuses étapes de la production et les valeurs limites très basses d’exposition à l’arsenic en suspension dans l’air font de la limitation des expositions une tâche difficile. Les articles de Harrison (1986); Lenihan, Sheehy et Jones (1989); McIntyre et Sherin (1989); et Sheehy et Jones (1993) donnent des informations complémentaires sur les risques de ce processus et les mesures applicables.

La synthèse du lingot polycristallin

Le chargement et le scellement des ampoules

L’arsenic élémentaire (à 99,9999%) en morceaux est pesé et chargé dans une nacelle de quartz, dans une boîte à gant sous vide. Le Ga pur liquide (à 99,9999%) et le matériau dopant sont également pesés et chargés dans une nacelle de quartz ou de nitrure de bore pyrolytique de la même manière. Les nacelles sont introduites dans une longue ampoule cylindrique de quartz (dans les méthodes de Bridgeman et du refroidissement programmé, on y introduit également un cristal d’ensemencement ayant l’orientation cristallographique voulue, tandis que dans la technique LEC en deux étapes, dans laquelle on n’a besoin à ce stade que de GaAs polycristallin, un GaAs polycristallin est synthétisé sans cristal d’ensemencement).

Les ampoules de quartz sont placées dans un four à basse température, où elles sont chauffées; simultanément, elles sont purgées à l’hydrogène (H2) grâce à un procédé appelé réaction de réduction par l’hydrogène, afin d’éliminer tous les oxydes. Après une purge avec un gaz neutre, de l’argon par exemple, les ampoules sont reliées à un système de pompe à vide et évacuées; leurs extrémités sont ensuite chauffées et soudées avec un chalumeau oxhydrique. On obtient ainsi une ampoule de quartz chargée et scellée, prête à la croissance en four. La purge à l’hydrogène et l’utilisation du chalumeau oxhydrique présentent, si les mesures et les équipements de sécurité ne sont pas appropriés, des risques d’incendie et d’explosion (Wade et coll., 1981).

Etant donné que ce procédé implique le chauffage de l’arsenic, le matériel est maintenu sous ventilation par extraction. Des dépôts d’oxyde d’arsenic peuvent se former dans la gaine d’évacuation. Des mesures de prévention de l’exposition ou de la contamination doivent donc être prises lorsque ces gaines font l’objet d’une intervention, quelle qu’elle soit.

Le stockage et la manutention de l’arsenic en morceaux doivent faire l’objet d’une grande attention. Pour des raisons de sécurité, l’arsenic est souvent conservé dans des locaux fermant à clé, et assujetti à un strict contrôle des stocks. Il est en outre généralement enfermé dans une armoire résistant au feu afin de l’isoler en cas d’incendie.

La croissance en four

Les méthodes de Bridgeman et du refroidissement programmé utilisent toutes deux des ampoules de quartz chargées et scellées, placées dans l’enceinte d’un four à haute température, dont l’échappement passe par un système d’épuration humide. Les principaux dangers au cours de la croissance en four sont liés au risque d’implosion ou d’explosion de l’ampoule de quartz pendant la croissance du lingot. Ce cas, qui ne se produit que de façon isolée et peu fréquente, résulte de l’une des causes ci-après:

La méthode de Bridgeman horizontale se compose d’un four à plusieurs zones dans lequel l’ampoule de quartz scellée est divisée en quatre zones de températures différentes, le côté arsenic «froid» étant à 618 °C, et la nacelle de gallium/dopant/cristal d’ensemencement en quartz contenant le produit en fusion à 1 238 °C. Le principe de base consiste à faire passer deux zones de chauffe (une située au-dessus du point de fusion du GaAs, et une située au-dessous) au-dessus d’une nacelle de GaAs fondu, afin de contrôler avec précision la solidification de ce dernier. Le cristal d’ensemencement, maintenu en permanence dans la zone de solidification, fournit la structure de départ de la cristallisation, en définissant la direction et l’orientation de la structure cristalline au sein de la nacelle. La nacelle de quartz et l’ampoule de Ga et d’As sont suspendues dans la chambre de chauffe par un jeu de tubes en carbure de silicium appelés tubes supports, qui sont disposés au milieu de l’ensemble des résistances de chauffe et permettent de déplacer l’ampoule sur toute sa longueur. En outre, le four lui-même repose sur une table qu’il faut incliner pendant la croissance pour optimiser l’interface entre le GaAs synthétisé et le cristal d’ensemencement.

Dans la méthode de refroidissement programmé, un four multizones à haute température, à chauffe par résistance, est maintenu entre 1 200 et 1 300 °C (1 237 °C est le point de fusion du GaAs). Le processus de croissance du lingot, dont la durée totale est généralement de trois jours, comprend les étapes ci-après:

Pendant le processus de croissance, on incline également l’ampoule de quartz à l’aide de vérins manuels à pantographe.

La rupture de l’ampoule

Lorsqu’un lingot de GaAs monocristallin s’est formé dans l’ampoule de quartz scellée, celle-ci doit être ouverte, et la nacelle de quartz contenant le lingot et le cristal d’ensemencement doit être retirée. On utilise pour ce faire l’une des méthodes suivantes:

Les ampoules de quartz sont recyclées après enlèvement par voie humide de l’arsenic condensé à la surface intérieure à l’eau régale (Hcl, HNO3) ou à l’acide sulfurique et au peroxyde d’hydrogène (H2SO4/H2O2).

Le grenaillage/nettoyage des lingots

Afin de révéler les défauts polycristallins et d’éliminer les oxydes et les contaminants extérieurs, on doit soumettre le lingot de GaAs monocristallin à un grenaillage. Celui-ci s’effectue dans une boîte à gant sous dépression, avec de la grenaille de carbure de silicium ou d’alumine calcinée. Quant au nettoyage humide, il s’effectue dans des bains chimiques munis d’une aspiration localisée des gaz, avec rinçages à l’eau régale ou à l’alcool (alcool isopropylique ou méthanol).

La croissance du lingot monocristallin

Le lingot de GaAs polycristallin récupéré dans l’ampoule est brisé en morceaux, pesé et placé dans un creuset en quartz ou en nitrure de bore pyrolitique, et recouvert avec un disque d’oxyde de bore. Le creuset est ensuite placé dans un cristalliseur (étireur) en atmosphère inerte sous pression, et chauffé à 1 238 °C. A cette température, le GaAs fond, l’oxyde de bore, plus léger, formant une enveloppe qui enferme l’arsenic et l’empêche de se dissocier du bain de fusion. Un cristal d’ensemencement est introduit dans le bain sous la couverture liquide et, tout en subissant une rotation en sens inverse, il est retiré lentement du bain et se solidifie à mesure qu’il quitte la «zone chaude». Ce processus prend environ vingt-quatre heures, selon la taille de la charge et le diamètre du cristal.

Le cycle de croissance terminé, on ouvre l’étireur pour en extraire le lingot monocristallin et nettoyer l’appareil. Une certaine quantité d’arsenic s’échappe du bain de fusion, malgré la couverture liquide. Cette étape peut donner lieu à une forte exposition à l’arsenic sous forme de suspension dans l’air. Pour limiter cette exposition, on refroidit l’étireur à moins de 100 °C, ce qui provoque le dépôt de l’arsenic en fines particules à la surface intérieure de l’appareil. Ce refroidissement permet de réduire la quantité d’arsenic mis en suspension dans l’air.

Il subsiste cependant à l’intérieur de l’étireur de cristal d’importants dépôts contenant de l’arsenic. L’enlèvement de ces dépôts lors des opérations régulières de maintenance préventive peut libérer de grandes quantités d’arsenic dans l’air (Lenihan, Sheehy et Jones, 1989; Baldwin et Stewart, 1989; McIntyre et Sherin, 1989). Les moyens de prévention employés lors de la maintenance comprennent souvent l’utilisation d’un système de ventilation par extraction des gaz, le port de vêtements jetables et d’équipements de protection respiratoire.

Une fois le lingot enlevé, on démonte l’étireur. On applique une aspiration avec filtres à particules à haut rendement pour recueillir les particules d’arsenic présentes sur toutes les parties de l’appareil. Après aspiration, les pièces en acier inoxydable sont frottées avec un mélange d’hydroxyde d’ammonium et de peroxyde d’hydrogène pour éliminer toute trace d’arsenic résiduel, et l’étireur est remonté.

Le traitement des plaquettes

La diffraction de rayons X

L’orientation cristalline du lingot de GaAs est déterminée grâce à un appareil à diffraction de rayons X, comme pour les lingots de silicium. On peut aussi employer un laser de faible puissance pour cette opération en production, mais la première méthode, plus précise, est la plus répandue.

Lorsque la diffraction de rayons X est utilisée, le faisceau de rayons X est souvent entièrement enfermé dans une armoire de protection dont on vérifie périodiquement l’étanchéité aux rayonnements. Dans certaines circonstances, il n’est pas possible d’enfermer totalement les rayons dans une enceinte pourvue de sécurités. Les opérateurs peuvent alors devoir porter des dosimètres individuels au doigt, et des mesures de protection similaires à celles applicables aux lasers de forte puissance sont mises en œuvre (par exemple, salle fermée et à accès restreint, formation des opérateurs, isolation aussi poussée que possible du faisceau, etc.) (Baldwin et Williams, 1996).

L’éboutage, le meulage et le tronçonnage du lingot

Les extrémités, ou queues, du lingot monocristallin sont enlevées à l’aide d’une scie diamantée à une seule lame lubrifiée à l’eau additionnée d’agents de refroidissement. Le lingot monocristallin est ensuite placé sur un tour, sur lequel il est usiné en un lingot de forme cylindrique et d’un diamètre uniforme. Ce meulage s’effectue également avec refroidissement par liquide.

Après l’éboutage et le meulage, les lingots de GaAs sont fixés, à l’époxy ou à la cire, sur un barreau de graphite, et sciés en plaquettes individuelles par des scies à lame diamantée à taillant intérieur, à fonctionnement automatique. Cette opération par voie humide nécessite des lubrifiants et produit une boue de GaAs qui est recueillie, centrifugée et traitée au fluorure de calcium pour en chasser l’arsenic par précipitation. Le surnageant est contrôlé pour vérifier qu’il ne contient pas d’arsenic en quantité excessive, après quoi la boue est pressée en un tourteau et mise en décharge comme déchet dangereux. Chez certains fabricants, les boues recueillies lors de l’éboutage, du meulage et du tronçonnage sont envoyées à des installations de récupération du Ga.

De l’arsine et de la phosphine peuvent se former par réaction du GaAs et du phosphure d’indium avec l’humidité de l’air, ou d’autres arséniures et phosphures, ou lorsqu’on les mélange à des acides au cours du traitement de l’arséniure de gallium et du phosphure d’indium. On a relevé 92 ppM (partie par milliard) d’arsine et 176 ppM de phosphine à 5 cm de distance des lames de scie employées pour le tronçonnage des lingots de GaAs et de phosphure d’indium (Mosovsky et coll., 1992, Rainer et coll., 1993).

Le lavage des plaquettes

Les plaquettes sont ensuite détachées du barreau de graphite et nettoyées par trempé dans des bains chimiques liquides successifs contenant des solutions d’acide sulfurique et de peroxyde d’hydrogène, ou d’acide acétique et d’alcools.

Le profilage des bords

Le profilage des bords s’effectue aussi par voie humide. Il consiste à former un bord autour de la plaquette pour la rendre moins fragile. La découpe pratiquée à la surface de la plaquette étant de faible profondeur, l’opération ne produit que peu de boues.

La rectification et le polissage

Les plaquettes sont collées avec de la cire sur une plaque de rectification ou de meulage à l’aide d’une plaque chauffante, et elles sont rectifiées sur une machine à une vitesse de rotation et à une pression préréglées. Une solution de rectification (bouillie d’oxyde d’aluminium, de glycérine et d’eau) est appliquée sur la surface de travail. Après une rectification de courte durée, qui donne aux plaquettes l’épaisseur désirée, celles-ci sont rincées et montées sur une machine de polissage mécanique. Le polissage s’effectue à l’aide d’une bouillie de bicarbonate de sodium avec 5% de chlore, d’eau (ou d’hypochlorite de sodium) et de silice colloïdale. Les plaquettes sont ensuite détachées avec une plaque chauffante, la cire est éliminée au moyen de solvants et elles sont nettoyées.

L’épitaxie

Les plaquettes de GaAs monocristallin servent de substrats sur lesquels on forme de très fines couches du même composé III-V ou d’autres ayant les propriétés électroniques ou optiques désirées. L’opération doit être effectuée de façon que la couche formée garde la structure cristalline du substrat. Cette croissance cristalline, dans laquelle le substrat détermine la cristallinité et l’orientation de la couche formée, s’appelle épitaxie. Une grande diversité de techniques de croissance épitaxiale est employée dans la production des affichages et des composants III-V. Les plus répandues sont les suivantes:

L’épitaxie en phase liquide

Dans l’épitaxie en phase liquide, une couche de matériau III-V est formée directement à la surface du substrat de GaAs au sein d’un support en graphite contenant des chambres séparées pour le matériau à déposer sur les plaquettes. Des quantités pesées des matériaux de dépôt sont placées dans la chambre supérieure de l’appareil, tandis que les plaquettes prennent place dans une chambre inférieure. L’ensemble est introduit dans un tube de réaction en quartz, sous atmosphère d’hydrogène. On chauffe le tube pour faire fondre les matériaux et, lorsque le bain de fusion est équilibré, on fait coulisser la partie supérieure du support de façon que le bain vienne se positionner au-dessus de la plaquette. On diminue ensuite la température du four pour former la couche épitaxiale.

Ce procédé est surtout utilisé pour la fabrication des circuits intégrés à micro-ondes et des DEL de certaines longueurs d’onde. Son principal risque est dû à l’utilisation d’hydrogène, gaz hautement inflammable. On peut limiter ce risque par des moyens de prévention technique judicieusement choisis et par la mise en place de systèmes d’alerte précoce.

L’épitaxie par jets moléculaires

L’épitaxie sous vide, à savoir l’épitaxie par jets moléculaires, s’est avérée une technique particulièrement polyvalente. Ce procédé, pour le GaAs, se déroule dans un système sous vide ultrapoussé, contenant des sources de jets atomiques ou moléculaires de Ga et d’arsenic et une plaquette de substrat chauffée. Les sources de jets moléculaires sont habituellement des récipients contenant du Ga liquide ou de l’arsenic solide. Ces sources possèdent un orifice orienté vers la plaquette. Lorsqu’on chauffe le four d’effusion (ou le récipient), des atomes de Ga ou des molécules d’arsenic effusent par cet orifice. Pour le GaAs, la croissance se produit généralement à une température du substrat supérieure à 450 °C.

De fortes expositions à l’arsine peuvent se produire lors de la maintenance des systèmes d’épitaxie par jets moléculaires à sources solides. Des concentrations de 0,08 ppm dans l’air de la pièce ont été détectées au cours d’une étude, à l’ouverture de ce type d’appareil pour maintenance. Les auteurs formulent une hypothèse selon laquelle une émission transitoire d’arsine pourrait être provoquée par la réaction de très fines particules d’arsenic avec la vapeur d’eau, l’aluminium faisant office de catalyseur (Asom et coll., 1991).

L’épitaxie en phase vapeur

Les plaquettes, dégraissées et polies, passent par une étape d’attaque et de nettoyage préalable à l’épitaxie. Cette opération consiste en un trempé dans des bains chimiques humides successifs utilisant de l’acide sulfurique, du peroxyde d’hydrogène et de l’eau dans une proportion de 5:1:1; un rinçage à l’eau désionisée; et un nettoyage et séchage à l’alcool isopropylique. Un examen visuel est également effectué.

Deux techniques principales d’épitaxie en phase vapeur sont employées, reposant sur deux systèmes chimiques différents:

Les principes thermochimiques de ces techniques sont très différents. Les réactions des halogènes vont généralement du «chaud» vers le «froid», l’halogène III étant produit dans la zone chaude par réaction de l’élément III avec le HCl, puis diffusé dans la zone froide, où il réagit avec les éléments V pour former le matériau III-V. Par contre, la méthode organométallique est un procédé «à paroi chaude» dans lequel le groupe organique est éliminé du composé organométallique III par craquage ou pyrolyse et où la fraction III restante et l’hydrure V réagissent pour former le composé III-V.

Dans l’épitaxie en phase vapeur, le substrat de GaAs est placé dans une chambre chauffée sous atmosphère d’hydrogène. Le chauffage s’effectue soit par radiofréquence (RF), soit par résistance. Du HCl traverse par barbotage une nacelle de Ga, formant du chlorure de gallium qui réagit ensuite avec l’AsH3 et le PH3 près de la surface des plaquettes pour constituer du GaAsP, qui se dépose en couche épitaxiale sur le substrat. Différents dopants peuvent être ajoutés (selon le produit et la formule), dont des tellurures, des séléniures et des sulfures en faibles concentrations.

Une des techniques de EVP couramment utilisées pour la production des DEL est le système halogène III et hydrogène V (hydrure). Le procédé comporte deux cycles — tout d’abord formation de la couche épitaxiale de GaAsP sur le substrat GaAs, puis cycle d’attaque pour nettoyer de ses impuretés la chambre en graphite ou en quartz du réacteur. Pendant le cycle de croissance épitaxiale, les plaquettes de GaAs préalablement nettoyées sont chargées sur un panier circulaire situé dans une chambre de réaction en quartz contenant un réservoir de gallium élémentaire liquide traversé par un débit mesuré de HCl anhydre, formant du GaCl3. Des mélanges gazeux hydrure/hydrogène (par exemple, 7% de AsH3/H2 et 10% de PH3/H2) sont également envoyés en doses précises dans la chambre de réaction, additionnés de concentrations de l’ordre de quelques ppm de dopants organométalliques de tellure et de sélénium. Les éléments chimiques de la zone chaude, à savoir la partie supérieure de la chambre de réaction, réagissent et, dans la zone froide, partie inférieure de la chambre, forment la couche désirée de GaAsP sur la plaquette ainsi que sur les parois intérieures de la chambre du réacteur.

Les effluents du réacteur sont envoyés à un système de torche à hydrogène (chambre de combustion ou boîte de brûlage) où ils sont pyrolysés et évacués vers un épurateur par voie humide. Une autre technique consiste à faire barboter les effluents à travers un milieu liquide pour retenir la plupart des particules. Le problème de sécurité qui se pose alors est que l’on compte sur les réacteurs eux-mêmes pour «craquer» les gaz. Le rendement de ces appareils est d’environ 98 à 99,5% et, par conséquent, une partie des gaz n’ayant pas réagi peut s’échapper du laveur lorsque les opérateurs retirent celui-ci pour entretien. Ces laveurs émettent des composés contenant de l’arsenic et du phosphore, ce qui impose de les transporter rapidement vers un récipient de maintenance ventilé, où ils sont purgés et nettoyés, de manière à limiter au minimum l’exposition du personnel. La difficulté inhérente à ce processus, du point de vue de l’hygiène du travail, est de définir la nature des effluents évacués, étant donné que la plupart des composés émanant des différentes parties du réacteur, notamment du laveur, sont instables dans l’air, et que les milieux de collecte et les techniques d’analyse classiques ne permettent pas de distinguer les différents éléments.

Un autre point critique concerne les pré-épurateurs des réacteurs de EVP, qui peuvent contenir de fortes concentrations d’arsine et de phosphine. Des expositions supérieures aux limites d’exposition professionnelle peuvent se produire si ces appareils sont ouverts sans précautions (Baldwin et Stewart, 1989).

Le cycle d’attaque est exécuté à la fin du cycle de croissance. Les pièces neuves des réacteurs y sont également soumises, afin de nettoyer la surface intérieure de toute impureté. Un débit mesuré de HCl gazeux non dilué est introduit dans la chambre pendant une durée de 30 minutes environ, et le réacteur est chauffé au-delà de 1 200 °C. Les effluents sont envoyés vers un laveur pour y être neutralisés.

A la fin des deux cycles, croissance et attaque, une purge poussée au N2 est effectuée pour chasser de la chambre du réacteur les gaz toxiques, inflammables et corrosifs.

Le nettoyage du réacteur

Après chaque cycle de croissance, il est nécessaire d’ouvrir le réacteur, d’extraire les plaquettes et de nettoyer physiquement les parties supérieure et inférieure de l’appareil. C’est l’opérateur qui effectue ce nettoyage.

Le pré-épurateur en quartz des réacteurs est physiquement extrait de l’appareil et placé dans une enceinte à ventilation par aspiration où il est purgé au N2, rincé à l’eau, puis plongé dans l’eau régale. Ces opérations sont suivies d’un autre rinçage à l’eau, puis du séchage de la pièce. Le but de la purge au N2 est simplement de déloger l’oxygène dû à la présence de phosphore pyrophorique instable. Certains résidus contenant différents dérivés de l’arsenic, et certains sous-produits renfermant du phosphore subsistent sur ces pièces, même après la purge et le rinçage à l’eau. Les réactions entre ces résidus et le puissant mélange oxydant/acide peuvent éventuellement produire d’importantes quantités de AsH3 et un peu de PH3. Il existe également des risques d’exposition dans d’autres procédures de maintenance de ce secteur.

La partie inférieure de la chambre de réaction en quartz et la plaque inférieure (plaque de base) sont nettoyées par raclage à l’aide d’un outil métallique, et les particules détachées (un mélange de GaAs, de GaAsP, d’oxydes d’arsenic, d’oxydes de phosphore et de gaz d’hydrures prisonniers) sont recueillies dans un récipient métallique placé sous le réacteur vertical. Le nettoyage final se fait par aspiration avec filtrage à haute efficacité.

Une autre opération présentant un risque d’exposition chimique est celle du nettoyage du piège du réacteur. Il consiste à racler les parties en graphite de la chambre supérieure, qui portent une croûte de tous les sous-produits précédemment cités, plus du chlorure d’arsenic. Ce raclage, qui libère des poussières, s’effectue dans une enceinte ventilée par aspiration afin de limiter au minimum l’exposition des opérateurs. La conduite d’évacuation, qui contient tous les sous-produits et de l’humidité sous la forme d’un effluent liquide, est ouverte et vidangée dans un récipient métallique. Un filtre à haut rendement pour aérosols particulaires (High Efficiency Particulate and Aerosol (HEPA)) piège et évacue les particules de poussières pouvant s’être détachées pendant le transfert des pièces en graphite et lors de la montée et de la descente de la cloche.

Le dépôt par vapeurs chimiques organométalliques

Ce procédé est d’un emploi très répandu dans la préparation des composants III-V. En plus des hydrures gazeux utilisés comme matériaux sources dans d’autres systèmes de CVD (par exemple, arsine et phosphine), d’autres produits liquides moins toxiques (comme le tert-butylarsine et le tert-butylphosphine) sont également employés dans les systèmes de dépôt par vapeurs chimiques organométalliques, en même temps que d’autres toxiques comme les alkyles de cadmium et le mercure (Content, 1989; Rhoades, Sands et Mattera, 1989; Roychowdhury, 1991).

Alors que l’épitaxie en phase vapeur désigne un processus de dépôt de matériaux complexes, le terme de dépôt par vapeurs chimiques organométalliques fait référence aux sources chimiques parentes utilisées dans le système. Deux familles chimiques sont employées: les halogénures et les composés organométalliques. Le procédé d’épitaxie en phase vapeur décrit ci-dessus est à base d’halogénures. Un halogénure de groupe III (gallium) se forme dans la zone chaude, et le composé III-V est déposé dans la zone froide. Dans le procédé organométallique appliqué pour la production de GaAs, on envoie dans la chambre de réaction un dosage de triméthylgallium avec l’arsine, ou un autre liquide moins toxique comme le tert-butylarsine, pour former l’arséniure de gallium. L’équation suivante est représentative de la réaction de dépôt par vapeurs chimiques organométalliques:

(CH3)3Ga + AsH3 right arrow GaAs + 3CH4

D’autres systèmes chimiques sont employés pour la production des DEL par cette méthode de dépôt. Parmi les organométalliques utilisés comme éléments du groupe III figurent le triméthylgallium (TMGa), le triéthylgallium (TEGa), le TM-indium, le TE-indium et le TM-aluminium. Des hydrures gazeux sont également employés dans ce procédé: 100% AsH3 et 100% PH3. Les dopants utilisés sont le diméthylzinc, le bis-cyclopentadiénylmagnésium et le séléniure d’hydrogène (H2Se). On fait réagir ces matériaux dans la chambre de réaction sous une atmosphère de H2 à basse pression. La réaction produit des couches épitaxiales de AlGaAs, AlInGaP, InAsP et GaInP. Cette technique est traditionnellement utilisée dans la fabrication des lasers à semi-con-ducteurs et des appareils de communication optique comme les émetteurs et les récepteurs pour fibre optique. Le procédé au AlInGaP permet de produire des DEL très lumineuses.

De même que pour l’épitaxie en phase vapeur, la technique MOCVD soulève des problèmes de nettoyage des réacteurs et des pièces, aussi bien du point de vue du procédé lui-même que de celui de l’hygiéniste du travail, notamment lorsque de grandes quantités de PH3 concentré sont mises en œuvre. L’efficacité du craquage de ces réacteurs n’est pas aussi bonne que celle des réacteurs EVP. Ils produisent d’importantes quantités de phosphore, qui présente un risque d’incendie. La procédure de nettoyage implique l’utilisation d’une solution de peroxyde d’hydrogène et d’hydroxyde d’ammonium sur différentes parties de ces réacteurs, ce qui représente un danger d’explosion si, suite à une erreur de l’opérateur, on applique une solution concentrée en présence d’un catalyseur métallique.

La fabrication des composants

La plaquette de GaAs portant à sa surface supérieure une couche formée par épitaxie de GaAsP traverse ensuite la séquence de fabrication du composant.

Le dépôt de nitrure

On applique à haute température un CVD de nitrure de silicium (Si3N4), dans un four de diffusion normal. Les sources gazeuses sont le silane (SiH4) et l’ammoniac (NH3), avec l’azote comme gaz porteur.

Le procédé photolithographique

Il s’agit du même procédé classique d’application de résine photosensible, d’alignement/exposition, de développement et de décapage que celui appliqué aux composants au silicium (voir la partie consacrée à la lithographie dans l’article «La fabrication des semi-conducteurs au silicium»).

L’attaque humide

Différentes compositions de solutions acides en phase liquide sont employées dans les cuves en plastique des bains d’attaque à ventilation par aspiration localisée, dont certains sont équipés de systèmes d’alimentation en air laminaires montés verticalement à filtres à haut rendement. Les principaux acides utilisés sont les suivants: sulfurique (H2SO4), fluorhydrique (HF), chlorhydrique (HCl) et phosphorique (H3PO4). Comme dans la fabrication des composants en silicium, le peroxyde d’hydrogène (H2O2) est employé avec l’acide sulfurique, et l’hydroxyde d’ammonium (NH4OH) assure une attaque caustique. Une solution de cyanure (de sodium ou de potassium) est également employée pour attaquer l’aluminium. Cependant, l’attaque au cyanure tend à être progressivement abandonnée à mesure qu’apparaissent d’autres agents d’attaque destinés à ce procédé. L’attaque humide est parfois remplacée par l’attaque au plasma et par le calcinage. Les configurations des réacteurs et les gaz réactifs sont très semblables à ceux utilisés dans la fabrication des composants au silicium.

La diffusion

La diffusion est effectuée avec une source solide de diarséniure de zinc sous ampoule fermée dans un four de diffusion sous vide à 720 °C, avec le N2 comme gaz porteur. Les dopants sont l’arsenic et l’arséniure de zinc. Ils sont pesés dans une boîte à gant, de la même manière que le substrat de base.

La métallisation

On effectue une évaporation initiale d’aluminium à l’aide d’un évaporateur à faisceau d’électrons. Après rectification de la face arrière, la dernière étape est un dépôt d’or par évaporation, effectué avec un évaporateur à filament.

L’alliage

Une étape finale d’alliage est effectuée dans un four de diffusion à basse température, sous atmosphère inerte d’azote.

La rectification de la face arrière

La rectification de la face arrière de la plaquette sert à éliminer les matériaux qui s’y sont déposés (GaAsP, Si3N4, etc.). Les plaquettes sont montées à la cire sur une plaque et rectifiées par voie humide avec une bouillie de silice colloïdale. La cire est ensuite éliminée avec un décapant organique humide dans un poste d’attaque chimique à ventilation par aspiration localisée. Un autre procédé est la rectification à sec, avec l’oxyde d’aluminium comme abrasif.

Les résines photosensibles et les décapants utilisés sont nombreux. Ils contiennent en général de l’acide sulfonique (acide dodécylbenzène sulfonique), de l’acide lactique, des hydrocarbures aromatiques, du naphthalène et du catéchol. Certains décapants contiennent de l’éthanoate de butyle, de l’acide acétique et de l’ester de butyle. Selon le produit, les agents photosensibles employés sont soit positifs, soit négatifs.

L’essai final

Comme les composants au silicium, les circuits de LED terminés sont essayés par ordinateur et marqués (voir l’article «La fabrication des semi-conducteurs au silicium»). Une inspection finale est effectuée; les plaquettes subissent ensuite des essais électriques afin de détecter et de marquer les puces défectueuses. Après un sciage humide pour séparer les puces individuelles, celles-ci sont envoyées à l’assemblage.

LE MONTAGE DES CARTES À CIRCUIT IMPRIMÉ ET L’ASSEMBLAGE DES ORDINATEURS

Michael E. Williams

Les cartes à circuit imprimé

Les circuits imprimés constituent la structure physique et de liaison électrique qui rattache les différents composants d’une carte à circuit imprimé. Il existe des circuits imprimés à simple face, à double face, multicouches et flexibles. La complexité des cartes, de plus en plus denses et petites, et les exigences en matière d’espacement des circuits ont obligé à câbler les deux faces de chaque carte. Les cartes à simple face étaient suffisantes pour les premiers ordinateurs et pour les appareils simples d’électronique grand public, mais avec les ordinateurs portables, les appareils numériques personnels et les lecteurs musicaux individuels d’aujourd’hui, il est devenu nécessaire d’utiliser des circuits à double face et multicouches. Le procédé d’impression des circuits est pour l’essentiel une technique photolithographique qui consiste à déposer et à éliminer de façon sélective sur un substrat diélectrique des couches de matériaux faisant office de «câblage» électrique, et qui sont gravées ou déposées sur la plaque-support.

Les cartes multicouches comportent deux ou plusieurs plaques de matériau diélectrique, dont les circuits sont superposés et reliés les uns aux autres. Des liaisons électriques sont établies entre une face et l’autre, et avec les couches de circuits internes, par des trous métallisés sur toute leur profondeur. Le substrat diélectrique le plus utilisé est la plaque de fibre de verre (résine époxy et fibre de verre en couches multiples). On trouve également comme support le verre (avec résines polyimide, Téflon ou triazine) et le papier enduit de résine phénolique. Aux Etats-Unis, les plaques de matériau stratifié sont classées d’après leurs propriétés d’extinction de flamme; leurs caractéristiques de perçage, de poinçonnage et d’usinage; leurs propriétés d’absorption d’humidité; leur résistance aux produits chimiques et à la chaleur; et leur solidité mécanique (Sober, 1995). Le FR-4 (substrat de résine époxy et de tissu de verre) est d’un emploi répandu pour les applications de haute technologie.

Dans la pratique, la production des circuits imprimés comprend de nombreuses étapes et met en œuvre une grande diversité d’agents chimiques. Le tableau 83.9 illustre un processus représentatif de production de cartes multicouches et les problèmes de sécurité et de santé qui l’accompagnent. La principale différence entre les cartes à simple face et à double face est que les premières partent d’un matériau brut revêtu de cuivre d’un seul côté et ne passent pas par l’étape de placage chimique de cuivre. Le circuit imprimé à double face classique comporte un masque de soudure sur le cuivre nu et ses trous sont plaqués. Il est pourvu de contacts revêtus à l’or et d’une légende des composants. La plupart des circuits aujourd’hui sont des plaques multicouches, recouvertes sur les deux faces, avec des couches internes qui ont été fabriquées séparément et qui sont intercalées et collées entre les couches extérieures, la suite du processus de fabrication étant pratiquement la même que pour une carte à double face.

Tableau 83.9 Fabrication des circuits imprimés: problèmes d'environnement,
de sécurité et de santé

Etapes principales du processus

Problèmes de sécurité et de santé

Problèmes d’environnement

Préparation du matériau

Achat des plaques de stratifié spécifiques, des matériaux de base et des plaques supports prédécoupées aux dimensions
Etablissement du tracé sur ordinateur

Conception assistée par ordinateur – Risques liés aux écrans de visualisation et à l’ergonomie

Aucun

Empilage et brochage

Les plaques revêtues de cuivre sont empilées avec le matériau de base et les plaques supports. Les trous sont percés et brochés

Bruit du perçage; déchets de perçage contenant du cuivre, du plomb, de l’or, de la résine époxy et des fibres de verre

Emission de particules (cuivre, plomb et résine époxy/fibres de verre) recyclées ou récupérées

Perçage

Perceuses à commande numérique

Bruit du perçage; déchets de perçage contenant du cuivre, du plomb, de l’or, de la résine époxy et des fibres de verre

Emission de particules (cuivre, plomb et résineépoxy/fibres de verre) recyclées ou récupérées

Ebavurage

Les plaques percées traversent un système de brossage ou de meulage

Bruit de l’ébavurage; déchets contenant du cuivre, du plomb, de l’or, de la résine époxy et des fibres de verre

Emission de particules (cuivre, plomb et résine époxy/fibres de verre) recyclées ou récupérées

Placage cuivre non électrolytique

Dépôt d’une fine couche de cuivre sur les trous métallisés (en plusieurs phases)

Exposition, par inhalation et par contact cutané, aux agents de nettoyage, de préparation, de gravure, aux catalyseurs – H2SO4, H2O2, glycoléthers, KMnO4, NH4HF2, palladium, SnCl2, CuSO4, formaldéhyde, NaOH

Effluents aqueux – acides, cuivre, agents caustiques, fluorures, émissions atmosphériques – gaz acides, formaldéhyde

Imagerie

Résine photosensible en film sec – photopolymère sensible aux UV
Résine photosensible sérigraphiée– émulsion photosensible
Résine liquide – résine photosensible liquide

Exposition, par inhalation et par contact cutané, aux résines photosensibles; révélateurs; et décapants – résines photosensibles à base caoutchouc avec solvants; Na3PO4 et K2CO3; chlorure cuprique (gaz Cl2), monoéthanolamine

Emissions atmosphériques – solvants (COV), gaz acides, monoéthanolamine; déchets – liquides

Placage de l’impression

Nettoyage
Placage cuivre
Placage étain ou étain/plomb
Décapage

Exposition, par inhalation et par contact cutané, au cours du nettoyage; du revêtement cuivre, étain ou étain/plomb et du décapage – H3PO4, H2SO4; H2SO4 et CuSO4; acide fluoborique et Sn/Pb; HNO3 concentré

Emissions atmosphériques – gaz acides; eau, effluents – acides, fluorures, métaux (cuivre, plomb et étain)

Décapage, gravure, décapage

Décapage des résines photosensibles
Gravure alcaline
Décapage du cuivre

Exposition, par inhalation et par contact cutané, au cours du décapage de la résine photosensible; agent de gravure alcalin ou décapage du cuivre – monoéthanolamine; NH4OH; NH4Cl/NH4OH ou NH4HF2

Emissions atmosphériques – monoéthanolamine, ammoniac, fluorures; effluents aqueux – ammoniac, fluorures, métaux (cuivre, plomb et étain), composés des résines photosensibles

Masque de soudure

Encres époxy – sérigraphie
Films secs – appliqués sur la carte
Encres d’imagerie époxy liquide

Exposition, par inhalation et par contact cutané, au cours du prénettoyage; encres époxy et solvants de dilution; révélateurs – H2SO4; épichlorhydrine + bisphénol A, glycoléthers (à base de AEMPG); gamma-butyrolactone.
Rayonnement UV du procédé de durcissement

Emissions atmosphériques – gaz acides, glycoléthers (COV); déchets – solvants, encres époxy

Revêtement de soudure

Lissage de la soudure

Exposition, par inhalation et par contact cutané, au flux, aux produits de décomposition et aux résidus de plomb/étain – glycoléthers dilués + < 1% HCl et < 1% HBr, aldéhydes, HCl, CO; plomb et étain

Emissions atmosphériques – glycoléthers (COV), gaz acides, aldéhydes, CO; déchets – soudure au plomb, à l’étain, flux

Placage or et nickel

 

Exposition, par inhalation et par contact cutané, aux acides, aux métaux et aux cyanures – H2SO4, HNO3, NiSO4, cyanure auropotassique

Emissions atmosphériques – gaz acides, cyanures; rejets dans l’eau – acides, cyanures, métaux; déchets – cyanures, métaux

Légendes des composants

Sérigraphie
Durcissement en étuve

Exposition, par inhalation et par contact cutané, aux encres à base époxy et aux solvants de dilution – solvants à base glycoléther, épichlorhydrine + bisphénol A

Emissions atmosphériques – glycoléthers (COV); déchets – encres et solvants (faibles quantités)

AEMPG = acétate d’éther monométhylique de propylèneglycol; Cl2 = chlore gazeux; CO = monoxyde de carbone; CuSO4 = sulfate de cuivre; H2O2 = peroxyde d’hydrogène; H2SO4 = acide sulfurique; H3PO4 = acide phosphorique; HBr = acide bromhydrique; HCl = acide chlorhydrique; HNO3 = acide nitrique; K2CO3 = carbonate de potassium; KMNO4 = permanganate de potassium; Na3PO4 = phosphate de sodium; NH4Cl = chlorure d’ammonium; NH4OH = hydroxyde d’ammonium; NH4HF2 = bifluorure d’ammonium; NaOH = hydroxyde de sodium; NiSO4 = sulfate de nickel; Pb = plomb; Sn = étain; SnCl2 = chlorure stanneux; UV = ultraviolet; COV = composés organiques volatils.

Le montage des cartes à circuit imprimé

Cette étape comprend la fixation physique des composants électroniques sur la carte au moyen d’une soudure au plomb/étain (appliquée dans une machine de soudage à la vague, ou déposée sous forme de pâte puis refondue dans un four à basse température) ou de résines époxy (avec prise dans un four à basse température). La carte-support (simple face, double face, multicouches ou flexible) détermine la densité des composants qu’il est possible d’y fixer. C’est en fonction des nombreux problèmes de fabrication et de fiabilité à résoudre que l’on choisit la technique de montage. Les principaux procédés sont les suivants: technologie du montage en surface intégral, technologie mixte (comprenant à la fois le montage en surface et la technique des trous métallisés avec fixation par en dessous). En général, dans les usines modernes d’assemblage de composants électroniques et d’ordinateurs, on utilise la technologie mixte, où certains composants sont montés en surface, et d’autres connecteurs et composants sont soudés par la technologie du trou métallisé ou par refusion. On décrit plus loin un exemple typique de procédé mixte, avec montage en surface par fixation adhésive, soudage à la vague et soudage par refusion. Avec la technologie mixte, il est parfois possible de fixer par refusion des composants montés en surface sur la face supérieure d’une carte à simple face et de souder à la vague ceux de l’autre face. Ce genre de procédé est particulièrement utile lorsqu’il est nécessaire de combiner, sur une même carte, les technologies du montage en surface et des trous métallisés, ce qui est la norme dans la fabrication électronique actuelle. La première étape consiste à monter par refusion les composants montés en surface sur la face supérieure de la carte. On insère ensuite les composants fixés aux trous métallisés, puis on retourne la carte et on monte à l’adhésif les composants montés en surface de la face inférieure. La dernière étape est le soudage à la vague à la fois des composants fixés aux trous métallisés et des composants montés en surface de la face inférieure.

Les principaux stades du montage par technologie mixte sont les suivants:

On trouvera ci-après un bref exposé des implications importantes pour l’environnement, la sécurité et la santé, de chaque stade du processus.

Le pré- et le postnettoyage

Les circuits imprimés du commerce, qui sont généralement achetés auprès d’un fournisseur spécialisé, ont été préalablement nettoyés avec une solution d’eau désionisée pour éliminer toute trace de pollution de surface. Avant que l’on ne se préoccupe des problèmes d’appauvrissement de la couche d’ozone, le nettoyage final fabricant, voire le prénettoyage fait par le monteur de cartes, était effectué à l’aide d’une substance du type chlorofluorocarbure (CFC). A la fin du processus de montage des cartes à circuit imprimé, l’application d’un solvant de ce type (dégraissage en phase vapeur) pour éliminer les résidus des opérations d’apport de flux et de soudure à la vague était également courante. Là encore, les préoccupations en matière de protection de l’atmosphère et des mesures réglementaires plus strictes limitant la production de CFC ont obligé à modifier les procédés soit en supprimant ce nettoyage, soit en utilisant seulement de l’eau désionisée.

L’application de soudure en pâte et d’adhésif (impression et mise en place du pochoir) et implantation des composants

L’application de soudure en pâte à la surface du circuit, qui permet d’y fixer les composants montés en surface, est une étape essentielle du processus de fabrication par ce système. La soudure fait office de liaison pour la conduction électrique et thermique, et de revêtement de protection de la surface, tout en en améliorant la soudabilité. Cette pâte est composée, pour 70 à 90% environ, de matières non volatiles (rapport de poids à poids ou de poids à volume):

Des solvants (substances volatiles) composent le reste du produit (généralement un mélange d’alcool et d’éther de glycol selon un dosage propre au fabricant).

La soudure en pâte est déposée par impression au pochoir, d’après un dessin reproduisant exactement le motif à appliquer à la surface de la carte. La pâte est poussée à travers les ouvertures sur les emplacements des liaisons de la carte par une raclette qui parcourt lentement la surface du pochoir. On soulève ensuite ce dernier, laissant les dépôts de pâte aux endroits appropriés; les composants sont ensuite implantés sur la carte. Les principaux risques pour la sécurité et la santé dépendent de la propreté et de l’hygiène individuelle des opérateurs chargés d’appliquer la pâte à la surface du pochoir et de nettoyer celui-ci et la raclette. La concentration de plomb dans la soudure et la tendance de la pâte à adhérer après séchage à la peau et aux surfaces de travail du matériel et de l’installation impose le port de gants de protection, un nettoyage efficace des surfaces de travail, des précautions (y compris d’ordre écologique) pour l’élimination et la manipulation des produits de nettoyage contaminés, et le respect d’une stricte hygiène individuelle de la part des opérateurs (par exemple, lavage des mains au savon avant de manger, de boire ou d’appliquer des cosmétiques). Les niveaux d’exposition aux substances en suspension dans l’air sont généralement inférieurs à la limite de détection pour le plomb et, si les règles de propreté et d’hygiène individuelle sont bien respectées, les concentrations de plomb dans le sang ne dépassent pas le niveau de fond.

L’application d’adhésif consiste à déposer automatiquement de petites quantités d’une résine époxy (généralement un mélange bisphénol A-épichlorhydrine) à la surface de la carte. Les risques pour la sécurité et la santé sont avant tout de nature mécanique et proviennent des machines de saisie et d’implantation automatique des composants, des navettes portant les composants à l’arrière de ces machines, et des risques de lésions graves par ces équipements faute de protections appropriées par barrières lumineuses et sécurités mécaniques.

Le durcissement de l’adhésif et la refusion de la soudure

Les cartes portant les composants fixés par application de pâte de soudage ou d’adhésif sont ensuite transférées par un convoyeur circulant à hauteur constante vers un four de refusion en ligne qui «active» la soudure en faisant fondre la pâte à environ 200 à 400 °C. Les composants fixés par adhésif époxy passent également par une étuve située en aval de la refusion et généralement chauffée entre 130 et 160 °C. Les éléments de solvant de la pâte de soudure et de la résine époxy sont chassés par ce traitement en étuve, mais les composants plomb/étain ne sont pas volatilisés. Un résidu en forme de toile d’araignée se forme dans la gaine d’évacuation du four de refusion. Un filtre à mailles métalliques permet d’empêcher ce phénomène. Il arrive aussi que des cartes se coincent sur le convoyeur et soient surchauffées dans le four, ce qui est à l’origine d’odeurs désagréables.

L’apport de flux

Pour qu’il se forme une bonne liaison par soudure entre la surface du circuit et le fil du composant, ces deux parties doivent être exemptes d’oxydation et le rester, même à la température élevée du soudage. En outre, la soudure fondue doit mouiller les surfaces des métaux à joindre, ce qui signifie que le flux doit réagir avec les oxydes métalliques présents et les éliminer des surfaces à assembler, et empêcher la réoxydation des surfaces nettoyées. Il importe également que les résidus soient non corrosifs et faciles à éliminer. Les flux employés pour le soudage des équipements électroniques se rangent en trois grandes catégories, communément appelées flux à la colophane, flux organiques ou solubles dans l’eau, et flux synthétiques nettoyables aux solvants. Les flux à faible teneur en matières solides «sans postnettoyage» ne contenant pas de composés organiques volatils (COV), plus récemment apparus, se rangent dans la deuxième catégorie.

Les flux à la colophane

Les flux à base de colophane sont les plus couramment utilisés dans l’industrie électronique, soit en pulvérisation, soit sous forme de mousse. Le distributeur de flux peut faire partie de la machine de soudage à la vague, ou être un appareil séparé, placé à l’entrée de la machine. La base de ces flux est la colophane naturelle, translucide et de teinte ambrée, obtenue par distillation de la térébenthine de pin. La résine est recueillie, chauffée et distillée, ce qui donne une forme purifiée du produit naturel. Il s’agit d’une substance homogène, ayant un seul point de fusion. La colophane est un mélange de 90% environ d’acide résinique, lequel est pour l’essentiel un acide abiétique (un acide organique non soluble dans l’eau), avec 10% de substances neutres comme les dérivés stilbène et différents hydrocarbures. La figure 83.6 montre les structures chimiques des acides abiétique et pimarique.

Figure 83.6 Acides abiétiques et pimarique

Figure 83.6

La composante active est l’acide abiétique, qui est chimiquement actif à la température du brasage, et qui attaque l’oxyde de cuivre à la surface de la carte en formant de l’abiétate de cuivre. Les flux à base de colophane comportent trois composantes: le solvant, la colophane et l’activateur. Le solvant n’est que le véhicule du flux. Pour être efficace, la colophane doit être appliquée à l’état liquide sur le circuit imprimé. Pour ce faire, on dissout la colophane et l’activateur dans un système de solvants, généralement l’alcool isopropylique ou des mélanges d’alcools (alcool isopropylique, méthanol ou éthanol). On projette ensuite ce flux à la surface de la carte sous forme d’une mousse, par ajout d’air ou d’azote, ou par pulvérisation d’un mélange à faible teneur en matières solides, c’est-à-dire contenant plus de solvants. Les éléments solvants ayant des vitesses d’évaporation différentes, il est nécessaire d’ajouter au flux un diluant pour lui conserver une composition constante. Les principales catégories de flux à base de colophane sont la colophane faiblement activée, la plus couramment employée, et la colophane activée, à laquelle on a ajouté un activateur plus agressif.

Les principaux risques pour la santé présentés par les flux à base de colophane sont liés à leur base de solvants alcooliques. Les risques pour la sécurité concernent leur inflammabilité au stockage et à l’emploi, leur classement et leur manipulation en tant que déchets dangereux, les émissions aériennes et les systèmes de traitement nécessaires à l’élimination des COV, ainsi que les problèmes d’hygiène du travail consécutifs à l’inhalation et à l’exposition cutanée. Chacun de ces points nécessite des mesures de sécurité différentes, une instruction et une formation particulières des travailleurs, et des permis et certificats de conformité spécifiques (Association of the Electronics, Telecommunications and Business Equipment Industries, 1991).

Au cours de l’opération de soudure à la vague, le flux est chauffé entre 183 et 399 °C. Les produits en suspension dans l’air comprennent des aldéhydes aliphatiques, comme le formaldéhyde. De nombreux flux contiennent également un activateur organique au chlorhydrate d’amine, qui sert à nettoyer la zone à souder et qui dégage de l’acide chlorhydrique lorsqu’il est chauffé. Parmi les autres composants gazeux figurent le benzène, le toluène, le styrène, le phénol, le chlorophénol et l’alcool isopropylique. Outre ses éléments gazeux, le flux émet d’importantes quantités de particules de 0,01 à 1 micron, que l’on appelle fumées de colophane. Ces particules se sont révélées être des irritants respiratoires et des sensibilisateurs respiratoires chez certains individus prédisposés (Hausen, Krohn et Budianto, 1990). Au Royaume-Uni, les normes d’exposition aux substances en suspension dans l’air imposent de maintenir les fumées de colophane au plus bas niveau possible (Health and Safety Commission, 1992). De plus, la Conférence américaine des hygiénistes gouvernementaux du travail (American Conference of Governmental Industrial Hygienists (ACGIH)) a défini une valeur limite d’exposition distincte pour les produits de pyrolyse des soudures à base de colophane, fixée à 0,1 mg/m3, sur la base des mesures de formaldéhyde (ACGIH, 1994). L’Association des industries du plomb (Lead Industries Association, Inc.) énumère l’acétone, l’alcool méthylique, les aldéhydes aliphatiques (mesurés par le formaldéhyde), le dioxyde de carbone et le monoxyde de carbone, le méthane, l’éthane, l’acide abiétique et les acides diterpéniques apparentés comme produits de décomposition typiques des soudures à âme colophane (Lead Industries Association, Inc.,1990).

Les flux organiques

Les flux organiques, parfois appelés flux intermédiaires ou solubles dans l’eau, sont des composés à la fois plus actifs que les flux à base colophane et moins corrosifs que les flux acides utilisés dans les industries métallurgiques. Les composés actifs de cette catégorie se rangent en trois groupes:

Ces substances et d’autres parties de la préparation, comme les surfactants destinés à diminuer la tension de surface de la soudure, sont dissoutes dans du polyéthylèneglycol, des solvants organiques, de l’eau ou dans un mélange de plusieurs de ces éléments. Les flux organiques doivent être considérés comme des produits corrosifs, mais ils s’éliminent facilement avec de l’eau chaude.

Les flux synthétiques activés

Alors que les flux à base de colophane sont des substances solides que l’on dilue dans un solvant, les flux synthétiques activés sont généralement des préparations entièrement liquides (solvent + flux). Le solvant porteur s’évapore au cours de la phase de préchauffe de l’opération de soudure à la vague, laissant à la surface de la carte un résidu humide et huileux qu’il faut nettoyer dès la fin du soudage. La principale caractéristique des flux synthétiques activés est leur facilité de nettoyage avec un solvant approprié, généralement à base de fluorocarbures. Les mesures prises à l’encontre des substances contribuant à l’appauvrissement de la couche d’ozone (Fréon TF, Fréon TMS, etc.) ont sévèrement limité l’emploi de cette catégorie de flux.

Les flux à faible teneur en matières solides sans postnettoyage ou sans COV

Pour supprimer l’opération de nettoyage après soudage des résidus corrosifs ou poisseux avec des solvants aux fluorocarbures, il a été mis au point une nouvelle catégorie de flux qui s’est généralisée. Ces flux, dont l’activité est similaire à celle des flux à colophane faiblement activée, ont une teneur en matières solides d’environ 15%. Cette teneur, qui est une mesure de la viscosité, est le rapport entre flux et solvant. Plus elle est faible, plus la proportion de solvant est élevée. Plus elle est élevée, plus le flux est actif et plus un nettoyage après soudage risque d’être nécessaire. C’est pourquoi les flux à faible teneur en matières solides, qui ne nécessitent en principe pas de nettoyage postérieur, sont maintenant d’un emploi courant dans l’industrie électronique. Du point de vue des émissions aériennes et de l’environnement, ces types de flux ont supprimé la nécessité du dégraissage aux vapeurs de fluorocarbures des cartes soudées à la vague, mais leur plus forte teneur en solvant, par contre, a fait augmenter le volume des évaporations de solvants à base alcoolique, avec pour résultat des niveaux de COV plus élevés. Or, les niveaux d’émissions de ceux-ci dans l’air sont étroitement contrôlés aux Etats-Unis et dans de nombreux autres pays. On a remédié à cette situation par l’introduction de flux sans postnettoyage à base d’eau (et non plus de solvants), mais contenant des activateurs et des colophanes semblables aux autres. Les principaux ingrédients actifs sont à base d’acide dicarboxylique (2 à 3%), en général des acides glutarique, succinique et adipique. Ils contiennent également des surfactants et des inhibiteurs de corrosion (environ 1%), ce qui leur confère un pH acide de 3 à 3,5. Ces flux éliminent pratiquement les émissions aériennes de COV et les autres risques en matière de sécurité et de santé associés à l’utilisation de flux à base de solvants. Les produits de décomposition identifiés dans les flux à base de colophane restent les mêmes, et le pH en gros neutre ne nécessite pas que le matériel de manipulation des flux ait une résistance particulière aux acides. Dans certains cas, on a fait état de problèmes potentiels d’exposition cutanée ou respiratoire aux résidus secs moyennement acides des acides dicarboxyliques et d’inhibiteurs de corrosion qui peuvent se déposer sur les porte-cartes, les chariots de transport et les surfaces internes des machines de soudure à la vague des systèmes employant ces composés. En outre, il peut arriver que les composants aqueux de ces flux ne soient pas suffisamment évaporés avant de parvenir au bac de soudure en fusion, ce qui peut provoquer des projections de soudure chaude.

La soudure à la vague

L’apport de flux à la surface de la carte peut être assuré soit par un distributeur de flux interne à l’installation de soudure à la vague, soit par un appareil séparé placé à l’entrée de celle-ci. La figure 83.7 montre le schéma d’une machine de soudure à la vague classique, avec distributeur de flux interne. Dans l’une ou l’autre de ces configurations, le flux est appliqué en mousse ou par pulvérisation.

Figure 83.7 Schéma d'une soudeuse à vague

Figure 83.7

La préchauffe

Les liquides porteurs de flux doivent être évaporés avant le soudage. Cette opération est effectuée par des préchauffeurs qui éliminent les composants liquides. Les préchauffeurs utilisés sont principalement de deux types: radiants (à barre chaude) et volumétriques (à air chaud). Les préchauffeurs radiants, très répandus aux Etats-Unis, présentent un risque d’inflammation du flux ou du solvant excédentaires, ou d’une décomposition du matériau de la carte si celle-ci vient à s’immobiliser sous l’élément chauffant. Une ventilation avec aspiration localisée est assurée du côté distributeur de flux/préchauffeur de la machine de soudure à la vague afin de recueillir et d’évacuer les vapeurs de solvants et de flux émises pendant ces opérations.

Le soudage

L’alliage de soudage (le plus souvent à 63% d’étain et 37% de plomb), contenu dans un grand réservoir, appelé bac à soudure, est chauffé électriquement de façon à maintenir la soudure à l’état fondu. L’équipement comprend un puissant élément de chauffe pour la fusion initiale de la masse, et une source de chaleur plus petite et régulée de contrôle thermostatique de la température.

Pour obtenir un soudage satisfaisant, le bac et les systèmes de recirculation doivent permettre de produire une vague homogène de soudure fraîche. Au cours du processus, la soudure pure se pollue de produits d’oxydation du plomb/étain, d’impuretés métalliques et de produits de décomposition du flux. Ces éléments forment des «crasses» à la surface du bain. Plus ces crasses s’accumulent, plus leur formation s’accélère. Les crasses compromettent l’opération de soudage et la vague de soudure elle-même. Si on les laisse s’accumuler dans le bac, elles risquent d’être aspirées par la pompe de recirculation et de provoquer une abrasion de la turbine. Les opérateurs de la machine doivent donc régulièrement décrasser la vague. L’opération consiste à écumer la soudure en fusion pour enlever les crasses solidifiées, et à recueillir ces résidus pour qu’ils soient régénérés et recyclés. Pour ce faire, l’opérateur doit ouvrir la trappe d’accès arrière (généralement une porte de type papillon) proche du bac, et écumer manuellement les crasses chaudes. Au cours de ce travail se dégagent du bac des émissions visibles, lesquelles ont des effets très irritants pour les yeux, le nez et la gorge des opérateurs. Ces derniers doivent porter des gants de protection thermique, un tablier, des lunettes, un masque de sécurité et un appareil de protection respiratoire contre les particules de plomb et d’étain et contre les gaz corrosifs (HCl et formaldéhyde). Dans des conditions normales, la ventilation avec aspiration localisée évacue les gaz directement dans la machine, mais pour le décrassage, le bac doit être extrait par des moyens mécaniques de l’enceinte principale pour que l’opérateur puisse accéder à ses deux côtés; une fois le bac sorti, les substances libérées ne sont plus aspirées. Les principaux risques en matière de sécurité et de santé sont les suivants: brûlures thermiques par la soudure chaude, exposition respiratoire aux substances précédemment indiquées, lésions dorsales dues à la manipulation des lourds lingots de soudure et des fûts de crasses, et exposition aux résidus et fines particules de plomb et d’étain au cours des travaux de maintenance.

Pendant l’opération de soudage proprement dite, les portes d’accès sont fermées et l’intérieur de la machine est maintenu en dépression par la ventilation avec aspiration localisée assurée des côtés apport de flux et soudure de la vague. Cette ventilation et les températures de fonctionnement du bac (en général fixées entre 302 et 316 °C, c’est-à-dire juste au-dessus du point de fusion de la soudure) n’engendrent qu’une formation minime de fumées de plomb. La principale source d’exposition aux particules de plomb et d’étain survient lors des opérations de décrassage et de maintenance des équipements, où il faut remuer les crasses et les transférer dans le récipient de récupération et, ensuite, nettoyer les résidus de soudure. Les fines particules de plomb et d’étain qui se forment lors du décrassage peuvent se répandre dans l’espace de travail et dans la zone respiratoire de l’opérateur. Différents moyens de prévention technique ont été mis au point pour réduire le plus possible ces risques d’exposition aux particules de plomb, dont le raccordement d’une ventilation avec aspiration localisée au récipient de récupération (voir figure 83.8), l’emploi de systèmes d’aspiration à filtres à haut rendement pour le nettoyage des résidus et la mise en place de conduites d’évacuation souples, avec bras articulés, pour placer la bouche d’aspiration au-dessus du bac chaud lors du décrassage. D’autres mesures sont d’interdire le recours à des balais ou à des brosses pour enlever les résidus de soudure, ainsi que de prescrire des pratiques rigoureuses de nettoyage des locaux et d’hygiène du personnel. Pendant les opérations de maintenance des équipements de soudure à la vague (à fréquence hebdomadaire, mensuelle, trimestrielle et annuelle), différentes parties du bac à soudure sont soit nettoyées en place, soit démontées et nettoyées sous une hotte d’aspiration. Ces opérations de nettoyage peuvent comprendre un raclage physique ou mécanique (à l’aide d’une perceuse électrique équipée d’une brosse rotative) de la pompe à soudure et des chicanes. Le nettoyage mécanique libère de fortes émissions de particules de plomb et il doit, par conséquent, être effectué dans une enceinte avec extraction locale.

Figure 83.8 Chariot de décrassage avec couvercle aspirant

Figure 83.8

L’inspection, les retouches et les essais

Les opérations d’inspection et de retouche, qui sont effectuées après le soudage à la vague, consistent en un examen détaillé, à l’aide de loupes et de systèmes d’éclairage spéciaux, avec rectification des imperfections décelées. Les travaux de retouche peuvent impliquer l’utilisation de fers à souder manuels, avec baguettes de soudure à âme de flux de colophane, ou avec application d’une petite quantité de flux liquide et de soudure de fil de plomb et d’étain. Les fumées visibles dégagées par le soudage à la baguette des produits témoignent de la décomposition du flux employé. Les gouttelettes de soudure n’ayant pas adhéré au joint soudé peuvent présenter un problème qui doit être résolu par des mesures de propreté des locaux et d’hygiène du personnel. Il convient de prévoir soit un ventilateur placé à proximité du poste de travail, qui assurera une ventilation par dilution dans l’air ambiant en soufflant les produits loin de la zone respiratoire de l’opérateur, soit un système plus élaboré d’aspiration, recueillant les fumées à la pointe du fer à souder ou au-dessus de la pièce en cours de retouche. Les fumées sont ensuite dirigées vers un épurateur d’air avec filtre à particules à haut rendement et adsorption des gaz par charbon actif, afin d’éliminer les gaz d’aldéhyde aliphatique et d’acide chlorhydrique. L’efficacité de ces systèmes d’extraction au poste de soudage dépend pour une grande part de la vitesse d’aspiration, de la proximité du système du point d’émission des fumées et de l’absence de courants d’air parasites près de la surface de travail. Les essais électriques que subit ensuite la carte terminée nécessitent un matériel et des logiciels spécialisés.

Les reprises et les réparations

Selon les résultats des essais effectués, on soumet les cartes défectueuses à une évaluation pour déterminer les composants en cause, lesquels doivent alors être remplacés. Cette reprise des cartes peut nécessiter un soudage à la baguette. S’il s’avère nécessaire de remplacer des composants importants, tels qu’un microprocesseur, on recourt à un bac à soudure de reprise, dans lequel on plonge la partie de la carte comportant la liaison ou le composant défectueux, pour pouvoir déposer l’élément concerné et le remplacer. Si le composant est plus petit ou plus facile à enlever, on emploie un système de chauffe par air chaud avec pompe à soudure pour aspirer la soudure. Le bac de reprise est placé dans une enceinte équipée d’un système de ventilation avec aspiration localisée suffisamment puissant pour capter les produits de décomposition du flux qui se forment lors de l’application au pinceau de la soudure liquide sur la carte jusqu’à la solidification. Dans ce bac, il se forme également des crasses, ce qui impose là encore des équipements et des procédures de décrassage, quoique à une échelle nettement moindre. Dans le cas du système par air chaud avec pompe à soudure, il n’est pas nécessaire de prévoir une enceinte close, mais il faut, par contre, manipuler, régénérer et recycler les résidus de soudure plomb/étain récupérés en tant que déchets dangereux.

Les opérations connexes — le nettoyage des pochoirs

Comme il a été dit, la première étape du montage des cartes de circuits imprimés consiste à poser un pochoir destiné à former le dessin selon lequel la pâte de soudure plomb/étain doit être appliquée à la raclette. De façon générale, les ouvertures du pochoir commencent à s’obstruer après une journée de travail, et il faut alors éliminer les résidus de plomb et d’étain qui s’y sont accumulés. On procède généralement à un prénettoyage sur l’imprimante sérigraphique pour enlever le plus gros des résidus par un essuyage de la surface avec des tampons jetables, imbibés d’un mélange d’alcools dilués. Pour éliminer complètement les résidus restants, une opération de nettoyage par voie humide est nécessaire. On utilise alors un appareil ressemblant à un grand lave-vaisselle, dans lequel on effectue un lessivage à l’eau chaude (57 °C) avec une solution d’amines aliphatiques diluées (mono-éthanolamine) pour éliminer chimiquement la pâte de soudure sur le pochoir. Ce lessivage entraîne d’importantes quantités de soudure plomb/étain qui se déposent dans la chambre de lavage ou partent en solution dans l’effluent aqueux. Cet effluent doit donc subir une filtration ou une opération d’élimination chimique du plomb, ainsi qu’un ajustement du pH (à l’acide chlorhydrique) en ce qui concerne les amines aliphatiques. Les systèmes les plus récents de nettoyage des pochoirs en circuit fermé utilisent la même solution de lavage jusqu’à ce qu’elle soit épuisée. Cette solution est envoyée à une installation de distillation, où les éléments volatils sont distillés jusqu’à ce qu’il subsiste un résidu semi-liquide, qui est ensuite traité comme déchet dangereux contenant du plomb et de l’étain.

L’assemblage des ordinateurs

Une fois terminée, la carte passe par des circuits de montage où elle est incorporée au produit informatique final. Cette phase implique généralement beaucoup de main-d’œuvre, avec acheminement des composants à assembler à chacun des postes de travail par des chariots de desserte parcourant la chaîne de montage. Les principaux risques pour la sécurité et la santé ont trait au déplacement et à la manutention (chariot élévateur, levage manuel), aux effets ergonomiques des opérations de montage (amplitude du mouvement, force d’insertion nécessaire à l’implantation des composants, pose de vis et de connecteurs) et à l’emballage final, y compris sous film thermorétractable et à l’expédition. De façon générale, l’assemblage d’un ordinateur comprend les étapes suivantes:

Les seuls produits chimiques utilisés dans les opérations d’assemblage sont ceux servant au nettoyage final du boîtier de l’ordinateur ou de l’écran, à savoir en général une solution d’alcool isopropylique dans l’eau ou un mélange d’agents nettoyants du commerce, comparable au Simple Green — une solution aqueuse de butyl-cellosolve — vendu aux Etats-Unis.

LES EFFETS SUR LA SANTÉ ET LES TYPES DE MALADIES

Donald V. Lassiter

Depuis l’apparition des semi-conducteurs, leur fabrication a souvent été considérée comme l’exemple même d’une industrie de haute technologie. Compte tenu des exigences très strictes auxquelles est assujettie la production de circuits électroniques à l’échelle du micron en couches multiples sur des plaquettes de silicium, l’environnement salle blanche est devenu un concept indissociable du travail dans ce secteur. Certains hydrures gazeux employés dans cette fabrication (arsine et phosphine, par exemple) ayant été d’emblée connus comme étant hautement toxiques, les techniques de protection contre les expositions par inhalation à ces produits ont de tout temps été un élément important de ces processus. Les employés de ce secteur sont d’autant plus isolés du travail dans les autres secteurs de production qu’ils doivent porter des vêtements spéciaux couvrant entièrement le corps (combinaisons), des coiffes, des couvre-chaussures et souvent même des masques faciaux (voire des appareils de protection respiratoire à adduction d’air). D’un point de vue pratique, le souci de préserver la pureté du produit a eu automatiquement comme effet bénéfique d’améliorer la protection des travailleurs contre les expositions.

Outre les vêtements de protection individuelle, des systèmes très complexes de ventilation et de surveillance de l’air et des gaz et produits chimiques sont employés dans toute l’industrie des semi-conducteurs afin de détecter les fuites de vapeurs de solvants chimiques toxiques, d’acides et d’hydrures gazeux à des niveaux ne dépassant pas parfois quelques parties par million (ppm). Bien que l’on ait été contraint à de nombreuses occasions de procéder à l’évacuation des salles de fabrication en raison de fuites, réelles ou suspectées, de gaz ou de solvants, ces incidents sont devenus plus rares, grâce aux enseignements tirés de la conception des systèmes de ventilation et de la manutention des gaz et produits chimiques toxiques ainsi qu’à des systèmes de surveillance de l’air de plus en plus perfectionnés, avec analyse continue de l’atmosphère. En revanche, la valeur marchande croissante (allant de pair avec l’augmentation du diamètre) des plaquettes de silicium, qui peuvent contenir chacune de très nombreux microprocesseurs ou puces de mémoire, peut être une cause de stress mental chez les travailleurs appelés à manipuler des conteneurs de plaquettes au cours de la fabrication. On a effectivement constaté l’existence de ce genre de stress lors d’une étude conduite sur ces travailleurs (Hammond et coll., 1995; Hines et coll., 1995; McCurdy et coll., 1995).

L’industrie des semi-conducteurs a vu le jour aux Etats-Unis, qui comptent aujourd’hui le plus grand nombre de travailleurs dans ce secteur (environ 225 000 en 1994) de tous les pays (Bureau of Labor Statistics (BLS), 1995). Il est toutefois difficile d’obtenir des estimations valables de l’emploi international dans ce domaine étant donné que cette catégorie professionnelle est incluse, dans les statistiques de la plupart des pays, dans celle de la «fabrication d’équipements électriques et électroniques». Compte tenu des très rigoureuses conditions techniques nécessaires à la fabrication de composants semi-conducteurs, il est fort probable que la situation dans les lieux de travail de cette industrie (c’est-à-dire les salles blanches) soit très largement comparable d’un pays à l’autre. Ce fait, joint à l’obligation imposée par le gouvernement des Etats-Unis d’enregistrer tous les cas graves d’accident et de maladie liés au travail chez les travailleurs américains, rend l’expérience de ce pays très pertinente, aussi bien à l’échelle nationale qu’internationale. Force est de reconnaître qu’à l’heure actuelle il n’existe que peu de sources internationales d’information et de données concernant la sécurité et la santé au travail, à part celles de l’Etude annuelle des accidents du travail et des maladies professionnelles du Bureau américain de statistiques sur le travail (Annual Survey of Occupational Injuries and Illnesses by the US Bureau of Labor Statistics (BLS)).

Pour ce qui est des Etats-Unis, où l’on recueille depuis 1972 des statistiques sur les accidents du travail et les maladies professionnelles dans toutes les branches d’activité, leur fréquence chez les travailleurs des semi-conducteurs se situe parmi les plus faibles de tous les secteurs manufacturiers. Cependant, des préoccupations se sont fait jour selon lesquelles il pourrait exister dans cette catégorie de travailleurs des effets sur la santé de nature plus subtile (LaDou, 1986), effets qui cependant n’ont pas été prouvés.

Plusieurs symposiums se sont tenus sur l’évaluation des technologies appliquées dans le secteur des semi-conducteurs, à l’occasion desquels des documents traitant des problèmes d’environnement, de sécurité et de santé au travail ont été présentés (American Conference of Governmental Industrial Hygienists (ACGIH), 1989, 1993).

Un volume limité de données sur les accidents du travail et les maladies professionnelles dans le secteur international de la fabrication de semi-conducteurs ont été rassemblées grâce à une étude spéciale, conduite en 1995, et portant sur les cas signalés pour les années 1993 et 1994. Ces données sont résumés ci-après.

Les accidents du travail et les maladies professionnelles chez les travailleurs du secteur des semi-conducteurs

En ce qui concerne les statistiques internationales relatives aux accidents du travail et aux maladies professionnelles des travailleurs du secteur des semi-conducteurs, les seules données comparables semblent être celles provenant d’une étude sur les activités de fabrication ayant eu lieu en 1995 à l’échelle multinationale (Lassiter, 1996). Ces données concernaient les activités internationales de fabricants basés aux Etats-Unis au cours des années quatre-vingt-treize - quatre-vingt-quatorze. Elles incluaient également certaines activités autres que la fabrication de semi-conducteurs proprement dite (par exemple, la production d’ordinateurs et de disques durs); toutes les entreprises participantes, cependant, faisaient partie du secteur de l’électronique. Les résultats de cette étude sont présentés dans les figures 83.9 et 83.10, qui font état des données relatives à la région Asie-Pacifique, à l’Europe, à l’Amérique latine et aux Etats-Unis. Chacun des cas enregistrés impliquait un accident du travail ou une maladie professionnelle ayant nécessité un traitement médical, ou causé un arrêt ou une incapacité de travail. Tous les taux d’incidence indiqués dans ces figures ont été calculés en nombre de cas (ou de journées de travail perdues) pour 200 000 heures de travail annuelles. Lorsque le total des heures de travail annuelles n’était pas disponible, on s’est fondé sur des estimations moyennes annuelles de l’emploi. Le dénominateur de 200 000 heures de travail correspond à 100 travailleurs à plein temps par an (en supposant 2 000 heures de travail annuelles par travailleur).

Figure 83.9 Distribution des taux d'incidence des accidents du travail et des
maladies professionnelles par région du monde, 1993 et 1994

Figure 83.9

Figure 83.10 Distribution des taux d'incidence des accidents du travail et des
maladies professionnelles avec arrêt de travail par région du monde, 1993 et 1994

Figure 83.10

La figure 83.9 indique les taux d’incidence des accidents du travail et des maladies professionnelles dans les différentes régions du monde couvertes par l’étude de 1993-94. Les fréquences individuelles par pays ne sont pas mentionnées, afin de préserver la confidentialité des informations, certaines entreprises ayant été les seules à en fournir pour quelques pays. Pour certains d’entre eux, les données ne proviennent donc que d’une seule usine. Dans plusieurs cas, les entreprises ont regroupé toutes leurs données internationales sous une même statistique. Ces dernières valeurs sont répertoriées sous la mention «Chiffres combinés» dans les figures 83.9 et 83.10.

Le taux d’incidence annuelle des accidents du travail et des maladies professionnelles entre tous les travailleurs de l’étude était de 3,3 cas pour 100 travailleurs (200 000 heures de travail) en 1993 et de 2,7 en 1994. En tout, 12 615 cas étaient signalés en 1993 et 12 368 en 1994. La grande majorité de ces cas (12 130 en 1993) se rapportaient à des entreprises américaines. Ils concernaient environ 387 000 travailleurs en 1993 et 458 000 en 1994.

La figure 83.10 présente les taux d’incidence des cas avec journées de travail perdues. Les taux d’incidence de 1993 et de 1994 reposaient sur environ 4 000 cas de journées de travail perdues pour chacune des deux années de l’étude. La plage internationale/nationale des taux d’incidence de cette statistique était la plus étroite de toutes celles mesurées. L’incidence des cas avec journées de travail perdues pourrait représenter la statistique internationale la plus comparable par rapport à la situation en matière de sécurité et de santé au travail. Le taux d’incidence des journées de travail perdues (journées d’arrêt de travail) était d’environ 15,4 journées pour 100 travailleurs pour chacune des deux années.

Les seules données détaillées connues sur les caractéristiques des accidents du travail et des maladies professionnelles dans le secteur des semi-conducteurs sont celles compilées chaque année aux Etats-Unis par le BLS, qui concernent les cas avec arrêt de travail. Les cas mentionnés ici étaient ceux qui étaient inventoriés par le BLS dans son étude annuelle sur l’année 1993. Les données provenant de cette étude apparaissent dans les figures 83.11 à 83.14. Ces figures comparent les statistiques des cas de journées de travail perdues dans le secteur privé, dans toutes les industries manufacturières et dans la fabrication des semi-conducteurs.

Figure 83.11 Incidence comparée des cas de journées de travail perdues1 par
type d'incident ou d'exposition

Figure 83.11

Figure 83.12 Incidence comparée de cas de journés de travail perdues1 pour cause
d'accident ou de maladie, 1993

Figure 83.12

Figure 83.13 Incidence comparée des cas de journées de travail perdues1 par
nature de l'accident ou de la maladie, 1993

Figure 83.13

Figure 83.14 Incidence comparée des cas de journées de travail perdues1 selon
le siège de la lésion, 1993

Figure 83.14

La figure 83.11 compare les cas de journées de travail perdues chez les travailleurs du secteur des semi-conducteurs aux Etats-Unis en 1993 avec ceux du secteur privé et de toutes les industries manufacturières par rapport au type d’incident ou d’exposition. Les taux d’incidence de la plupart des catégories de cette figure étaient nettement plus faibles pour le secteur des semi-conducteurs que pour le secteur privé ou pour l’ensemble des industries manufacturières. Les cas d’effort physique excessif chez les travailleurs du secteur des semi-conducteurs étaient inférieurs à la moitié de ceux concernant le total des travailleurs des industries manufacturières. La catégorie des expositions aux substances nocives, avant tout associées à des produits chimiques, était pratiquement équivalente entre les trois groupes.

Les distributions comparatives des cas de journées de travail perdues en fonction de l’origine des accidents ou des maladies sont présentées dans la figure 83.12. Les taux d’incidence des cas de journées de travail perdues pour les travailleurs du secteur des semi-conducteurs étaient inférieurs à ceux du secteur privé et de l’ensemble des industries manufacturières dans toutes les catégories d’origine, à l’exception des cas d’exposition aux substances chimiques.

La figure 83.13 compare les taux d’incidence des cas de journées de travail perdues avec la nature de l’accident ou de la maladie entre les trois groupes. Les taux concernant les travailleurs du secteur des semi-conducteurs étaient inférieurs de moitié à ceux du secteur privé et de l’ensemble des industries manufacturières en 1993. Le taux d’incidence des brûlures chimiques était légèrement supérieur dans le secteur des semi-conducteurs, mais il restait très faible dans les trois groupes comparés. Les cas de syndrome du canal carpien étaient, chez les travailleurs du secteur des semi-conducteurs, inférieurs à la moitié du taux relevé dans l’ensemble des industries manufacturières.

Dans la figure 83.14, la distribution de l’incidence des cas d’arrêt de travail apparaît en fonction de la partie du corps affectée. Bien que l’incidence des cas mettant en cause différentes parties du corps soit faible pour tous les groupes comparés, elle est cependant légèrement plus élevée chez les travailleurs du secteur des semi-conducteurs. Pour toutes les autres parties du corps, l’incidence était nettement inférieure pour les travailleurs du secteur des semi-conducteurs que pour ceux des deux autres groupes.

Les études épidémiologiques sur les travailleurs du secteur des semi-conducteurs

On a commencé à se préoccuper des conséquences que le travail dans les usines de semi-conducteurs était susceptible d’avoir sur la santé génésique en 1983, lorsqu’une employée de l’usine de Digital Equipment Corporation située à Hudson (Massachusetts) a attiré l’attention sur le nombre, anormalement élevé à son avis, d’avortements spontanés parmi les employées des salles blanches de l’usine. Cette allégation, jointe à l’absence de données internes pour l’usine, a incité à entreprendre une étude épidémiologique, qui fut effectuée par l’Ecole de santé publique d’Amherst de l’Université du Massachusetts (UMass). Entamée en 1984, cette étude s’acheva en 1985 (Pastides et coll., 1988).

On constata un risque élevé d’avortements spontanés à la fois dans la zone de lithographie et dans celle de diffusion par rapport aux travailleuses non exposées des autres secteurs de l’usine. Alors qu’un risque relatif de 1,75 était jugé comme statistiquement non significatif (p < 0,05), le risque relatif de 2,18 observé chez les travailleuses des zones de diffusion fut considéré, par contre, comme significatif compte tenu des préoccupations suscitées dans toute l’industrie des semi-conducteurs par la publication de l’étude de l’UMass; on a jugé indiqué d’exécuter une étude à plus grande échelle en vue de valider les constats effectués et de déterminer l’ampleur et les causes possibles du problème.

L’Association de l’industrie des semi-conducteurs (Semiconductor Industry Association (SIA)) des Etats-Unis parraina une étude élargie, qui fut confiée à l’Université de Californie de Davis (UC Davis), et entamée en 1989. Cette étude était destinée à examiner l’hypothèse selon laquelle la fabrication des semi-conducteurs était associée à un risque accru d’avortements spontanés chez les femmes employées à la fabrication des plaquettes. La population retenue pour l’étude appartenait à 14 entreprises, et représentait 42 sites de production répartis dans 17 Etats. Le plus grand nombre de sites (presque la moitié de l’effectif étudié) se trouvait en Californie.

L’étude s’articulait en trois volets: une étude transversale (McCurdy et coll., 1995; Pocekay et coll., 1995); une étude de cohorte historique (Schenker et coll., 1995); et une étude prospective (Eskenazi et coll., 1995). Chacune d’elles s’appuyait sur une évaluation de l’exposition (Hines et coll., 1995; Hammond et coll., 1995). Cette évaluation répartissait les travailleuses dans des groupes d’exposition relative (c’est-à-dire exposition forte, faible, etc.).

Le volet historique de l’étude a permis d’établir que le risque relatif des travailleuses de la fabrication par rapport à celui des travailleuses des autres secteurs était de 1,45, soit un risque supplémentaire d’avortements spontanés de 45%. Le groupe de risque le plus élevé identifié alors était celui des femmes travaillant aux opérations de photolithographie ou de gravure chimique. Pour ces dernières en particulier, le risque relatif était de 2,15. On constata en outre l’existence d’une relation dose-réponse parmi les femmes devant manipuler les résines photosensibles ou les révélateurs du point de vue du risque supplémentaire. Ces données semblaient prouver une association dose-réponse pour les éthers d’éthylèneglycol, mais non pas pour les éthers de propylèneglycol.

Bien que l’on ait mis en évidence un risque accru pour ce facteur chez les femmes travaillant à la fabrication des plaquettes dans le volet prospectif de l’étude, les résultats n’étaient pas statistiquement significatifs (p étant inférieur à 0,05). Le nombre limité des grossesses, malheureusement, réduisait notablement la portée de ce volet. L’analyse par type d’agent chimique indiquait un risque accru pour celles des femmes qui travaillaient avec l’éthylèneglycol monoéthyléther, mais elle ne s’appuyait que sur trois grossesses. Un autre constat important était que ces résultats venaient, de façon générale, appuyer, et non pas contredire, les constatations de l’étude de cohorte.

En ce qui concerne l’étude transversale, elle notait une augmentation des symptômes des voies respiratoires supérieures, principalement chez les travailleurs des groupes employés aux fours de diffusion et aux couches minces. Un constat intéressant était celui des effets apparemment protecteurs des différents moyens de prévention technique du domaine de l’ergonomie (par exemple, emploi de repose-pied et de chaises réglables pour réduire les dorsalgies).

Les prélèvements d’ambiance effectués dans les zones de fabrication des plaquettes montrèrent que, dans la plupart des cas, les expositions aux solvants étaient inférieures à 1% des limites d’exposition admissibles par le gouvernement américain.

Une étude épidémiologique distincte (Correa et coll., 1996) a été effectuée en 1989 par l’Université Johns Hopkins (JHU) sur un groupe de travailleuses des semi-conducteurs de la firme IBM. La fréquence globale des avortements spontanés observée chez les employées des salles blanches était de 16,6%. Le risque relatif pour ce facteur chez le groupe de travailleuses ayant le potentiel d’exposition le plus élevé aux éthers d’éthylèneglycol était de 2,8 (IC 95% = 1,4-5,6).

Critique des études épidémiologiques sur la reproduction relatives aux travailleurs du secteur des semi-conducteurs

Les études épidémiologiques étaient remarquables par leur portée et la similarité des résultats. Toutes ont abouti à des constats semblables. Chacune prouvait un risque excédentaire d’avortements spontanés chez les préposées à la fabrication des plaquettes. Deux des études (JHU et UC Davis) semblent indiquer une relation causale avec les expositions aux éthers d’éthylèneglycol. L’étude d’UMass a constaté que le groupe de la photogravure (personnes exposées aux glycoléthers) présentait un risque inférieur à celui du groupe de la diffusion, qui n’avait pas d’exposition documentée aux glycoléthers. Bien que ces études aient démontré l’existence d’un risque accru d’avortements spontanés chez les travailleuses de la fabrication des plaquettes, la cause de cette augmentation du risque reste incertaine. L’étude de la JHU n’a pas pu démontrer un rôle manifeste des glycoléthers, et celle de l’UC Davis ne permettait de faire qu’un rapprochement marginal (par une modélisation des expositions et la description des pratiques de travail faite par les employées elles-mêmes) entre ces produits et les effets sur le système reproducteur. Ces études n’ont comporté que très peu de contrôles (parfois aucun) en vue de déterminer les expositions aux glycoléthers. A l’issue de ces travaux cependant, l’industrie des semi-conducteurs s’est mise à remplacer ces produits par d’autres comme le lactate d’éthyle et les éthers de propylèneglycol.

Conclusion

A partir des meilleures données disponibles sur le taux d’incidence annuelle des accidents du travail et des maladies professionnelles, on constate que les travailleurs du secteur des semi-conducteurs sont exposés à moins de risques que ceux des autres secteurs manufacturiers, ou du secteur privé dans son ensemble (qui inclut de nombreuses activités non manufacturières). Sur une base internationale, il apparaît que les données statistiques sur les accidents du travail et les maladies professionnelles associées aux cas de journées de travail perdues peuvent représenter un indicateur assez fiable de la sécurité et de la santé des travailleurs du secteur des semi-conducteurs. L’industrie a parrainé plusieurs études épidémiologiques indépendantes à la recherche de réponses aux questions sur les conséquences pour la santé génésique des travailleurs du secteur. Bien qu’il n’ait pas été possible d’établir une association sûre entre les avortements spontanés constatés et les expositions aux éthers d’éthylèneglycol, les fabricants ont commencé à utiliser d’autres solvants pour les résines photosensibles.

LES PROBLÈMES D’ENVIRONNEMENT ET DE SANTÉ PUBLIQUE

Corky Chew

Généralités

Par rapport à d’autres branches d’activité, celle de l’électronique est considérée comme «propre» du point de vue de son impact sur l’environnement. Néanmoins, les produits chimiques entrant dans la fabrication des pièces et des composants électroniques et les déchets produits créent des problèmes d’environnement non négligeables qui, compte tenu de la dimension de cette activité, doivent être abordés à l’échelle mondiale. Les déchets et sous-produits provenant de la fabrication des circuits imprimés, des cartes à circuit imprimé et des semi-conducteurs font l’objet d’un vigoureux effort de la part des fabricants en termes de prévention de la pollution, de technologies de traitement et de techniques de recyclage/récupération.

Les motivations des fabricants en faveur d’une meilleure maîtrise de l’incidence de leurs activités sur l’environnement ont dans une large mesure évolué des soucis écologiques vers des préoccupations financières. En raison des coûts et des responsabilités liés aux émissions et aux déchets dangereux, cette industrie a poursuivi énergiquement la mise au point et l’application de systèmes de protection de l’environnement qui ont sensiblement réduit l’impact nocif de ses sous-produits et déchets. Elle a en outre adopté une démarche active d’anticipation visant, dans un souci écologique, à intégrer à ses activités les objectifs gouvernementaux, les outils et les techniques appropriés. Des exemples de cette attitude de prévention active sont l’abandon des chlorofluorocarbures et des composés perfluorés, et la mise au point de produits de remplacement «écocompatibles», ainsi que l’application du principe nouveau de «prise en compte de l’environnement dès la conception» dans l’élaboration de nouveaux produits.

Le secteur de la fabrication des circuits imprimés, des cartes à circuit imprimé et des semi-conducteurs emploie toute une gamme de produits chimiques et met en œuvre des techniques et des équipements spécialisés. Compte tenu des risques associés à ces processus, une bonne gestion des sous-produits chimiques, des déchets et des émissions est essentielle à la sécurité des travailleurs et à la protection de l’environnement des collectivités où ces activités se déroulent.

Les tableaux 83.10, 83.11 et 83.12 présentent une description des principaux sous-produits et déchets engendrés dans ces types de fabrication. Ils indiquent également les catégories importantes d’impact sur l’environnement et les moyens généralement reconnus pour gérer les déchets et en atténuer les effets. Ces déchets sont rejetés principalement dans les eaux usées ou l’air, mais aussi sous la forme de déchets solides.

Tableau 83.10 Production de déchets lors de la fabrication

Etapes du processus

Déchets et matériaux dangereux

Impact sur l’environnement

Mesures de protection de l’environnement1

Préparation du matériau

Aucun

Aucun

Aucune

Empilage et brochage

Métaux lourds/précieux
Epoxy/fibre de verre

Déchets solides2
Déchets solides2

Recyclage/récupération
Recyclage/récupération

Perçage

Métaux lourds/précieux
Epoxy/fibre de verre

Déchets solides2
Déchets solides2

Recyclage/récupération
Recyclage/récupération

Ebavurage

Métaux lourds/précieux
Epoxy/fibre de verre

Déchets solides2
Déchets solides2

Recyclage/récupération
Recyclage/récupération

Placage cuivre non électrolytique

Métaux
Agents corrosifs/caustiques
Fluorures

Eaux usées
Eaux usées/air

Eaux usées

Précipitation chimique
Neutralisation du pH/épuration de l’air (absorption)
Neutralisation chimique

Imagerie

Solvants

Agents corrosifs
Solvants

Air

Air
Déchets solides2

Adsorption, condensation ou incinération
Epuration de l’air (absorption)
Recyclage/récupération/incinération

Placage de l’impression

Agents corrosifs

Métaux
Fluorures

Eaux usées/air

Eaux usées
Eaux usées

Neutralisation du pH/épuration de l’air (absorption)
Précipitation chimique
Précipitation chimique

Décapage, gravure, décapage

Ammoniac
Métaux
Solvants

Air
Eaux usées
Déchets solides2

Epuration de l'air (adsorption)
Précipitation chimique
Recyclage/récupération/incinération

Masque de soudure

Agents corrosifs
Solvants

Solvants/encres époxy

Air
Air

Déchets solides2

Epuration de l’air (adsorption)
Adsorption, condensation, ou incinération
Recyclage/récupération/incinération

Revêtement de soudure

Solvants

Agents corrosifs
Soudure au plomb/étain, flux

Air

Air
Déchets solides2

Adsorption, condensation ou incinération
Epuration de l’air (adsorption)
Recyclage/récupération

Placage or

Agents corrosifs
Agents corrosifs
Métaux
Métaux

Air
Eaux usées
Eaux usées
Déchets solides2

Epuration de l’air (adsorption)
Neutralisation du pH
Précipitation chimique
Recyclage/récupération

Légende des composants

Solvants

Solvants/encres

Air

Déchets solides2

Adsorption, condensation ou incinération
Recyclage/récupération/ incinération

1 Le recours aux mesures d’atténuation dépend des limites imposées aux rejets à l’endroit en question.2 Sont considérés comme déchets solides tous les matériaux mis en décharge, quel que soit leur état.

Tableau 83.11 Production de déchets lors de la fabrication de cartes à circuit
imprimé et mesures de protection de l'environnement

Etapes du processus

Déchets et matériaux dangereux

Impact sur l’environnement

Mesures de protection de l’environnement

Nettoyage

Métaux (plomb)

Eaux usées

Neutralisation du pH, précipitation chimique, recyclage du plomb

Pâte de soudure

Pâte de soudure (plomb/étain)

Déchets solides

Recyclage/récupération

Application d’adhésif

Colles époxy

Déchets solides

Incinération

Implantation des composants

   

Les rubans, bobines et tubes plastique sont recyclés ou réemployés

Séchage de l’adhésif et refusion

     

Dépôt de flux

Solvant (flux à l’alcool isopropylique)

Déchets solides

Recyclage

Soudage à la vague

Métal (déchets de soudure)

Déchets solides

Recyclage/récupération

Inspection et retouches

Métal (chutes de fils)

Déchets solides

Recyclage/récupération

Essais

Cartes garnies mises au rebut

Déchets solides

Recyclage/récupération (fusion des cartes pour récupération des métaux précieux)

Reprise et réparation

Métal (déchets de soudure)

Déchets solides

Recyclage/récupération

Opérations annexes
— nettoyage des pochoirs

Métal (plomb/étain/pâte de soudure)

Déchets solides

Recyclage/incinération

Tableau 83.12 Production de déchets lors de la fabrication de semi-conducteurs
et mesures de protection de l'environnement

Etapes du processus

Déchets et matériaux dangereux

Impact sur l’environnement

Mesures de protection de l’environnement

Lithographie/gravure

Solvants
Métaux
Agents corrosifs/caustiques
Agents corrosifs
Acide sulfurique
Fluorures

Déchets solides
Eaux usées
Eaux usées
Air
Déchets solides
Eaux usées

Recyclage/récupération/incinération
Précipitation chimique
Neutralisation du pH
Epuration de l’air (absorption)
Recyclage/retraitement
Précipitation chimique

Oxydation

Solvants

Agents corrosifs

Déchets solides

Eaux usées

Recyclage/récupération/ incinération
Neutralisation du pH

Dopage

Gaz toxiques
(arsine, phosphine, diborane, trifluorure de bore, trichlorure de bore, etc.
Métaux (arsenic, phosphore, bore)

Air




Déchets solide

Remplacement par des sources liquides/incinération (postcombustion)


Recyclage/récupération

Dépôt chimique en phase vapeur

Métaux
Agents corrosifs

Déchets solides
Eaux usées

Incinération
Neutralisation du pH

Métallisation

Solvants
Métaux

Déchets solides
Déchets solides

Incinération
Recyclage/récupération

Assemblage et essais

Solvants
Métaux

Déchets solides
Déchets solides

Recyclage/récupération/incinération
Recyclage/récupération

Nettoyage

Agents corrosifs
Fluorures

Eaux usées
Eaux usées

Neutralisation du pH
Précipitation chimique

Les moyens suivants sont généralement admis pour réduire les émissions polluantes des usines de fabrication des circuits imprimés, des cartes à circuit imprimé et des semi-conducteurs. Les solutions choisies varient selon les possibilités techniques, les obligations réglementaires, la nature particulière et la concentration des éléments rejetés.

L’épuration des eaux usées

La précipitation chimique

La précipitation chimique est généralement utilisée pour éliminer des effluents liquides les métaux solubles ou en particules. Etant donné que ces métaux ne se dégradent pas naturellement et qu’ils sont toxiques à de faibles concentrations, leur élimination des eaux usées industrielles est un enjeu capital. N’étant pas très solubles dans l’eau, ils peuvent être éliminés par voie chimique. Leur solubilité dépend du pH, de la concentration et du type de métal et de la présence d’autres ions. Il faut en principe ajuster le pH des effluents pour obtenir la précipitation du métal. L’ajout de produits chimiques aux effluents est nécessaire pour modifier l’état physique des solides dissous et en suspension. On utilise communément de la chaux et des agents de précipitation caustiques et à base de sulfures. Ces agents favorisent la coagulation ou la sédimentation des métaux en suspension, ou provoquent leur agglomération à un précipité.

Le résultat de la précipitation chimique est la production de boues. C’est pourquoi des procédés d’extraction de l’eau, au moyen de centrifugeuses, de presses filtrantes, de filtres ou de bacs de déshydratation ont été mis au point pour réduire le poids de ces boues. Les boues concentrées ainsi produites sont ensuite incinérées ou mises en décharge.

La neutralisation du pH

Le pH (concentration en ions hydrogène ou acidité) est un important paramètre de qualité des eaux usées industrielles. Les valeurs extrêmes de pH ayant des effets nuisibles sur les eaux naturelles et sur les opérations de traitement des effluents, il est nécessaire d’ajuster le pH des eaux usées industrielles avant qu’elles quittent l’usine. Ce traitement s’effectue dans une série de cuves où la concentration en ions hydrogène est contrôlée. En général, on utilise l’acide chlorhydrique ou l’acide sulfurique pour neutraliser les effluents caustiques et l’hydroxyde de sodium pour les effluents acides. L’apport d’agent neutralisateur est dosé de façon à amener le pH des effluents en sortie à la valeur voulue.

Il est souvent nécessaire de procéder à cette opération avant d’appliquer d’autres procédés de traitement, tels que la précipitation chimique, l’oxydation/réduction, l’adsorption par charbon actif, l’épuration ou l’échange ionique.

La gestion des déchets solides

On considère comme déchets solides les matériaux qui sont éliminés par mise en décharge, incinération ou stockage, ou que l’on traite avant ou au lieu de les mettre en décharge (US Code of Federal Regulation 40, Section 261.2). Les déchets qualifiés de dangereux possèdent en général une ou plusieurs des caractéristiques ci-après: inflammabilité, corrosivité, réactivité, toxicité. Selon les cas, différents moyens sont mis en œuvre. L’incinération est couramment employée pour traiter les déchets de solvants et de métaux produits au cours de la fabrication des circuits imprimés, des cartes à circuit imprimé et des semi-conducteurs.

L’incinération

Le recours à l’incinération (ou destruction thermique par postcombustion) est aujourd’hui très répandu pour les déchets toxiques et inflammables. Dans de nombreux cas, les déchets inflammables (solvants) servent de combustible (en mélange avec d’autres) dans les incinérateurs thermiques et catalytiques. Une bonne incinération des solvants et des déchets toxiques assure une oxydation complète et convertit les substances combustibles en dioxyde de carbone, en eau et en cendres, éliminant ainsi tous les risques associés aux déchets dangereux. Le choix de la méthode d’incinération dépend de la température de combustion, des caractéristiques du combustible et du temps de séjour. Les incinérateurs thermiques, qui fonctionnent à température élevée, sont d’un usage très répandu pour les composés halogénés. Les différents systèmes d’incinérateurs thermiques sont le four rotatif, l’injection liquide, le foyer fixe, le lit fluidisé, ainsi que d’autres systèmes de conception évoluée.

Les incinérateurs catalytiques oxydent les substances combus-tibles (les composés organiques volatils (COV), par exemple) par injection d’un courant de gaz chaud à travers un lit catalyseur. Ce lit augmente la surface active, et l’injection d’un courant de gaz chaud permet à la combustion de se dérouler à une température inférieure à celle de l’incinération thermique.

Les émissions aériennes

L’incinération permet également de contrôler les émissions aériennes. On recourt aussi à l’absorption et à l’adsorption.

L’absorption

L’absorption de l’air est généralement utilisée pour épurer les émissions corrosives. Elle consiste à faire passer le produit contaminant à travers un liquide non volatil (de l’eau, par exemple) dans lequel il se dissout. Les effluents de ce processus sont envoyés en principe à un circuit de traitement des eaux usées, où ils subissent un ajustement de pH.

L’adsorption

L’adsorption consiste à faire adhérer (par des forces physiques ou chimiques) une molécule de gaz à une autre substance, appelée adsorbante. Elle est généralement employée pour extraire les solvants d’émissions atmosphériques. Le charbon actif, l’alumine activée ou le gel de silice sont des adsorbants d’usage courant.

Le recyclage

Les matériaux recyclables sont utilisés, réutilisés ou récupérés comme ingrédients d’un produit industriel. Le recyclage est un moyen écologique et économique de traitement de certains types de matériaux et de déchets particuliers, comme les métaux et les solvants. Le recyclage peut être assuré dans l’entreprise, ou sur des marchés secondaires qui acceptent les matériaux recyclables. La solution du recyclage est choisie en tenant compte des contraintes financières, réglementaires et technologiques.

Les orientations futures

A une époque où la société exige de plus en plus instamment que des mesures de prévention de la pollution soient mises en place, et où l’industrie recherche des moyens économiques pour réduire la consommation de produits chimiques et le volume des déchets produits, le secteur de l’électronique devra évaluer les nouvelles techniques et technologies permettant d’améliorer la gestion des substances dangereuses et des déchets. L’approche de la dépollution en aval a fait place aux techniques de prise en compte de l’environnement dès la conception, dans lesquelles on considère les problèmes d’environnement sur tout le cycle de vie du produit, ce qui inclut l’économie de matériaux, l’efficacité des opérations de fabrication, l’emploi de matériaux moins agressifs pour l’environnement, le recyclage, la régénération et la récupération des déchets, et bien d’autres techniques qui permettront de réduire l’impact sur l’environnement de l’industrie électronique. Parmi les problèmes à résoudre, il faut citer celui de la très grande quantité d’eau consommée, notamment au cours des étapes de rinçage de la fabrication de composants microélectroniques. Dans les zones pauvres en eau, les industriels doivent trouver des solutions. Ils doivent néanmoins s’assurer que les produits de remplacement (solvants, par exemple) ne créent pas à leur tour d’autres problèmes d’environnement.

A titre d’exemple des orientations futures des procédés de fabrication des circuits imprimés et des cartes à circuit imprimé, le tableau 83.13 présente différentes options permettant de mettre en place des pratiques écologiquement saines et de prévenir la pollution. Les besoins et approches prioritaires à cet égard sont indiqués.

Tableau 83.13 Tableau des besoins prioritaires

Besoins prioritaires
(par ordre décroissant de priorité)

Approche

Travaux à exécuter

Améliorer l’exploitation, la régénération et le recyclage des produits chimiques liquides dangereux

Prolonger la durée de vie des bains de placage électrolytiques et non électrolytiques
Mettre au point des produits et des procédés permettant le recyclage ou la régénération en interne
Eliminer le formaldéhyde des matériaux et produits
Promouvoir le recyclage, la récupération et la régénération sur place

Effectuer des recherches pour prolonger la durée de vie des bains
Effectuer des recherches sur l’épuration/la régénération en ligne
Effectuer des recherches sur les produits de remplacement
Modifier les réglementations officielles pour promouvoir le recyclage
Former le personnel de production en chaîne aux problèmes d’entraînement en entrée et en sortie

Réduire la quantité des déchets solides engendrés par la mise au rebut des circuits imprimés, fils et composants

Développer et promouvoir le recyclage des circuits imprimés, fils et composants mis au rebut
Mettre au point de nouveaux outils de commande des procédés et d’amélioration de l’efficacité
Améliorer la soudabilité des circuits imprimés

Développer les infrastructures de traitement des matériaux recyclés
Créer des outils de commande et d’évaluation des procédés utilisables par les petites et moyennes entreprises
Livrer des cartes de propreté et de soudabilité constantes

Etablir de meilleures relations avec les fournisseurs pour favoriser l’étude et l’adoption de matériaux écologiques

Promouvoir les partenariats entre fournisseurs, fabricants et clients pour la mise en œuvre de matériaux écologiques

Elaborer un modèle de gestion des matériaux dangereux à l’usage des petites et moyennes entreprises de fabrication de circuits imprimés

Minimiser l’impact de l’emploi de matériaux dangereux dans la fabrication des circuits imprimés

Réduire si possible la quantité de soudure au plomb ou la teneur en plomb de la soudure
Mettre au point des solutions de remplacement au revêtement de soudure en tant que couche de gravure

Modifier les spécifications de façon à pouvoir utiliser le masque de soudure sur cuivre nu
Valider la qualité des solutions de remplacement au placage plombé

Utiliser des systèmes d’additifs pouvant remplacer les systèmes existants

Mettre au point des technologies simplifiées et économiques pour les additifs, les matériaux et les procédés
Rechercher d’autres sources et approches pour le matériel d’application des additifs

Collaborer à des projets de mise au point de nouveaux procédés et de nouvelles techniques en matière d’additifs diélectriques et de métallisation

Eliminer les étalements de produit autour des trous des circuits imprimés

Mettre au point des résines ou des systèmes de perçage antiétalement

Rechercher d’autres matériaux stratifiés et préimprégnés
Développer l’utilisation du laser et d’autres procédés de perçage

Réduire la consommation et les rejets d’eau

Optimiser l’utilisation de l’eau et le système de recyclage
Réduire le nombre des étapes de nettoyage dans la fabrication des circuits imprimés
Eliminer certaines opérations de manutention et de préparation des pièces pour réduire les nettoyages répétés

Modifier les spécifications pour réduire les besoins en nettoyage
Rechercher d’autres méthodes de traitement des pièces
Changer ou supprimer les produits nécessitant un nettoyage

Source: Microelectronics and Computer Technology Corporation (MCC), 1994.

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